专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]化学机械研磨设备-CN201210260755.6有效
  • 杨阳;邵尔剑;陈洪雷;邱麟;石强 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2012-07-26 - 2016-10-26 - B24B37/005
  • 化学机械研磨设备包括:布置在机械臂保持部分上的反向传感器安装孔、布置在反向传感器安装孔内的机械臂传感器、以及布置在机械臂部分上的检测对象。由于机械臂部分相对于机械臂保持部分的旋转,当机械臂部分上设置的检测对象所形成的扇形的开口部分对应于反向传感器安装孔位置处的机械臂传感器时,安装孔处的机械臂传感器感测到机械臂,从而机械臂传感器发出复位通知信号;而且,处理单元在从机械臂传感器接收到复位通知信号之后才启动对待处理晶圆的化学研磨处理。所以,该改进设计解决了原有机台设计的一个缺陷:当传感器失效时,如果机械臂不在位置机台也不会停止研磨。只有当传感器工作正常而且机械臂位置正确时候机台才可以开始研磨处理。
  • 化学机械研磨设备
  • [发明专利]一种研磨液传送系统的排气系统-CN201210557416.4有效
  • 邵尔剑 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2012-12-20 - 2014-06-25 - B24B57/02
  • 本发明公开了一种研磨液传送系统的排气系统,包含:设置在研磨液箱体上的研磨液输入端阀门、研磨液输出端气控阀门、滚压转子以及研磨液输送软管,所述的研磨液输送软管从研磨液输出端气控阀门接出后绕过滚压转子再接入研磨液输入端阀门,滚压转子将研磨液输送软管中的空气挤出,还包含:输送软管输入端接头,所述的输送软管输入端接头设置在滚压转子和研磨液输入端阀门之间。本发明能够将换装研磨液输送软管时泄漏进入研磨液循环系统中的空气排出,保护了生产设备,大大降低了维修成本,提高了经济效益。
  • 一种研磨传送系统排气
  • [发明专利]研磨垫清洗用高压去离子水喷射装置及化学机械研磨设备-CN201210191268.9无效
  • 陈洪雷;邵尔剑;杨阳 - 上海宏力半导体制造有限公司
  • 2012-06-11 - 2012-09-26 - B08B3/02
  • 本发明提供了一种研磨垫清洗用高压去离子水喷射装置以及化学机械研磨设备。研磨垫清洗喷射装置包括:研磨垫清洗用高压去离子水接入部件,其具有用于接收研磨垫清洗用高压去离子水的研磨垫清洗用高压去离子水接收端口以及接入部件连接端口;角度调节部件,其具有第一连接端口和第二连接端口;以及研磨垫清洗用高压去离子水喷出部件,其具有用于喷出研磨垫清洗用高压去离子水的喷出端口以及喷出部件连接端口;所述研磨垫清洗用高压去离子水接入部件与所述角度调节部件相连接分别通过所述接入部件连接端口和所述第一连接端口以所述角度调节部件能够调节所连接的所述研磨垫清洗用高压去离子水喷出部件的角度的方式相互连接。
  • 研磨清洗高压离子水喷射装置化学机械设备
  • [发明专利]设备报警时的晶圆处理方法及晶圆处理的远程控制方法-CN201110298656.2在审
  • 陈洪雷;邵尔剑;邵军;杨阳 - 上海宏力半导体制造有限公司
  • 2011-09-30 - 2012-04-11 - H01L21/02
  • 本发明提供了一种设备报警时的晶圆处置方法、及晶圆处理的远程控制方法。根据本发明的一种设备报警时的晶圆处置方法包括:设置预定时间;停止晶圆清洗装置;从晶圆清洗装置停止时开始对停止时间进行计时;比较停止时间与预定时间;当停止时间大于或者等于预定时间时打开阀门使得晶圆清洗装置中盛放溶液的容器打开使得溶液流出。当从晶圆清洗装置停止时开始的停止时间大于或者等于预定时间时,可以打开阀门使得晶圆清洗装置中盛放溶液的容器打开使得溶液流出,使得刻蚀停止,从而有效地防止了设备在发生异常状况时由于晶圆保持在盛放化学溶液的容器中而发生晶圆薄膜厚度超出标准范围的风险。
  • 设备报警处理方法远程控制
  • [发明专利]抛光台间清洗晶圆的方法-CN201110057686.4有效
  • 李协吉;李儒兴;邵尔剑;李志国 - 上海宏力半导体制造有限公司
  • 2011-03-10 - 2011-09-14 - B24B55/00
  • 一种抛光台间清洗晶圆的方法,包括:当抛光过程中发生报警后,将吸附晶圆的抛光头向抛光台间45°位置偏转角度θ,使所述晶圆中心偏离抛光台间清洗装置的喷嘴中心线的距离为D,D不大于所述喷嘴向所述晶圆喷射去离子水所形成的清洗死角宽度的1/2;旋转所述抛光头;向所述晶圆喷射去离子水。本发明能解决晶圆转到抛光台间45°位置进行清洗时形成的清洗死角问题,防止了抛光液对晶圆表面的化学腐蚀而产生缺陷,同时也提高了抛光台间清洗装置的清洗效率。
  • 抛光清洗方法

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