专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]制造鳍片器件的方法和鳍片器件-CN201310047484.0有效
  • 蔡明;郭德超;C-C·叶 - 国际商业机器公司
  • 2013-02-06 - 2013-08-14 - H01L21/336
  • 本发明涉及制造鳍片器件的方法和鳍片器件。一种制造鳍片FET器件的方法,包括以下步骤。在晶片中构图多个鳍片。形成虚拟栅极以覆盖鳍片作为沟道区的部分。在虚拟栅极的相对侧上形成间隔物。去除虚拟栅极,因此形成位于间隔物之间的暴露器件的沟道区中的鳍片的沟槽。将氮化物材料沉积在沟槽中,以便覆盖器件的沟道区中的每个鳍片的顶部和侧壁。对晶片进行退火,在氮化物材料中诱导应变,由此形成应力氮化物膜,该膜覆盖器件的沟道区中的每个鳍片的顶部和侧壁并诱导应变。去除应力氮化物膜。形成替代栅极覆盖器件的沟道区中的鳍片。
  • 制造器件方法
  • [发明专利]具有金属替换栅极的晶体管及其制造方法-CN201180043465.X有效
  • K·K·H·黄;郭德超 - 国际商业机器公司
  • 2011-08-18 - 2013-05-08 - H01L21/8238
  • 通过去除衬底的掺杂区之上的多晶硅栅极并在所述衬底之上形成掩模层,以便通过所述掩模层内的孔暴露所述掺杂区,来制造晶体管。在所述掩模层的顶表面和侧表面上以及在所述掺杂区的顶表面上沉积界面层。在所述界面层上沉积这样的层,该层适于降低所述晶体管的阈值电压和/或减小所述晶体管的反型层的厚度。所述层包括扩散到所述界面层中的诸如铝或镧的金属,且还包括诸如氧化铪的氧化物。在所述掩模层的所述孔内形成导电插塞,例如金属插塞。所述界面层、所述界面层上的所述层以及所述导电插塞作为所述晶体管的替换栅极。
  • 具有金属替换栅极晶体管及其制造方法
  • [实用新型]可拆卸无框大玻璃龙骨干挂法施工系统-CN201220321736.5有效
  • 胡蛟;郭德超;杨远荣;林胜;王栋栋;愈志成;王健;袁芬;梁振 - 中国建筑装饰集团有限公司
  • 2012-07-05 - 2013-02-13 - E04B2/88
  • 一种可拆卸无框大玻璃龙骨干挂法施工系统,该系统包括安装在墙柱面与玻璃之间的铝合金竖龙骨、金属角码、梯形铝合金型材和镀锌挂件;铝合金竖龙骨为矩形柱状结构,其朝向玻璃的一面竖向间隔开有挂孔;铝合金竖龙骨的左右两侧面分别由金属角码与墙柱面固定,梯形铝合金型材的横截面为等腰梯形,其下底面由结构胶与玻璃表面粘结,其上底面与镀锌挂件连接,镀锌挂件的勾头部分挂于铝合金竖龙骨的挂孔上。本实用新型施工速度快、成本低、玻璃拆卸灵活、维修方便,可广泛应用于建筑室内外装饰工程,如医疗空间、大型商场、会展中心、办公等公共空间等,适用于各种墙柱面,尤其对管线与设备较多、需要经常拆卸维修的墙柱面更具优势。
  • 可拆卸无框大玻璃龙骨干挂法施工系统
  • [发明专利]高k金属栅极叠层-CN201180023957.2有效
  • 郭德超;P·欧尔迪吉斯;T-C·陈;王岩峰 - 国际商业机器公司
  • 2011-05-18 - 2013-01-23 - H01L21/28
  • 一种用于场效应晶体管(FET)器件的栅极叠层结构,包括:富氮的第一电介质层,其形成在半导体衬底表面之上;贫氮且富氧的第二电介质层,其形成在所述富氮的第一电介质层上,所述第一电介质层和所述第二电介质层共同形成双层界面层;高k电介质层,其形成在所述双层界面层之上;金属栅极导体层,其形成在所述高k电介质层之上;以及功函数调整掺杂剂物质,其扩散在所述高k电介质层和所述贫氮且富氧的第二电介质层内,且其中所述富氮的第一电介质层用来使所述功函数调整掺杂剂物质与所述半导体衬底表面分隔。
  • 金属栅极
  • [发明专利]用于场效应晶体管器件的自动对准接触-CN201180016073.4有效
  • 郭德超;W·E·亨施;X·王;K·K·H·黄 - 国际商业机器公司
  • 2011-03-15 - 2012-12-12 - H01L29/78
  • 一种形成场效应晶体管的方法,所述方法包含:形成栅极叠层、邻近所述栅极叠层的相对侧面的间隔物、在所述间隔物的相对侧面上的硅化物源极区域和硅化物漏极区域,在所述源极区域和所述漏极区域上外延生长硅;在所述栅极叠层和所述间隔物上形成衬里层,去除所述衬里层的一部分以暴露所述硬掩模层的一部分,去除所述硬掩模层的暴露部分以暴露所述栅极叠层的硅层,去除暴露的硅以暴露所述栅极叠层的金属层的一部分、所述源极区域以及所述漏极区域;以及在所述栅极叠层的所述金属层上、所述硅化物源极区域和所述硅化物漏极区域上沉积导电材料。
  • 用于场效应晶体管器件自动对准接触

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