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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体基板的处理方法-CN200910137337.6有效
  • 吴孟修;陈永芳;戴煜暐;王嘉庆;温志中;洪傅献;邱颂盛 - 新日光能源科技股份有限公司
  • 2009-04-24 - 2010-10-27 - H01L31/18
  • 一种半导体基板的处理方法，其应用在光电转换模块，处理方法包括下列步骤：提供一半导体基板，其具有两个表面；对半导体基板的至少一个表面进行结构化处理；对半导体基板的所述表面进行扩散；涂布一抗反射层在半导体基板的所述表面；以及机械表面处理半导体基板的两个表面的至少一个表面，且机械表面处理半导体基板的两个表面的至少一个表面的步骤施行在上述任两个连续的步骤之间。因此，经过机械表面处理后的半导体基板的表面能更加粗糙，且同时使原本存在半导体基板内部的缺陷能聚集在半导体基板的表面，并通过后续处理以一并地对聚集在半导体基板的表面的缺陷移除，以提高半导体基板整体的光电转换效率。
  • 半导体处理方法
  • [发明专利]焊料凸块结构及其制作方法-CN200710112022.7有效
  • 张碧兰;游秀美;黄志恭;邱颂盛 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2007-06-21 - 2008-07-02 - H01L21/60
  • 本发明揭示一种焊料凸块结构以及在半导体元件上制作焊料凸块结构的方法。在一实施例中，首先提供半导体衬底，其上具有接合垫以及位于接合垫上的保护层，其具有露出部分接合垫的开口。在接合垫与保护层上形成第一凸块底层金属。在第一凸块底层金属上设置掩模层，其具有露出部分第一凸块底层金属的开口。蚀刻掩模层，以在第一凸块底层金属与掩模层之间的边缘形成凹陷。在掩模层的开口中形成第二凸块底层金属，使第二凸块底层金属填入凹陷与部分的掩模层开口。本发明能够减少焊料凸块结构的底切程度，因此凸块底层金属之间相对不易受损，由此提高了焊料凸块结构的可靠度。
  • 焊料结构及其制作方法
  •  1 
  • 共 3 条
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