专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种噪音吸收墙板-CN201921051243.2有效
  • 吴群燕;邬丽丽 - 嘉兴豪达建设工程有限公司
  • 2019-07-05 - 2020-04-14 - E04C2/284
  • 本实用新型公开了一种噪音吸收墙板,包括内墙板和外墙板,内墙板的两侧侧壁上均对称开设有凹槽,外墙板的两侧均对称固定有固定块,凹槽的侧壁上开设有固定孔,固定块上开设有连接孔且外墙板上开设有通孔,固定块上开设有孔洞,孔洞内穿插设置有卡块,通孔内穿插设置有推块,卡块的一侧开设有斜面一且推块的一端开设有圆弧面,通孔远离连接孔的一端开设有内螺纹,推块的一端开设有外螺纹,固定孔的一侧侧壁上开设有斜面二,卡块远离连接孔的一端开设有斜面三,外墙板和内墙板之间设置有隔音材料层,能对墙板进行拆卸,将其内部的填充物取出和更换,避免墙板更换时需要对整个墙板进行更换,造成资源的浪费,同时该墙板具有良好的隔音效果。
  • 一种噪音吸收
  • [实用新型]一种硅片切割用树脂条结构-CN201420690158.1有效
  • 范猛;张全红;王少刚;邬丽丽;乔柳;崔敏 - 天津市环欧半导体材料技术有限公司
  • 2014-11-17 - 2015-05-20 - B28D5/04
  • 本实用新型提供一种硅片切割用树脂条结构,包括上横部树脂条、下横部树脂条和竖部树脂条,所述上横部树脂条和下横部树脂条结构完全相同,所述上横部树脂条、下横部树脂条和竖部树脂条的上表面均设有弧形凹陷,所述上横部树脂条、竖部树脂条和下横部树脂条顺次连接成“工”型结构。本实用新型具有的优点是:上横部树脂条和下横部树脂条为较宽的树脂条能够有效保护单晶两端的硅片,避免裂片的情况;连接上横部树脂条和下横部树脂条的竖部树脂条为较窄的树脂条,能够降低由于粘结胶以及树脂条引起的切割状态的变化;本实用新型能够既避免由于树脂条过宽造成的产生严重切割线纹的问题,又能够消除由于树脂条过窄造成的单晶两端裂片的情况。
  • 一种硅片切割树脂结构
  • [发明专利]一种硅片切割用树脂条结构-CN201410654186.2无效
  • 范猛;张全红;王少刚;邬丽丽;乔柳;崔敏 - 天津市环欧半导体材料技术有限公司
  • 2014-11-17 - 2015-01-28 - B28D5/04
  • 本发明创造提供一种硅片切割用树脂条结构,包括上横部树脂条、下横部树脂条和竖部树脂条,所述上横部树脂条和下横部树脂条结构完全相同,所述上横部树脂条、下横部树脂条和竖部树脂条的上表面均设有弧形凹陷,所述上横部树脂条、竖部树脂条和下横部树脂条顺次连接成“工”型结构。本发明创造具有的优点是:上横部树脂条和下横部树脂条为较宽的树脂条能够有效保护单晶两端的硅片,避免裂片的情况;连接上横部树脂条和下横部树脂条的竖部树脂条为较窄的树脂条,能够降低由于粘结胶以及树脂条引起的切割状态的变化;本发明创造能够既避免由于树脂条过宽造成的产生严重切割线纹的问题,又能够消除由于树脂条过窄造成的单晶两端裂片的情况。
  • 一种硅片切割树脂结构
  • [实用新型]一种立式硅单晶热处理炉-CN201420578066.4有效
  • 王彦君;王刚;张雪囡;崔敏;邬丽丽;高树良 - 天津市环欧半导体材料技术有限公司
  • 2014-09-30 - 2015-01-21 - C30B33/02
  • 本实用新型提供了一种立式硅单晶热处理炉,属于半导体单晶的热处理炉领域,包括变压器、控制系统和热处理单元,热处理单元为两个,对称设置在变压器和控制系统的两边,热处理单元包括载料机构和热处理机构,载料机构包括物料托盘和载料驱动装置,载料驱动装置可以驱动物料托盘上下移动;热处理机构包括炉体和石英管,石英管安装在炉体内部,石英管的下端设有一开口,炉体的中部区域为工作区,炉体下端的两侧安装有气源的进气口和排气口。本实用新型采用立式结构,结构简单、使用方便、自动化程度高、占用面积小、适合大直径硅单晶热处理,适于批量生产、工作效率高;并且能充分保证大直径区熔硅单晶辐照缺陷和损伤完全恢复,显示真实电参数。
  • 一种立式硅单晶热处理

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