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[实用新型]一种用于车载的充电器-CN202122288248.0有效
发明人： 郭万里 -专利权人：深圳市拜特新能源有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于车载的充电器，包括壳体，壳体顶端设置有充电端头，充电端头上方设置有与其适配的防尘盖，壳体上方开设有散热槽，壳体下方外壁上开设有散热孔，壳体底部安装有触头，壳体外壁上设置有弹片，壳体内电连接有电路板，触头顶端设置有导向块，导向块活动安装在固定槽内。本实用新型在壳体上开设有散热槽和散热孔，在充电器工作时由于会产生热量，若不及时散走可能会因温度过高而影响装置的使用，散热槽和散热孔可加快散热，保证装置正常使用，提高安全性；且位于散热槽内设置有防尘网，避免灰尘进入装置内，弹片活动设置在回纳槽内，当充电器插入插座时，弹片增加充电器的连接牢固度，避免脱落。
一种用于车载充电器

[实用新型]一种制备球形氧化铝载体材料的设备-CN202123348633.6有效
发明人： 郭万里;郭晓琛;贺誉清;梁雪飞;朱小龙;郭超冰;杨凡;张超;卫鹏 -专利权人：山西炬华新材料科技有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： B01F21/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种制备球形氧化铝载体材料的设备，溶解釜的出口与中和釜的入口通过管道相连接，中和釜的出口通过管道连接至助剂槽，助剂槽的出口连接研磨机，研磨机的出口连接储槽，储槽的出口连接至成型机，成型机的出口连接至洗料机，洗料机的出口连接至干燥机，干燥机的出口连接至焙烧装置。制备氧化铝载体的原料经溶解、中和后加入助剂，研磨合格后进入成型机得到分散型球形颗粒，颗粒进入洗料机进行清洗，清洗后经闪蒸烘干、焙烧后得到产品滴球。本实用新型设置了洗料机对球形颗粒表面的杂质进行清洗，保证了载体产品的品质。
一种制备球形氧化铝载体材料设备

[发明专利]一种基于统计分析的热连轧精轧机组辊缝补偿系统-CN202210282436.9在审
发明人：牛庆林;邓杭州;郭晓明;陈冬至;潘宋军;马俊华;李杰;李广毅;丁宏超;王宝峰;饶静;杨立庆;郭万里;路晓亮 -专利权人：安阳钢铁股份有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： B21B37/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于统计分析的热连轧精轧机组辊缝补偿系统，所述该系统是在模型系统中建立FGAP模型表，以钢组代码、厚度代码、宽度代码为索引字段，建立七个机架的辊缝补偿量数组，本发明适用于轧钢自动化技术领域，本发明中在计算精轧机组各个机架的辊缝补偿量时，在换钢种或换规格轧制的第一块，参考此块钢所属钢组和规格的辊缝补偿量的历史数据，结合当前轧机的辊缝补偿量的短期自学习结果，既考虑了与钢种、规格相关的各机架轧件变形、摩擦等导致的前滑系数等的误差，又考虑了当前轧辊热膨胀和磨损计算的误差，综合补偿后，换钢种或换规格轧制第一块钢时，精轧穿带各机架金属流量平衡，穿带稳定性提高，同时头部厚度控制精度得到明显改善。
一种基于统计分析热连轧精轧机缝补系统

