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[发明专利]一种图像传感器的封装结构和方法-CN202211342909.6有效
发明人：吕军;邵长治;金科 -专利权人：苏州科阳半导体有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种图像传感器的封装结构和方法，首先在传感器晶圆上使用晶圆级工艺制备挡墙，再将传感器晶圆切割成芯片，再将芯片黏贴到基板上并完成金属线连接后，在挡墙外围涂布高于挡墙的粘接剂，利用透光板与施加在其上面的压力使高于挡墙高度的粘接剂流延到挡墙上表面与透光板之间，实现透光板与挡墙的粘结与密封。挡墙具有一定的硬度和强度，为盖透光板提供刚性支撑，使产品的玻璃倾斜度控制更好，提高传感器的成像质量。所述挡墙采用晶圆级工艺制备而成，形式多样，加工精度高，提升了支撑体的最小宽度和高度加工尺寸以及均匀性水平，能够降低空腔的高度，减小产品空腔内体积，提高可靠性特性。
一种图像传感器封装结构方法

[实用新型]晶圆级芯片的凸块封装架构-CN201420179669.7有效
发明人：俞国庆;邵长治;廖周芳;吴超;徐天翔;叶义军;詹亮;陈建江 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2014-04-14 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶圆级芯片的凸块封装架构，包括作业芯片，所述作业芯片包括表层焊垫和表面钝化层；所述作业芯片的每一颗表层焊垫上生长有一根金属线；所述金属线与表层焊垫的键合点呈金属球结构；所述金属线的线弧与所述表层焊垫完全垂直；所述金属线的端部植有作为对外电性或者信号连接层的金属球。本实用新型弥补凸块结构的性能不足，并且解决了投资巨大、生产成本较高的问题。
晶圆级芯片封装架构

[发明专利]叠层芯片的晶圆级凸块圆片级封装方法-CN201410148461.3在审
发明人：俞国庆;邵长治;施桑桑;严怡媛;吴伟峰;罗立辉 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2014-04-14 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种叠层芯片的晶圆级凸块圆片级封装方法，包括选择作业芯片；在每个表层焊垫上用引线键合技术进行金属线键合，在金属线键合过程中，在金属线一端进行烧球形成金属球结构，将金属球结构共晶在表层焊垫上，实现结合；对金属线的线弧进行设置，使得金属线的线弧与所述表层焊垫相互垂直，线弧达到设定高度后直接将金属线熔断形成不规则的金属端部；在作业芯片上涂覆环氧树脂胶，使得环氧树脂胶完全覆盖金属端部，并对环氧树脂胶进行烘烤固化；对烘烤固化后的环氧树脂胶进行研磨，将不规则的金属端部去除，形成圆形的金属截面；在金属截面上进行植球工艺。本发明弥补凸块结构的性能不足，并且解决了投资巨大、生产成本较高的问题。
芯片晶圆级凸块圆片级封装方法

[发明专利]叠层芯片的晶圆级凸块圆片级封装架构-CN201410148410.0在审
发明人：俞国庆;邵长治;廖周芳;吴超 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2014-04-14 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明涉及一种叠层芯片的晶圆级凸块圆片级封装架构，包括作业芯片，所述作业芯片包括表层焊垫和表面钝化层；所述作业芯片的每一颗表层焊垫上生长有一根金属线；所述金属线与表层焊垫的键合点呈金属球结构；所述金属线的线弧与所述表层焊垫完全垂直；所述金属线的端部植有作为对外电性或者信号连接层的金属球。本发明弥补凸块结构的性能不足，并且解决了投资巨大、生产成本较高的问题。
芯片晶圆级凸块圆片级封装架构

[实用新型]一种叠层芯片的晶圆级铜凸块封装结构-CN201320824437.8有效
发明人：俞国庆;邵长治;严怡媛;陈俊飞 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2013-12-12 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型涉及叠层芯片的晶圆级铜凸块封装结构，包括第一硅承载层和第二硅承载层组成的叠层芯片，第二硅承载层铺设在第一硅承载层的底部形成凸起区域；第一硅承载层的底部和凸起区域上均生长有电性隔绝层，并留有第一开口和第二开口；第一开口中设有第一电性连接点；第二开口中设有第二电性连接点；电性隔绝层上生长有光阻层；光阻层上生长有金属层；金属层覆盖第一电性连接点和第二电性连接点；第一电性连接点上通过多次电镀形成第一铜凸块；第二电性连接点上通过多次电镀形成第二铜凸块；第一铜凸块和第二铜凸块顶部处于同一水平面；第一铜凸块和第二铜凸块的顶部生长有等高度的金属球。本实用新型能够保证在倒装焊的过程中更好地连接。
一种芯片晶圆级铜凸块封装结构

