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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]制造CMOS图像传感器的方法-CN200910262536.X无效
  • 郑冲耕 - 东部高科股份有限公司
  • 2009-12-29 - 2010-08-04 - H01L21/82
  • 本发明涉及一种制造CMOS图像传感器的方法，该方法能减小暗电流。该方法包括以下步骤：在半导体衬底上以固定间隔形成多个光电二极管，在包括所述光电二极管的所述半导体衬底的整个表面上形成层间绝缘膜，在所述层间绝缘膜的整个表面上形成硬掩模，在所述硬掩模上形成光致抗蚀剂图案，以暴露与光电二极管区相对的硬掩模区，通过以所述光致抗蚀剂图案作为掩模进行第一蚀刻来蚀刻所述硬掩模，以及通过被这样蚀刻的硬掩模作为掩模进行第二蚀刻，来选择性地蚀刻所述层间绝缘膜。本发明的CMOS图像传感器能够减小暗电流。
  • 制造cmos图像传感器方法
  • [发明专利]图像传感器的制造方法-CN200910262538.9无效
  • 郑冲耕 - 东部高科股份有限公司
  • 2009-12-29 - 2010-08-04 - H01L21/82
  • 本发明公开了一种图像传感器的制造方法。一种图像传感器的制造方法可以包括如下步骤：在具有像素区和/或外围区的半导体衬底上和/或上方形成包括电路的电路区，具有光电二极管。一种方法可以包括如下步骤：在电路区上和/或上方形成金属互连层，该金属互连层可包括位于层间电介质层上和/或上方的金属互连件；在像素区的金属互连层上方形成沟槽；在包括沟槽的金属互连层上和/或上方执行清洗工艺；以及在金属互连层的沟槽的底面上和/或上方形成微透镜。
  • 图像传感器制造方法
  • [发明专利]用于制造CMOS图像传感器的方法-CN200910262539.3无效
  • 郑冲耕 - 东部高科股份有限公司
  • 2009-12-29 - 2010-07-21 - H01L21/82
  • 公开了一种能够提高层间绝缘膜与光致抗蚀剂之间附着力的用于制造CMOS图像传感器的方法。根据本发明的实施例，CMOS图像传感器制造方法包括：在半导体衬底上以恒定的间距形成多个光电二极管；在具有多个光电二极管的整个半导体衬底上形成层间绝缘膜；将光致抗蚀剂施加于整个层间绝缘膜；硬烘烤光致抗蚀剂；对光致抗蚀剂进行曝光和显影，以暴露层间绝缘膜的与光电二极管区对应的部分，由此完成光致抗蚀剂图案；以及利用光致抗蚀剂图案作为掩模，来选择性地蚀刻层间绝缘膜的被暴露部分。本发明能够防止底切，并有效地提高CMOS图像器件的效率。
  • 用于制造cmos图像传感器方法
  • [发明专利]制造CMOS图像传感器的方法-CN200910265669.2无效
  • 郑冲耕 - 东部高科股份有限公司
  • 2009-12-28 - 2010-07-07 - H01L27/146
  • 公开一种制造CMOS图像传感器的方法，其能提高层间绝缘膜与光致抗蚀剂之间的粘附力。所述制造CMOS图像传感器的方法包括以下步骤：以规则的间隔在半导体衬底上形成多个光电二极管；在包括所述光电二极管的半导体衬底的整个表面上形成层间绝缘膜；在所述层间绝缘膜的整个表面上涂覆有机化合物；在所述有机化合物上涂覆光致抗蚀剂；将所述光致抗蚀剂进行曝光和显影，以形成光致抗蚀剂图案，所述光致抗蚀剂图案暴露出与光电二极管区相对的层间绝缘膜；使用所述光致抗蚀剂图案作为掩模来选择性地蚀刻如此暴露的层间绝缘膜的一部分；以及去除所述光致抗蚀剂图案。
  • 制造cmos图像传感器方法
  • [发明专利]制造图像传感器的方法-CN200910224732.8无效
  • 郑冲耕 - 东部高科股份有限公司
  • 2009-11-11 - 2010-06-16 - H01L21/82
  • 一种制造图像传感器及其器件的方法。制造图像传感器的方法包括在半导体衬底上面和/或上方形成包括金属线的层间电介质层。制造图像传感器的方法包括在所述层间电介质层上面和/或上方形成图像感测部，所述图像感测部包括具有第一掺杂层和第二掺杂层的堆叠结构。制造图像传感器的方法包括通过将所述图像感测部和/或所述层间电介质层穿孔，形成暴露所述金属线的通孔。制造图像传感器的方法包括进行清洗工艺。当形成所述通孔时，在所述图像感测部上面和/或上方形成底切，和/或通过所述清洗工艺将自然氧化物层基本从所述底切中去除。
  • 制造图像传感器方法
  • [发明专利]制造图像传感器的方法-CN200910208381.1无效
  • 郑冲耕 - 东部高科股份有限公司
  • 2009-11-12 - 2010-06-16 - H01L21/82