[发明专利]水热力耦合作用下膨胀土表面裂隙测试装置及使用方法-CN201910395995.9有效
发明人： 郭万里;蔡正银;黄英豪;武颖利;吴二鲁;关云飞;陈鸽;张晨;曹永勇;韩迅;朱洵;朱锐;陈正;张欢 -专利权人：水利部交通运输部国家能源局南京水利科学研究院
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本发明涉及一种水热力耦合作用下膨胀土表面裂隙测试装置及使用方法，该装置包括模型箱、高强度玻璃板、膨胀土试样、供水系统、温度控制系统、加载系统及数据采集系统；所述高强度玻璃板设置在所述模型箱内，所述膨胀土试样放置在所述高强度玻璃板上；所述膨胀土试样四周设置有塑料环刀；所述塑料环刀和所述高强度玻璃板均为透明结构；所述膨胀土试样包括膨胀土测试试样和平行测试试样；该使用方法操作简单、调节简便、易于控制；本发明实现了真正的水热力耦合作用下膨胀土表面裂隙的测试，同时避免测试过程中土样结构遭到破坏，提高测试结果的准确性，实现无损伤测试，为膨胀土的水热力耦合研究提供基础。
热力耦合作用膨胀表面裂隙测试装置使用方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202011496723.7在审
发明人：王瑞磊;郭万里;周云鹏 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，包括：提供一承载晶圆和多个测试合格的芯片；将所述多个测试合格的芯片临时键合在所述承载晶圆上，相邻的芯片之间具有间隙；形成第一介质层于所述芯片的表面以及所述间隙的底部；填充第二键合胶层于所述间隙中，且所述第二键合胶层的顶表面低于所述芯片的顶表面；覆盖第二介质层于所述第一介质层上，且所述第二介质层填满所述间隙；将所述芯片的远离所述承载晶圆的一面与一目标晶圆键合；以及，执行解键合工艺，以去除所述承载晶圆，获得晶圆键合结构。本发明的技术方案能够提升芯片堆叠结构的良率，且能够实现不同技术节点和不同尺寸芯片间的互连。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202011502393.8在审
发明人：陈坦林;郭万里;刘天建 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：将测试合格的芯片通过第二键合胶层与第二载片临时键合，芯片的第一面上的保护层与第二键合胶层接触；平坦化芯片的远离第二载片的一侧，暴露出芯片的第二面上的键合界面层；将芯片通过第二面上的键合界面层与目标晶圆键合；去除第二载片，第一面的保护层上残留有部分的第二键合胶层；以及，平坦化芯片的远离目标晶圆的一侧，以去除残留的第二键合胶层和第一面上的保护层，并暴露第一面上的键合界面层，获得键合结构。本发明的技术方案能够防止混合键合界面与键合胶直接接触，确保键合界面层的表面具有很高的清洁度，避免导致芯片与目标晶圆之间的混合键合工艺出现异常。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种适用于寒区消除冻胀效应的挡土结构及施工方法-CN202110828294.7有效
发明人： 郭万里;张晨;鲁洋;简富献;李禹君;黄英豪;武颖利;李威;朱洵;王弈;韩迅;朱锐 -专利权人：水利部交通运输部国家能源局南京水利科学研究院;黑龙江省水文水资源中心牡丹江分中心
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： E02D29/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种适用于寒区消除冻胀效应的挡土结构及施工方法，所述挡土结构包括护坡回填料、含EPS混合结构、墙踵黏土层、挡土墙、排水孔、刚性拉杆和锚定板；挡土墙墙身在上、中和下部分别设置贯通的排水孔；消除冻胀效应的回填结构紧贴附于墙背；刚性拉杆通过布设钢筋相连，左端嵌入挡土墙内，右端横向贯穿EPS轻质土与埋置墙后土中锚定板相连；所述施工方法包括以下步骤：进行施工准备→进行基槽开挖，搭建施工工作面→对挡土墙及墙后回填结构进行施工→对刚性拉杆进行施工→对含EPS混合结构进行施工。本发明适用于寒区基础设施建设中需降低或消除冻胀效应的土质边坡加固工程或高填方工程，具有结构形式简单，施工方法简便，工程造价低的优点。
一种适用于消除冻胀效应结构施工方法

[发明专利]半导体器件的制作方法-CN202011452022.3在审
发明人：陈坦林;郭万里;刘天建 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制作方法。所述方法包括：形成第一晶圆的正面键合界面和背面键合界面；对所述第一晶圆进行芯片切分，并将所述第一晶圆中的各芯片作为第一目标芯片；将所述第一目标芯片的背面键合界面与第一基板进行临时键合；将所述第一目标芯片的正面键合界面与目标晶圆进行键合；将所述第一目标芯片的背面键合界面与所述第一基板进行解键合；将所述第一目标芯片的背面键合界面与第二目标芯片进行键合。本发明能够实现多层芯片和晶圆的混合键合，满足半导体器件的多样化需求。
半导体器件制作方法

[发明专利]芯片键合方法-CN202011452297.7在审
发明人： 郭万里;刘天建 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供了一种芯片键合方法，通过在器件晶圆的正面涂布键合胶并键合载片晶圆，可以在器件晶圆的背面形成背连线结构，以将器件晶圆中的互连结构从器件晶圆的背部引出，从而可以将芯片的正面键合至目标晶圆上，并且，器件晶圆与载片晶圆解键合后先保留器件晶圆的正面的键合胶，键合胶可以在后续对器件晶圆进行划片时保护器件晶圆的正面，防止划片过程中产生的颗粒物或刻蚀副产物附着在器件晶圆的正面上，后续去除键合胶时可同步去除键合胶上的刻蚀副产物，保证了划片后产生的单个芯片的正面的洁净度，可提高将芯片的正面键合至目标晶圆上的键合效果。
芯片方法

[发明专利]晶圆划片方法-CN202011452323.6在审
发明人：赵长林;胡胜;郭万里 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆划片方法，包括：提供一晶圆；执行第一次切割，沿晶圆的厚度方向切割介质层停在衬底靠近金属层的一侧表面，切割处形成第一沟槽；在衬底远离金属层的一侧表面上形成混合键合结构；执行第二次切割，切割混合键合结构停在衬底远离金属层的一侧表面，切割处形成第二沟槽；以图形化的光阻层为掩膜，贯穿第二沟槽暴露出的衬底，将第二沟槽与第一沟槽连通。通过第一次切割、第二次切割以及以图形化的光阻层为掩膜，贯穿第二沟槽暴露出的衬底，将第二沟槽与第一沟槽连通，在晶圆厚度方向上逐次、分阶段切割，避免划片过程中的劈裂及损伤芯片；混合键合结构的表面因图形化的光阻层的保护而不被污染及破坏，实现有效的晶圆划片。
划片方法

