专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种NaYF4-CN201910749923.X有效
  • 郝树伟;朱钰妍;杨春晖;罗瑞泉 - 哈尔滨工业大学
  • 2019-08-14 - 2022-04-12 - B01J27/132
  • 一种NaYF4:Yb/Er@MoS2核壳结构微米晶及其制备方法,本发明涉及上转换@二维半导体材料及其制备方法。本发明的NaYF4:Yb/Er@MoS2核壳结构微米晶是以Yb3+、Er3+双掺杂NaYF4微米晶为内核并在核外包覆MoS2构成的。制法;将Na2MoO4·2H2O、SC(NH2)2、H2C2O4加入水中制成壳层原液;再将Yb3+、Er3+双掺杂NaYF4微米晶加入到壳层原液中反应,再转入反应釜中进行水热反应,洗净,干燥,得到NaYF4:Yb/Er@MoS2核壳结构微米晶。该核壳结构微米晶结构稳定。可用于光催化领域。
  • 一种nayfbasesub
  • [发明专利]一种增加热传递大尺寸磷化锗锌晶体的生长方法-CN201910358621.X有效
  • 朱崇强;陈亮;雷作涛;杨春晖;郝树伟 - 哈尔滨工业大学
  • 2019-04-30 - 2021-06-08 - C30B11/02
  • 一种增加热传递大尺寸磷化锗锌晶体的生长方法,本发明涉及磷化锗锌晶体的生长方法。本发明是要解决现有的采用垂直布里奇曼法生长的磷化锗锌晶体易开裂,晶体内部出现裂纹、挛晶缺陷的技术问题。本方法:一、将籽晶和ZnGeP2多晶料放入PBN坩埚中,装入石英安瓿中真空封装;二、将石英安瓿放入晶体生长炉中,升温;三、加热使ZnGeP2多晶料和籽晶部分融化;三、籽晶再生长;四、晶体生长;五、降温,得到磷化锗锌晶体。制备过程中通过调节惰性气体的流量及温度对晶体的生长速率及晶体内部热量的散失速率进行调节。该磷化锗锌晶体内部无裂纹、挛晶缺陷,晶体元件的2μm吸收系数降低至0.02cm‑1,可用于大能量激光输出器件中。
  • 一种增加传递尺寸磷化晶体生长方法
  • [发明专利]一种稳固的NaYF4-CN201810957335.0有效
  • 郝树伟;侯月丹;杨春晖 - 哈尔滨工业大学
  • 2018-08-22 - 2021-05-25 - C09K11/85
  • 一种稳固的NaYF4:Yb3+/Er3+@BiOCl核壳结构纳米晶的制备方法,本发明涉及NaYF4:Yb3+/Er3+@BiOCl复合材料的制备方法。本发明是要解决现有的NaYF4:Yb3+/Er3+上转换基染料敏化太阳能电池的光电转换效率低的技术问题。本方法:一、配制BiCl3溶液;二、将NaYF4:Yb3+/Er3+加入到BiCl3溶液中反应,得到BiOCl包覆的NaYF4:Yb3+/Er3+纳米晶;三、将BiOCl包覆的NaYF4:Yb3+/Er3+纳米晶烧结,得到稳固的NaYF4:Yb3+/Er3+@BiOCl核壳结构纳米晶。用该纳米晶制备的染料敏化太阳能电池的光阳极,电池效率比未处理的NaYF4:Yb3+/Er3+提高10%~14%,可用于染料敏化太阳能电池中。
  • 一种稳固nayfbasesub
  • [发明专利]一种可视三温区硒化镓单晶生长装置及生长方法-CN201811181541.3有效
  • 朱崇强;陈亮;杨春晖;马天慧;雷作涛;郝树伟 - 哈尔滨工业大学
  • 2018-10-11 - 2021-04-06 - C30B29/46
  • 一种可视三温区硒化镓单晶生长装置及生长方法,它涉及晶体的生长装置及生长方法。本发明是要解决现有的坩埚下降法生长的硒化镓单晶应力分布不均匀、透过率低的技术问题。本发明的置包括外套筒、内套筒、加热电阻丝、环形腔、反射膜、测温热电偶、端盖和保温塞;其中反射膜附于外套筒的内壁;透明材质的外套筒和内套筒之间的环形腔为真空腔,加热电阻丝设置在环形腔中。方法:将硒化镓籽晶放在PBN舟中,并悬空倾斜密封于真空石英管中,将石英管放在生长装置中部,调节三个温区的温度梯度,先将籽晶部分熔化且多晶料全部熔化,然后再降温固化,最后降至室温,得到硒化镓单晶,该单晶的透过率达到64%~66%,可用于民用和国防领域。
  • 一种可视三温区硒化镓单晶生长装置方法

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