[实用新型]一种带有支撑保护结构的封装结构-CN201320708064.8有效
发明人：俞国庆;邵长治;谢皆雷;廖周芳;吴超;罗立辉;吴伟峰;严怡媛 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带有支撑保护结构的封装结构，封装结构至少包括两层芯片，两层芯片之间实现互连，并且在其中一层芯片上引出对外的接口，第二层芯片通过堆叠结构堆叠在第一层芯片上，并在第一层芯片和第二层芯片之间形成密闭的空腔。本实用新型实现了多层芯片的晶圆级堆叠封装，提升了封装的信赖性及稳定性，芯片间形成的密封的空腔增加了多种保护选择，并且此种垂直连接缩短了连线距离，对功耗要求较低的功率芯片及电源管理芯片提供了解决方案，降低了信噪比，同时有助于减小多层芯片的外形尺寸，提供了更高的空间利用率及更高的电性互连密度。
一种带有支撑保护结构封装

[发明专利]一种叠层芯片的晶圆级铜凸块封装结构-CN201310682395.3在审
发明人：俞国庆;邵长治;谢皆雷;廖周芳;吴超;罗立辉;吴伟峰 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2013-12-12 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：发明涉及一种叠层芯片的晶圆级铜凸块封装结构，包括第一硅承载层和第二硅承载层组成的叠层芯片，第二硅承载层铺设在第一硅承载层的底部形成凸起区域；第一硅承载层的底部和凸起区域上均生长有电性隔绝层，并留有第一开口和第二开口；第一开口中设有第一电性连接点；第二开口中设有第二电性连接点；电性隔绝层上生长有光阻层；光阻层上生长有金属层；金属层覆盖第一电性连接点和第二电性连接点；第一电性连接点上通过多次电镀形成第一铜凸块；第二电性连接点上通过多次电镀形成第二铜凸块；第一铜凸块和第二铜凸块顶部处于同一水平面；第一铜凸块和第二铜凸块的顶部生长有等高度的金属球。本发明能够保证在倒装焊的过程中更好地连接。
一种芯片晶圆级铜凸块封装结构

[发明专利]一种叠层芯片的晶圆级铜凸块封装方法-CN201310683547.1有效
发明人：俞国庆;邵长治;廖周芳;吴超;徐天翔;叶义军;詹亮;陈建江;吴豪豪 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2013-12-12 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：发明涉及叠层芯片的晶圆级铜凸块封装方法，应用了铜凸块的多次分布，以达成凸起区域上的铜凸块和芯片底部铜凸块的高度一致，并且运用了雾化光阻涂布技术，保证了凸起区域侧壁的光阻覆盖性。使用铜凸块作为对外电性连接，可以在更小的芯片尺寸上排布更多的电性连接点，使单位面积内电性连接点排布更为密集，从而得到集成度更高、串扰更小、噪声更低的封装模块、制造成本也大幅度降低。本发明能够保证在倒装焊的过程中更好地连接。
一种芯片晶圆级铜凸块封装方法

[发明专利]一种微陀螺仪及其加工制造方法-CN201210250559.0有效
发明人：孙博华;田晓丹;孙明;王琳;覃昭君;周源;邵长治;郭伟恒 -专利权人：水木智芯科技（北京）有限公司
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： G01C19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种体硅作为感应电极板和通道的微陀螺仪及其加工制造方法，包括硅衬底上基板（12）、硅衬底下基板（1）、可动结构层（8）以及引线，所述的微陀螺仪由体硅电容感应极板和体硅导电通道结构构成，所述的硅衬底上基板（12）和硅衬底下基板（1）之间采用键和连接结构，所述的引线为分布在硅衬底上基板（12）中间部位的第一金属互联窗口（18）和第二金属互联窗口（19），制造顺序分为，硅衬底下基板制造，下基板和可动层制造，硅衬底上基板制造，上下基板键和连接以及引线四部分，本发明工艺步骤少，便于控制，并且减少生产线金属沾污的次数。
一种陀螺仪及其加工制造方法

[发明专利]一种带有支撑保护结构的封装方法-CN201310554998.5在审
发明人：俞国庆;邵长治;谢皆雷;廖周芳;吴超;叶义军;詹亮;徐天翔 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L23/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种带有支撑保护结构的封装方法，该封装方法运用了铜凸点及TSV的技术实现了对接及电性互连，并且应用金属共晶键合的方法，实现了第二层芯片通过堆叠结构堆叠在第一层芯片上，并在第一层芯片和第二层芯片之间形成密闭的空腔，从而得到集成度更高的封装模块。本发明实现了多层芯片的晶圆级堆叠封装，提升了封装的信赖性及稳定性，芯片间形成的密封的空腔增加了多种保护选择，并且此种垂直连接缩短了连线距离，对功耗要求较低的功率芯片及电源管理芯片提供了解决方案，降低了信噪比，同时有助于减小多层芯片的外形尺寸，提供了更高的空间利用率及更高的电性互连密度。
一种带有支撑保护结构封装方法

