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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]发光二极管芯片与发光二极管装置-CN201910717718.5有效
发明人：庄东霖;黄逸儒;郭佑祯;兰彦廷;沈志铭;黄靖恩 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管芯片，包括磊晶叠层、第一、第二电极以及第一反射层。磊晶叠层包括第一型、第二型半导体层与发光层。第一、第二电极分别与第一型、第二型半导体层电性连接。发光层于第一型半导体层的正投影与第一电极于第一型半导体层的正投影错位。第一反射层设置于磊晶叠层、第一、第二电极上。第一反射层于第二型半导体层的正投影与第二电极于第二型半导体层的正投影错位。另，一种发光二极管装置亦被提供。
发光二极管芯片装置

[发明专利]发光二极管-CN202010832795.8在审
发明人：黄逸儒;许圣宗;郭佑祯;沈志铭;庄东霖;黄琮训;黄敬恩 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2017-10-09 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一金属层、第一电流传导层、第一接合层及第二电流传导层。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一金属层位于第一型半导体层上且与第一型半导体层电性连接。第一金属层位于第一电流传导层与第一型半导体层之间。第一电流传导层位于第一接合层与第一金属层之间。第一接合层藉由第一电流传导层及第一金属层与第一型半导体层电性连接。第一接合层具有与第一金属层重叠的贯穿开口。第二电流传导层与第二型半导体层电性连接。
发光二极管

[发明专利]红光发光二极管及其制造方法-CN202010209074.1在审
发明人：庄东霖;黄逸儒;郭佑祯;沈志铭;黄琮训;黄靖恩 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提供一种红光发光二极管及其制造方法，所述红光发光二极管包括磊晶叠层、第一、第二电极、第一、第二电极垫。磊晶叠层包括第一型、第二型半导体层以及发光层。发光层的主要发光波长落在一红光范围内。磊晶叠层具有邻近第一型半导体层的第一侧与邻近第二型半导体层的第二侧。第一、第二电极分别与第一型、第二型半导体层电性连接，且分别位于磊晶叠层的第一、第二侧。第一、第二电极垫分别设置于第一、第二电极上且分别与第一、第二电极电性连接。第一、第二电极垫位于磊晶叠层的第一侧。
红光发光二极管及其制造方法

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN202010097226.3在审
发明人：黄逸儒;郭佑祯;许圣宗;沈志铭;李耀唐;庄东霖;黄琮训;黄靖恩 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2020-02-17 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一金属层、第一电流传导层、第一接合层及第二电流传导层。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一金属层位于第一型半导体层上且与第一型半导体层电性连接。第一金属层位于第一电流传导层与第一型半导体层之间。第一电流传导层位于第一接合层与第一金属层之间。第一接合层通过第一电流传导层及第一金属层与第一型半导体层电性连接。第一接合层具有与第一金属层重叠的贯穿开口。第二电流传导层与第二型半导体层电性连接。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]发光二极管芯片-CN201610790955.0有效
发明人：黄琮训;黄靖恩;郭佑祯;兰彦廷;康凯舜;吕飞龙;赖腾宪;黄逸儒 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管芯片，包括半导体元件层、凹陷部、第一电极、以及第二电极。半导体元件层包括第一型掺杂半导体层、量子井层以及第二型掺杂半导体层。凹陷部在发光二极管芯片上定义出第一区域以及第二区域。第一区域以及第二区域分别包含部分第一型掺杂半导体层、部分量子井层以及部分第二型掺杂半导体层。第一电极配置于第一区域内且至少位在部分第一型掺杂半导体层与至少部分第二型掺杂半导体层上。第二电极位于第二区域内并与第二型掺杂半导体层电性连接。另一种发光二极体晶片亦被提供。本发明提供的发光二极管芯片具有较高的发光效率。
发光二极管芯片

[发明专利]发光二极管-CN201710930691.9在审
发明人：黄逸儒;许圣宗;郭佑祯;沈志铭;庄东霖;黄琮训;黄敬恩 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2017-10-09 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一金属层、第一电流传导层、第一接合层及第二电流传导层。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一金属层位于第一型半导体层上且与第一型半导体层电性连接。第一金属层位于第一电流传导层与第一型半导体层之间。第一电流传导层位于第一接合层与第一金属层之间。第一接合层藉由第一电流传导层及第一金属层与第一型半导体层电性连接。第一接合层具有与第一金属层重叠的贯穿开口。第二电流传导层与第二型半导体层电性连接。
发光二极管

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