[发明专利]芯片晶圆的堆叠方法-CN202011452333.X在审
发明人：陈坦林;郭万里;刘天建 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片晶圆的堆叠方法，包括：提供待处理晶圆，所述待处理晶圆包括衬底、位于所述衬底上的介质层和嵌设于所述介质层中的金属层；形成键合层，所述键合层覆盖所述介质层；从所述待处理晶圆上拾取待键合的芯片，将所述待键合的芯片排列在静电吸盘上；将所述静电吸盘上排列后的所述芯片作为一个整体与所述待键合的晶圆键合。将所有待键合的芯片预先排列在静电吸盘上，将所述静电吸盘上排列后的所述芯片作为一个整体与所述待键合的晶圆键合，可极大减少活化后，芯片与晶圆键合的等待时间，降低活化失效的风险。将所有待键合的芯片预先排列在静电吸盘上，然后作为一个整体进行键合的方式比在键合的同时进行排列分布效率更高。
芯片堆叠方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202011452351.8在审
发明人：王瑞磊;郭万里;周云鹏;占琼;刘天建 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法，包括：提供一晶圆，晶圆包括衬底、位于衬底上的介质层和嵌设于介质层中的金属层；形成硅通孔，硅通孔贯穿衬底和部分厚度的介质层暴露出金属层；形成连接层，连接层填充硅通孔并与金属层电连接；去除硅通孔中部分深度的连接层；在硅通孔中形成纳米双晶铜层，纳米双晶铜层与连接层电连接。本发明中，半导体器件的混合键合界面包括纳米双晶铜层的顶面，利用纳米双晶铜层的高导电性和抗氧化性，降低了混合界面上金属的氧化速率，解决了混合键合界面上常规铜易氧化的问题。减少工艺流程，从而实现有效的高质量混合键合界面，提高键合工艺的生产力。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]芯片键合方法-CN202011473320.0在审
发明人： 郭万里;刘天建 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种芯片键合方法，通过在器件晶圆的正面临时键合第一载片晶圆，可以在器件晶圆的背面形成背连线结构，以将器件晶圆中的互连结构从器件晶圆的背部引出，通过在器件晶圆的背面键合第二载片晶圆，可以将第一载片晶圆解键合，在将器件晶圆与第二载片晶圆解键合后先保留第二键合胶，第二键合胶可以在后续对器件晶圆进行划片时保护器件晶圆的背面，防止划片过程中产生的颗粒物或刻蚀副产物附着在器件晶圆的背面上，后续去除第二键合胶时可同步去除第二键合胶上的颗粒物或刻蚀副产物，保证了划片后产生的单个芯片的背面的洁净度，可提高将芯片的背面键合至目标晶圆上的键合效果。
芯片方法

[发明专利]一种环卫垃圾车上料机构-CN202011101374.4有效
发明人：任寿宽;耿文定;郭万里 -专利权人：扬州市广源机械钣金有限公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： B65F3/04 文献下载
摘要：本发明提供一种环卫垃圾车上料机构，上料架、旋转件、翻转件和夹持件；上料架包括架本体、安装于架本体上的十字形的传动轴，传动轴的横臂两端分别安装于架本体的轴承内，横臂的一端安装翻转件，翻转件可驱动传动轴带动夹持件整体向上翻转；传动轴的纵臂底部安装旋转件，纵臂的顶部旋转式连接夹持件，夹持件连接旋转件，旋转件可驱动夹持件相对于纵臂于水平面内摆动；夹持件包括枢接于纵臂顶部的连接臂、固接连接臂的支座和安装于支座上且由第一驱动装置驱动而相向或者相背旋转的一对夹臂，一对夹臂相向移动可夹持垃圾桶。本发明可解决左舵驾驶的垃圾车上料机构无法准确匹配垃圾桶的位置，导致垃圾桶的上料效率低、操作繁琐费力的问题。
一种环卫垃圾车上机构

[发明专利]一种用于氧化铝掺活性炭的混合工艺-CN202210229396.1在审
发明人：郭晓琛;郭万里;梁雪飞;朱小龙;卢效勤;郭超冰;杨凡;袁野 -专利权人：山西炬华新材料科技有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： B01J20/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于氧化铝掺活性炭的混合工艺，涉及微孔材料技术领域，解决了现有活性炭材料存在微孔结构单一、孔径小、孔道易堵的问题，一种用于氧化铝掺活性炭的混合工艺，包括以下质量百分比计算的原料：氧化铝30～70％、活性炭30～70％和粘结剂15～35％，各原料组分的质量百分比之和为100％，所述氢氧化铝和活性炭的形态均为粉末，本发明通过将活性炭与氢氧化铝粉末的相互搅拌，利用氢氧化铝胶体的可成型性，通过烧结将活性炭牢固而均匀地固定在活性氧化铝之中，实现活性炭与活性氧化铝的完美结合，解决了活性炭强度低、使用寿命短等问题，同时设计的预搅拌机构，实现对原料的预先搅拌及粘结剂水溶液混合后的再次搅拌，使用效率更高。
一种用于氧化铝活性炭混合工艺