[发明专利]一种带有支撑保护结构的封装结构-CN201310552044.0在审
发明人：俞国庆;邵长治;谢皆雷;廖周芳;吴超;罗立辉;吴伟峰;严怡媛 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种带有支撑保护结构的封装结构，封装结构至少包括两层芯片，两层芯片之间实现互连，并且在其中一层芯片上引出对外的接口，第二层芯片通过堆叠结构堆叠在第一层芯片上，并在第一层芯片和第二层芯片之间形成密闭的空腔。本发明实现了多层芯片的晶圆级堆叠封装，提升了封装的信赖性及稳定性，芯片间形成的密封的空腔增加了多种保护选择，并且此种垂直连接缩短了连线距离，对功耗要求较低的功率芯片及电源管理芯片提供了解决方案，降低了信噪比，同时有助于减小多层芯片的外形尺寸，提供了更高的空间利用率及更高的电性互连密度。
一种带有支撑保护结构封装

[发明专利]圆片级MEMS惯性器件TSV堆叠封装结构-CN201210015404.9有效
发明人： 邵长治;孙博华;王琳;孙明;郭伟恒;孙雷;田晓丹;周源;覃昭君 -专利权人：水木智芯科技（北京）有限公司
申请日： 2012-01-18 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种对应MEMS产品的基于TSV技术的圆片级封装，芯片尺寸和封装面积比达到1:1，此封装TSV取代传统布线，垂直互连多芯片MEMS器件，缩短了连线距离，使得外形更小的、功能集成度和性能更高的器件成为可能，并且运用其中一个功能性芯片代替原来的外加真空盖板层，在同样实现真空封装的同时，节约了真空盖板层及真空盖板层加工的加工工序。在一个封装中TSV技术采用短而垂直结构来连接多个垂直堆叠的硅芯片，与引线键合或倒装芯片堆叠相比，TSV技术可提供更高的空间效率和更高的连线密度，有助于减小MEMS芯片尺寸，提高其稳定性和性能。
圆片级 mems 惯性器件 tsv 堆叠封装结构

[发明专利]电容式三轴微陀螺仪的硅外延制造方法-CN201110371162.2有效
发明人：孙博华;邵长治;王琳;孙明;周源;覃昭君;王乐;郭伟恒 -专利权人：水木智芯科技（北京）有限公司
申请日： 2011-11-21 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电容式三轴微陀螺仪的加工制造方法，提供两片硅基板及厚多晶硅外延技术，可实现多晶硅可动结构底层电极板检测，可以实现密封腔体内部电性结构和腔体外部电性外连结构的连接及单层金属电性互连和信号传导。互连线路交叉区域，运用表层多晶硅层电性搭桥避开单层金属互连的短接，此电性搭桥通过接地锚点，腔体内外电性连接层、电性外连结构支撑结构实现。本发明相比较传统的SOI工艺及硅玻璃键合工艺成本优势明显，可以在节约一片做结构层的晶圆的基础上，实现圆片级的真空封装。并且多晶硅厚度控制简单，可以实现多种不同的厚度要求。同时减少一层光罩及多步工艺步骤，提升产品稳定性及信赖性。
电容式三轴微陀螺仪外延制造方法

[发明专利]一种电容式三轴微陀螺仪-CN201110354512.4无效
发明人：孙博华;邵长治;王琳;孙明 -专利权人：水木智芯科技（北京）有限公司
申请日： 2011-11-10 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： G01C19/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种电容式三轴微陀螺仪，包括可动结构基板和真空盖板，所述可动结构基板包括：第一硅基板、位于第一硅基板上依次设置的第一氧化绝缘层、第一金属层、导电硅层及第二金属层，其中，导电硅层经图形化处理后至少形成悬空导电桥及梳齿，悬空导电桥的主体悬空于第一金属层与第二金属层之间，两端底部连接第一金属层，顶部的一部分与第二金属层相连；真空盖板包括：第二硅基板、包覆于第二硅基板外侧的第二氧化绝缘层、置于第二氧化绝缘层下方的第三金属层，第三金属层在真空盖板与可动结构基板配合时与第二金属层相连。本实施例解决多层布线技术存在的工艺步骤繁琐及容易由于层线之间的距离过小而影响电性能的问题。
一种电容式三轴微陀螺仪

[实用新型]带有绝缘槽通过结构层的导通结构-CN201220351125.5有效
发明人：孙博华;田晓丹;孙明;王琳;覃昭君;周源;邵长治;郭伟恒 -专利权人：水木智芯科技（北京）有限公司
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带有绝缘槽通过结构层的导通结构，包括衬底基板和金属导线，所述衬底基板和金属导线之间设有一层电性隔离层，所述电性隔离层上有规则图形的突起，所述突起与掺杂多晶硅或是单晶硅的结构层固定连接，所述结构层表面蚀刻有导电通孔，所述导电通孔内含空腔状的二氧化硅绝缘层，所述空腔内填充有导电介质，所述导电介质上端与金属盖子相连接、下端与金属导线相连接，所述金属导线通过所述导电介质、金属盖子、结构层相连通。本实用新型通过结构层的跨越式导电，良好的金半接触，减少一层金属导线层，减少需要的掩膜和相应工艺步骤，并解决了金属交叉走线时引起的寄生电容现象。
带有绝缘通过结构

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