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[发明专利]一种固态存储控制器及其监控系统和监控方法-CN201210324847.6在审
发明人： 邹粤林 -专利权人： 邹粤林
申请日： 2012-09-04 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： G06F11/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种固态存储控制器及其监控系统和方法，该固态存储控制器包括：主机接口模块、处理器、缓存器、闪存控制器、闪存接口模块；所述闪存控制器中设置有对所述闪存控制器正在执行或者即将执行的命令进行监控的监控模块；所述监控模块在电源异常情况下，对闪存控制器正在执行的命令进行管理并对即将执行的命令进行处理，只允许执行优先级高的命令；所述监控模块在电源正常情况下，允许闪存控制器执行所有正在执行或即将执行的命令。实施本发明，可以在电源正常的情况下，允许执行所有的命令，在电源异常情况下，对命令进行处理，只允许执行必要的命令，以此达到降低对备用能源的需求，提高备电可靠性的目的。
一种固态存储控制器及其监控系统方法

[发明专利]一种固态存储系统及控制器、提高闪存芯片寿命的方法-CN201210322705.6无效
发明人：张彤;邹粤林 -专利权人： 邹粤林
申请日： 2012-09-04 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明提供一种固态存储系统及控制器，以及一种提高闪存芯片使用寿命的方法，该固态存储系统控制器包括：存储单元块“编程/擦除”次数记录模块，用于实时记录与其连接的每一个闪存芯片内部的每一个存储单元块“编程或擦除”次数；噪音容限估算模块，用于估算某一个存储单元块的存储单元的噪音容限；存储单元阈值电压编程范围设定模块，用于根据噪音容限，以及固态存储系统控制器使用的纠错码的纠错强度，调整存储单元阈值电压编程范围；闪存芯片编程参数设定模块，用于根据存储单元阈值电压编程范围设定模块调整后的存储单元阈值电压编程范围，调整闪存芯片在编程过程中的参数。实施本发明，可切实有效提高闪存芯片的使用寿命。
一种固态存储系统控制器提高闪存芯片寿命方法

[发明专利]一种提高闪存芯片纠错码使用效率的方法、系统及控制器-CN201210372642.5无效
发明人： 邹粤林;张彤 -专利权人： 邹粤林
申请日： 2012-09-29 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高闪存芯片纠错码使用效率的方法，包括：在用户写入数据时，首先对待写入数据的每一帧数据依次进行纠错码编码操作，以得到纠错码编码帧数据，然后在二维写缓存器模块中写进、暂存、读出纠错码编码帧数据，最后在对读出的纠错码编码帧数据指定了闪存芯片的存储页面后，将纠错码编码帧数据写入指定的存储页面；在用户读取数据时，首先在二维读缓存器模块中写进、暂存、读出从存储页面读取的数据帧，然后对读出的数据帧进行纠错码解码操作，以得到对应的原始用户数据。本发明同时公开了一种固态存储系统及其控制器。本方法、系统及其控制器提高纠错码使用效率时简单方便，实现成本小，且更能优化固态存储系统的可靠性和使用寿命。
一种提高闪存芯片纠错码使用效率方法系统控制器

[发明专利]提高闪存芯片缺陷容忍度的方法、闪存存储系统及其控制器-CN201210322796.3无效
发明人：张彤;邹粤林 -专利权人： 邹粤林
申请日： 2012-09-04 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高闪存芯片缺陷容忍度的方法，其中每一闪存芯片包括多个闪存页面，该方法包括步骤：实时检测记录每一闪存芯片的闪存页面的最长数据保持时间；根据记录的每一闪存芯片的闪存页面的最长数据保持时间，将接收到的用户数据并按照用户数据所需的最长数据保持时间而写入相应的可用的闪存页面。本发明还公开了一种闪存存储系统及其控制器。采用本发明实施例，能够有效地利用有限的编码冗余来容忍缺陷信息存储单元，并提高闪存芯片的缺陷容忍度以及闪存芯片页面利用率。
提高闪存芯片缺陷容忍度方法存储系统及其控制器

[发明专利]提高闪存芯片写入速度的方法、闪存存储系统及其控制器-CN201210322819.0无效
发明人：张彤;邹粤林 -专利权人： 邹粤林
申请日： 2012-09-04 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高闪存芯片写入速度的方法，其中每一闪存芯片封装体内设有闪存芯片和加热芯片，且每一闪存芯片具有多个存储单元，该方法包括：在编程/擦除闪存芯片的存储单元之后检测所述存储单元的噪音容限；当所述闪存芯片的存储单元的噪音容限过差以致无法保证当前的数据写入速度时，启动所述闪存芯片封装体内的加热芯片以对所述闪存芯片进行修复。本发明还公开了一种闪存存储系统及其控制器。采用本发明实施例，能够有效地利用闪存芯片存储单元的自恢复特性而提高数据写入速度，且实现过程简单、易行。
提高闪存芯片写入速度方法存储系统及其控制器