  • 本发明公开一种制造图像传感器的方法和一种图像传感器。制造图像传感器的方法可以包括：在半导体衬底上面和/或上方形成包括金属线的层间电介质；在层间电介质上面和/或上方形成图像感测部；和/或在图像感测部上面和/或上方形成硬掩模，该硬掩模中可以限定对应于金属线的开口。制造图像传感器的方法可以包括：执行蚀刻工艺以形成暴露图像感测部内部的辅助通孔，和/或通过硬掩模的蚀刻副产品在辅助通孔内部形成间隔件。制造图像传感器的方法可以包括：执行包括化学制品的蚀刻工艺以移除间隔件，和/或蚀刻图像感测部和/或层间电介质以形成深通孔。
  • 制造图像传感器方法
  • [发明专利]图像传感器的制造方法-CN200910221301.6无效
  • 郑冲耕 - 东部高科股份有限公司
  • 2009-11-11 - 2010-06-16 - H01L21/822
  • 一种用于形成图像传感器的方法中，可在半导体衬底上方形成层间电介质。层间电介质可包括互连件。可通过在半导体衬底上执行蚀刻工艺而形成穿过层间电介质的导通孔。导通孔暴露互连件。在包括导通孔的半导体衬底上执行第一清洗工艺和第二清洗工艺。通过在导通孔中填充金属材料而形成接触插塞。其中可以在包括互连件和接触插塞的层间电介质上方形成堆叠有第一掺杂层和第二掺杂层的图像感测单元。这里，第一和第二清洗工艺包括通过蚀刻工艺除去在导通孔的侧壁上方形成的残留物。本发明的图像传感器能够将暗电流源减到最小，并且防止饱和度的减小和灵敏度的下降。
  • 图像传感器制造方法
  • [发明专利]图像传感器的制造方法-CN200910204228.1无效
  • 郑冲耕 - 东部高科股份有限公司
  • 2009-10-14 - 2010-06-09 - H01L21/82
  • 在图像传感器的制造方法中，在第一衬底中形成读出电路。在第一衬底上方形成第一层间电介质。在第一层间电介质处形成互连件，并且该互连件电连接到读出电路。在互连件上方形成第二层间电介质。利用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模，通过蚀刻第二层间电介质的一部分，形成暴露互连件上侧的导通孔。在导通孔中形成接触插塞，而留下该光致抗蚀剂图案。然后去除该光致抗蚀剂图案。在接触插塞上方形成图像感测器件。
  • 图像传感器制造方法
  • [发明专利]半导体器件的制造方法-CN200810181721.1无效
  • 郑冲耕 - 东部高科股份有限公司
  • 2008-12-04 - 2009-07-01 - H01L21/336
  • 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。其中一种方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成栅电极；在包括栅电极的半导体衬底上依次形成第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层；干法蚀刻第二氧化物层；湿法蚀刻氮化物层；以及通过将离子注入其上形成有第一氧化物层的半导体衬底中以形成源极区和漏极区。根据该方法，在于半导体衬底中形成栅极间隔件的工艺中，在源极区和漏极区上存留栅极间隔件的氧化物层，然后实施离子注入工艺，从而可以抑制在源极区和漏极区中发生等离子体损坏和漏电。这样，可以提高CMOS图像传感器的器件特性。
  • 半导体器件制造方法
  • [发明专利]半导体器件的制造方法-CN200810181936.3无效
  • 郑冲耕 - 东部高科股份有限公司
  • 2008-11-28 - 2009-06-03 - H01L21/28
  • 公开了一种半导体器件的制造方法，其能够抑制底切发生在形成于浮置栅极和控制栅极之间的介电层中。在一种方法中，在闪存存储器器件中，通过使用氮化物层进行覆盖，可以保护介电层，其中该氮化物层可以作为硬掩模而用于栅极图案化。在另一方法中，通过改变用于蚀刻栅极堆的硬掩模的材料，可以抑制栅极堆的损坏。例如可以将LTO用作硬掩模。本发明能够抑制在介电层中出现底切。
  • 半导体器件制造方法
  • [发明专利]制造LCD驱动IC的方法-CN200810176447.9无效
  • 郑冲耕 - 东部高科股份有限公司
  • 2008-11-11 - 2009-06-03 - H01L21/8234
  • 本发明披露了一种制造LCD驱动IC的方法。该方法包括：通过顺序形成多个栅极绝缘膜和栅电极来在半导体衬底上形成多个栅极图样；顺序沉积覆盖栅电极的多个隔离体材料层；通过在多个隔离体材料层上实施凹蚀工艺来在栅电极的侧壁上形成隔离体以便最下隔离体材料层在半导体衬底上残留；以及通过刻蚀最下隔离体材料层来控制最下隔离体材料层的厚度(或去除最下隔离体材料层)。
  • 制造lcd驱动ic方法
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