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[发明专利]一种FD-SOI衬底的制备方法及SOI器件-CN202311118837.1在审
发明人： 邢永禄;母凤文;郭超 -专利权人：青禾晶元（天津）半导体材料有限公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-09-01 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种FD‑SOI衬底的制备方法及SOI器件，所述制备方法包括：提供衬底a；提供依次经第一热氧氧化处理和离子注入的衬底b；将衬底a和衬底b进行键合，之后进行裂片，得到FD‑SOI结构衬底；对FD‑SOI结构衬底依次进行第二热氧氧化、酸蚀、抛光和离子束刻蚀，得到含顶膜的FD‑SOI衬底；本发明提供的FD‑SOI衬底的制备方法，通过对制备过程进行设计，并借助特定的参数控制，实现了高质量顶膜FD‑SOI衬底中高质量顶膜的制备，制备所得顶膜厚度可达FD‑SOI顶膜的要求，膜厚均匀性≤10Å，粗糙度Ra≤0.2nm。
一种 fd soi 衬底制备方法器件

[发明专利]一种太阳能电池及其制作方法-CN201911251295.9有效
发明人：吴真龙;何胜;邢永禄;郭文辉;李俊承 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池及其制作方法，太阳能电池包括：依次层叠设置的第一子电池、第二子电池和第三子电池；位于第一子电池与第二子电池之间的第一隧穿结；位于第一隧穿结与第二子电池之间的变质缓冲层；位于第二子电池与第三子电池之间的第二隧穿结；变质缓冲层包括至少一层窗口层、一层过冲层和至少一层第一子缓冲层；每层子缓冲层均位于第一子电池和过冲层之间，沿第一子电池至第二子电池的方向，每层子缓冲层的晶格常数递增；过冲层位于最接近第二子电池的子缓冲层和最接近第一子电池的窗口层之间，过冲层的晶格常数大于第二子电池的晶格常数；每层窗口层均位于过冲层和第二子电池之间。
一种太阳能电池及其制作方法

[发明专利]一种具有布拉格反射层的多结太阳电池及制作方法-CN201911002532.8有效
发明人：吴真龙;何胜;郭文辉;邢永禄 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L31/054 文献下载
摘要：本申请提供了一种具有布拉格反射层的多结太阳电池及制作方法，通过设置在第一方向上由交叠设置的低折射率层和高折射率层构成的布拉格反射层，并且所述第二子电池的晶格参数大于等于所述高折射率层的晶格参数；且所述第二子电池的晶格参数小于所述低折射率层的晶格参数，低折射率层和高折射率层形成应力平衡，可以更好的释放残余应力，并且，由于低折射率层和高折射率层具有不同的纳米硬度，形成类似超晶格结构，相比不同晶格常数的同种材质构成的超晶格结构，可以利用其纳米硬度的交替变化可以更有效阻断位错的延伸，进而极大程度的改善了太阳电池的电学性能。
一种具有布拉格反射层太阳电池制作方法

[发明专利]一种太阳能电池及其制作方法-CN201911293258.4有效
发明人：李俊承;吴真龙;何胜;郭文辉;邢永禄 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种太阳能电池及其制作方法，该太阳能电池包括：底电池；第一隧穿结层；背反射层；中电池；第二隧穿结层；顶电池，顶电池包括顶电池基区、位于顶电池基区背离第二隧穿结层一侧的顶电池发射区以及位于顶电池发射区背离顶电池基区一侧的顶电池窗口层；其中，顶电池基区背离第二隧穿结层一侧的表面具有凹槽，使得顶电池的基区和顶电池的发射区之间形成脊型PN结，在太阳能电池的平面面积不变的情况下，增加顶电池中的PN结面积，进而增加顶电池中的收光面积，提高顶电池的电流密度，最终提高所述太阳能电池整体的电流密度及发光效率。
一种太阳能电池及其制作方法

[发明专利]一种具有新型栅线结构的太阳电池及其制作方法-CN201910924837.8在审
发明人：何胜;李俊承;邢永禄;郭文辉;吴真龙 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有新型栅线结构的太阳电池及其制作方法，该太阳电池的栅线结构中，主栅线结构采用环绕在电池片边缘一周的闭环主栅线结构，且连接所有细栅线结构的两端，解决了当出现个别根数的细栅线结构和主栅线结构断开时，未跟主栅线结构连接的细栅线结构收集的光生电流不能被主栅线结构汇集，导致电池整体光生电流减少的问题。
主栅线细栅线光生电流栅线结构闭环电池片边缘结构连接断开根数电池环绕制作

[发明专利]一种四结太阳能电池及其制作方法-CN201910361710.X在审
发明人：李俊承;吴真龙;何胜;邢永禄;郭文辉 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种四结太阳能电池及其制作方法，其中，四结太阳能电池中InGaN电池能够有效的吸收短波光谱能量，进而改善短波的高能粒子对太阳能电池造成影响，使得四结太阳能电池光电转换效率高；其次，GaInP/InGaAs/Ge三结电池为正向生长制备而成，进而减少材料失配造成的缺陷，保证该GaInP/InGaAs/Ge三结电池的可靠性高；以及，对InGaN电池和GaInP/InGaAs/Ge三结电池采用IZO键合层进行键合，进而保证键合处透光性高；此外，键合处采用ITO薄膜作为接触层，在提高欧姆接触的同时，减少对光的反射和吸收情况，保证四结太阳能电池的性能高。
太阳能电池电池键合处光电转换效率短波光谱高能粒子减少材料欧姆接触键合层接触层透光性保证短波键合失配吸收正向制备反射制作生长