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[发明专利]具有高整流比的非对称MSM隧道结二极管及其制备方法-CN202310067915.3在审
发明人：田博博;冯光迪;郝胜兰;朱秋香;段纯刚 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高整流比的非对称MSM隧道结二极管及其制备方法，包括第一金属层、绝缘层、第二金属层和半导体层，第一金属层被配置为下电极，并具有正面和反面；绝缘层被配置为成型于第一金属层正面上，同时第一金属层正面的部分区域未被所述绝缘层覆盖、以形成为半导体沟道成型区域；第二金属层被配置为上电极，其成型于绝缘层背向第一金属层的正面上，同时第二金属层完全覆盖住绝缘层的正面；半导体层被配置为成型于半导体沟道成型区域与第二金属层朝向所述半导体沟道成型区域的一侧壁之间。该非对称MSM隧道结二极管具有超高的整流比、及宽温度工作范围等优点，且其制备方法简单、成本低，易于实施，安全、环保。
具有整流对称 msm 隧道二极管及其制备方法

[发明专利]高发光热稳定性的Eu-Bi共掺杂钨青铜结构发光铁电陶瓷材料及其制备方法-CN201710577431.8有效
发明人：魏灵灵;郝胜兰;杨祖培;晁小练 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高发光热稳定性的Eu‑Bi共掺杂钨青铜结构发光铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料的结构通式为Sr_1.90Ca_0.15Na_0.81‑3xEu_yBi_xNb₅O₁₅，其中x的取值为0.003～0.008、y的取值为0.02～0.06，其采用传统高温固相法制备而成，制备方法成本低廉，操作方便。本发明通过在陶瓷材料中掺杂Eu和Bi，不但使其具有发光性能，且显著提高了其发光热稳定性，并改善了其介电铁电性能，其中x＝0.005、y＝0.03时，其发光热稳定性为67％，最大介电常数为1345、居里温度为272℃、剩余极化强度为4.29μC/cm²、矫顽场为21.41kV/cm。
高发光热稳定性 eu bi 掺杂青铜结构发光陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种高介电性能的Eu³⁺掺杂铌酸锶钙钠发光铁电陶瓷材料及其制备方法-CN201710577430.3有效
发明人：魏灵灵;郝胜兰;杨祖培;晁小练 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电性能的Eu³⁺掺杂铌酸锶钙钠钨青铜发光铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料的结构通式为Sr_1.90Ca_0.15Na_0.90‑3xEu_xNb₅O₁₅，其中x的取值为0.02～0.06。本发明通过配料、预烧、球磨、造粒、压片、烧结等传统固相的工艺步骤制备Sr_1.90Ca_0.15Na_0.90‑3xEu_xNb₅O₁₅陶瓷，制备方法成本低廉，操作方便。本发明通过在陶瓷材料中掺杂Eu³⁺，明显提高了其介电、铁电性能，其中x＝0.05时，其最大介电常数为1270、居里温度为263℃、剩余极化强度为6.6μC/cm²、室温介电常数达到1700。除此之外，本发明陶瓷材料还具有良好的光致发光性能，在395nm光激发都能在617nm处有很强的红光发射。
一种高介电性能 eu3 掺杂铌酸锶钙钠发光陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]高透明性和发光热稳定性的Sm³⁺掺杂钨青铜发光铁电陶瓷材料及其制备方法-CN201710577173.3有效
发明人：魏灵灵;郝胜兰;杨祖培;晁小练 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：本发明公开了一种高透明性和发光热稳定性的Sm³⁺掺杂钨青铜发光铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料的结构通式为Sr_1.90Ca_0.15Na_0.90‑3xSm_xNb₅O₁₅，其中x的取值为0.005～0.015，采用传统高温固相法制备而成，制备方法简单、成本低廉，便于规模化生产。本发明通过在陶瓷材料中掺杂Sm³⁺，显著提高了其透光率，在可见光区的透光率可达到51％，其介电、铁电性能也有所提高，当x＝0.10时，其最大介电常数为1759、居里温度为289℃、室温介电常数达到2096。而且本发明陶瓷材料在蓝紫外光λ＝406nm激发下发射出很强的橙红光，发光热稳定性很好，在150℃时仍有80％。
发光热稳定性陶瓷材料制备铁电陶瓷材料掺杂高透明性透光率钨青铜室温介电常数固相法制备规模化生产紫外光传统高温结构通式介电常数可见光区铁电性能橙红光介电发射激发