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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]制造薄膜晶体管阵列基板的方法-CN201410822308.4有效
发明人：金敏澈;张允琼;朴权植;李昭珩;郑昊暎;柳夏珍;梁晸硕 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：公开了一种制造具有增强可靠性的薄膜晶体管(TFT)阵列基板的方法。所公开的方法包括：形成具有至少一个第一金属层和由铜制成的第二金属层的多层结构；形成第一掩模层，该第一掩模层具有与数据线对应的第一掩模区域和与电极图案对应以与有源层交叠的第二掩模区域；图案化多层结构从而形成由多层结构构成的数据线；图案化第二金属层从而形成由至少一个第一金属层构成的电极图案；形成第二掩模层以暴露出与有源层的沟道区对应的部分电极图案；图案化至少一个第一金属层从而形成由至少一个第一金属层构成的源极和漏极。
制造薄膜晶体管阵列方法

[发明专利]氧化物半导体层的结晶方法、半导体器件及其制造方法-CN201510828832.7有效
发明人：金敏澈;张允琼;朴权植;李昭珩;郑昊暎;柳夏珍;梁晸硕 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2015-11-25 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：氧化物半导体层的结晶方法、半导体器件及其制造方法。所公开的氧化物半导体结晶方法可包括以下步骤：在将基板加热至200℃至300℃的温度的同时，在所述基板上沉积In‑Ga‑Zn氧化物；以及对所沉积的In‑Ga‑Zn氧化物进行热处理，从而形成贯穿其整个厚度结晶的氧化物半导体层。
氧化物半导体结晶方法半导体器件及其制造

[发明专利]薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置-CN201510087849.1有效
发明人：李瑛长;孙庚模;李昭珩;郑昊暎;朴文镐;李成秦 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2015-02-25 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种在相同基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置。本申请提出了一种薄膜晶体管基板，包括基板；设置在基板上的第一薄膜晶体管，包括多晶半导体层、多晶半导体层上的第一栅极电极、第一源极电极以及第一漏极电极；设置在基板上的第二薄膜晶体管，包括第二栅极电极、第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极以及第二漏极电极；包括氮化物层及在氮化物层上的氧化物层的中间绝缘层，所述中间绝缘层设置在第一栅极电极和第二栅极电极之上并在氧化物半导体层之下；以及设置在氧化物半导体层上的蚀刻阻挡层。
薄膜晶体管利用显示装置

[发明专利]薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置-CN201510087375.0有效
发明人：李瑛长;孙庚模;李昭珩;郑昊暎;朴文镐;李成秦 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2015-02-25 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种在相同基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置。本申请提出了一种显示装置，包括第一薄膜晶体管，包括多晶半导体层、所述多晶半导体层上的第一栅极电极、第一源极电极以及第一漏极电极；第二薄膜晶体管，包括第二栅极电极、所述第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极以及第二漏极电极；包括氮化物层及在所述氮化物层上的氧化物层的中间绝缘层，所述中间绝缘层设置在第一栅极电极和第二栅极电极之上并在所述氧化物半导体层之下；以及设置在氧化物半导体层上的蚀刻阻挡层。
薄膜晶体管利用显示装置

[实用新型]薄膜晶体管基板-CN201520116254.X有效
发明人：李瑛长;孙庚模;李昭珩;郑昊暎;朴文镐;李成秦 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2015-02-25 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种在相同基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置。本申请提出了一种薄膜晶体管基板，包括：基板；设置在基板上的第一薄膜晶体管，包括多晶半导体层、多晶半导体层上的第一栅极电极、第一源极电极以及第一漏极电极；设置在基板上的第二薄膜晶体管，包括第二栅极电极、第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极以及第二漏极电极；包括氮化物层及在氮化物层上的氧化物层的中间绝缘层，所述中间绝缘层设置在第一栅极电极和第二栅极电极之上并在氧化物半导体层之下；以及设置在氧化物半导体层上的蚀刻阻挡层。
薄膜晶体管

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