[发明专利]利用数据可压缩性提高固态硬盘响应速度的方法、装置及系统-CN201210322864.6无效
发明人：张彤;邹粤林 -专利权人： 邹粤林
申请日： 2012-09-04 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用数据可压缩性提高固态硬盘响应速度的方法、装置及系统。本发明提供的用于提高固态硬盘响应速度的固态存储系统控制器，包括：数据无损压缩模块，用于所接收的用户数据进行无损压缩操作；LDPC码率控制器，用于对无损压缩数据进行分析，获取最低可能的LDPC码率；可编程LDPC码编码器，对无损压缩后的数据进行LDPC码编码保护；可编程LDPC码解码器，对该数据进行解码；以及数据无损解压模块，将解码结果进行数据解压以恢复原始用户数据。本发明可有效地利用数据本身的可压缩性来降低LDPC纠错码对闪存芯片读数据软判决操作的依赖性，进而达到固态存储系统最充分地利用LDPC纠错码的纠错功能并同时保持运行速度不受影响的目的。
利用数据压缩性提高固态硬盘响应速度方法装置系统

[发明专利]提高闪存芯片存储单元利用率的方法、装置和系统-CN201210322778.5无效
发明人：张彤;邹粤林 -专利权人： 邹粤林
申请日： 2012-09-04 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： G06F11/08 文献下载
摘要：本发明公开一种利用数据可压缩性提高闪存芯片存储单元利用率的方法、装置及系统。本发明的固态存储系统控制器包括：数据无损压缩模块，对所收到的用户数据进行无损压缩操作以减小数据量；存储单元块“编程／擦除”次数记录模块，用于实时记录所有闪存芯片中所有存储单元块经历过的“编程／擦除”次数；闪存页面缺陷信息存储单元个数跟踪模块，实时跟踪并记录每一闪存页面内所含的缺陷信息存储单元个数；闪存页面选择模块，用于决定将当前用户数据写入哪一个闪存物理页面；纠错码编码选择模块，选择纠错码编码方式。本发明可有效利用数据本身的可压缩性来容忍缺陷信息存储单元，使固态存储系统最充分地使用所有闪存芯片存储单元以延长使用寿命。
提高闪存芯片存储单元利用率方法装置系统

[发明专利]提高闪存芯片内部数据拷贝速度的方法、闪存存储系统及其控制器-CN201210394447.2无效
发明人：张彤;邹粤林 -专利权人： 邹粤林
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高闪存芯片内部数据拷贝速度的方法，其中每一闪存芯片具有多个存储块，每个存储块包括多个页面，该方法包括步骤：检测待拷贝页面当前的最差情况下的噪音容限，并根据所述最差情况下的噪音容限获得所述待拷贝页面当前的最大比特错误率；检测所有闪存芯片内是否存在至少一个可用的拷贝目标页面，使所述拷贝目标页面当前的最大比特错误率和待拷贝页面当前的最大比特错误率累加后的比特错误率能够为所使用的纠错码容忍；若是，则将待拷贝页面的数据直接读出并拷贝到任一所述拷贝目标页面内。本发明还公开了一种闪存存储系统及其控制器。本发明能够有效地利用闪存芯片存储单元的工作特性来降低转换层固件运行时对固态存储系统运行速度的影响，且实现过程简单、易行。
提高闪存芯片内部数据拷贝速度方法存储系统及其控制器

[发明专利]利用数据有限寿命提高闪存芯片写入速度的方法、系统及其控制器-CN201210372573.8无效
发明人：张彤;邹粤林 -专利权人： 邹粤林
申请日： 2012-09-29 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用数据有限寿命利用数据有限寿命提高闪存芯片写入速度的方法，其中闪存包括多个闪存芯片，每一闪存芯片包括多个闪存页面，该方法包括步骤：实时监测闪存的可用存储空间的大小；当监测到当前闪存的可用存储空间大于预设的阈值时，将接收到的新的有效数据写入互不相邻的闪存页面内；当监测到当前闪存的可用存储空间小于预设的阈值时，将接收到的新的有效数据写入存有无效数据的闪存页面的相邻的闪存页面内。本发明还公开了一种闪存存储系统及其控制器。采用本发明实施例，能够有效地利用实际应用中数据寿命期存在较大差异的特性而提高数据写入速度，且实现过程简单、易行。
利用数据有限寿命提高闪存芯片写入速度方法系统及其控制器

[发明专利]提高闪存芯片存储效率的方法、闪存存储系统及其控制器-CN201210379105.3无效
发明人： 邹粤林;张彤 -专利权人： 邹粤林
申请日： 2012-10-09 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高闪存芯片存储效率的方法，其中每一闪存芯片包括多个闪存页面，该方法包括步骤：实时检测估算每一闪存芯片的闪存页面所能保证的最长数据保持时间，并与所述闪存页面的最长数据保持时间标定值对比以将所述闪存页面记录为安全页面、危险页面或坏页面；将接收到的用户数据写入可用的且记录为安全页面的闪存页面，在没有可用的安全页面的情况下才将接收到的用户数据写入可用的且记录为危险页面的闪存页面，记录为坏页面的存储页面禁止写入数据。本发明还公开了一种闪存存储系统及其控制器。采用本发明实施例，能够有效地提高闪存页面的存储利用率，且实现过程简单、易行。
提高闪存芯片存储效率方法存储系统及其控制器

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