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[发明专利]氧化锌基纳米颗粒墨水的提纯方法-CN201710656041.X有效
发明人：谢相伟;曹蔚然;向超宇;邓天旸 -专利权人：深圳TCL工业研究院有限公司
申请日： 2017-08-03 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： C09D11/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化锌基纳米颗粒墨水的提纯方法，采用真空减压分馏方法进行提纯，包括以下步骤：提供氧化锌基纳米颗粒墨水粗品，所述氧化锌基纳米颗粒墨水粗品中含有氧化锌基纳米颗粒的合成溶剂、分离溶剂和墨水溶剂；将氧化锌基纳米颗粒墨水粗品进行真空减压分馏处理。
氧化锌纳米颗粒墨水提纯方法

[发明专利]一种薄膜及其制备方法与应用-CN201711006883.7有效
发明人：向超宇;邓天旸;李乐;张滔;辛征航;张东华 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明公开一种薄膜及其制备方法与应用，所述薄膜由介质和纳米金属颗粒构成，沿所述薄膜的厚度方向，所述纳米金属颗粒的尺寸逐渐增大。本发明提供了一种具有渐变结构的薄膜，沿所述薄膜的厚度方向，所述纳米金属颗粒的尺寸逐渐增大，这样可以获得较为宽广的激发峰。并且激发峰可以调整，针对不同的发光光源，可以应用不同的渐变方式，从而解决短波长容易淬灭的问题。
一种薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种QLED器件及其制备方法-CN201711007092.6有效
发明人：向超宇;邓天旸;李乐;张滔;辛征航;张东华 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开一种QLED器件及其制备方法，包括阳极、量子点发光层及阴极，所述量子点发光层设置在所述阳极与所述阴极之间，其中，所述量子点发光层和所述阴极之间包括薄膜；所述薄膜由N型半导体和纳米金属颗粒组成；沿所述薄膜的厚度方向，所述N型半导体的质量浓度由高到低。所述具有渐变结构的薄膜应用于QLED器件中，可以调节发光峰，增强QLED器件的发光，实现更高效的QLED器件发光效率。
一种 qled 器件及其制备方法

[发明专利]一种复合印章及其制备方法与转印量子点的方法-CN201711019189.9有效
发明人：张滔;向超宇;李乐;辛征航;张东华;邓天旸 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2017-10-26 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： B41K1/04 文献下载
摘要：本发明公开一种复合印章及其制备方法与转印量子点的方法，方法包括步骤：制备印章基架，所述印章基架的材料为形状记忆聚合物；将所述印章基架的支柱压制成第一变形态支柱；将压制后的印章基架的支柱与印章底板共中心轴贴合，得到复合印章。本发明利用复合基架式的印章，能有效调控印章粘附力，提高了薄膜的转印效率，减少了对工艺条件的需求。
一种复合印章及其制备方法量子

[发明专利]薄膜及其制备方法与QLED器件-CN201711007091.1有效
发明人：向超宇;邓天旸;李乐;张滔;辛征航;张东华 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开薄膜及其制备方法与QLED器件，所述薄膜包括叠层设置的第一介质组成的第一介质层、第一金属组成的第一金属层、第二金属与第二介质形成的渐变层；自靠近第一金属层向远离第一金属层的方向上，所述第二介质的质量浓度由低到高。本发明所述薄膜中，所述第一金属层的下表面与所述第一介质层形成突变的界面，所述第二金属与所述第二介质形成渐变的界面，金属两侧可以发生双SPE，通过调节金属和介质，两个SPE可以耦合到一起，从而起到增强的效果。本发明在QLED器件中引入薄膜，可以达到增强QLED器件发光的效果。
薄膜及其制备方法 qled 器件

[发明专利]一种QLED器件-CN201711006886.0有效
发明人：向超宇;邓天旸;李乐;张滔;辛征航;张东华 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开一种QLED器件，包括阳极、量子点发光层及阴极，所述量子点发光层设置在所述阳极与所述阴极之间，其中，所述阳极与所述量子点发光层之间包括由P型半导体和纳米金属颗粒构成的第一薄膜；沿所述第一薄膜的厚度方向，所述P型半导体的质量浓度由低到高。所述具有渐变结构的薄膜应用于QLED器件中，可以调节发峰，增强QLED器件的发光，实现更高效的QLED器件发光效率。
一种 qled 器件

[发明专利]TFT的制备方法、用于制备TFT的墨水及其制备方法-CN201710940281.2有效
发明人：辛征航;向超宇;李乐;张滔;张东华;邓天旸 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于制备TFT的墨水及其制备方法和TFT的制备方法。本发明用于制备TFT的墨水包括如下重量份的组分：有源层材料源组分、栅极绝缘层材料、稳定剂、有机溶剂、水。本发明TFT的制备方法包括的步骤有：将本发明用于制备TFT的墨水在设有栅极的基底上形成涂层，后进行退火处理，在设有栅极的基底上形成依次层叠结合的绝缘层和有源层。本发明墨水能够经过一次涂层处理后进行退火处理，能够形成栅极绝缘层和有源层，从而有效简化TFT的制备工艺步骤。
tft 制备方法用于墨水及其

[发明专利]一种薄膜及其制备方法与QLED器件-CN201711007464.5有效
发明人：向超宇;邓天旸;李乐;张滔;辛征航;张东华 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开一种薄膜及其制备方法与QLED器件，所述薄膜包括层叠设置的第一金属层、第一介质层、第二介质与第二金属形成的渐变层；沿所述渐变层的厚度方向，第二介质的质量浓度由高到低。本发明具有如下好处：（1）第二金属表面的自由电子与发光层发射的光子相互作用，产生沿第二金属表面传播的表面等离子体，它会产生电场，与发光层发射的电磁波产生共振，增强了发光强度，并且能够促进复合发光效率；（2）突变界面形成新的SPE共振，其共振方式和渐变正好相互正交，不但限制了渐变SPE的扩散，还可以把部分能量提供给SPE，使得SPE共振增强。本发明在QLED器件中引薄膜，可以达到增强QLED器件发光的效果。
一种薄膜及其制备方法 qled 器件

[发明专利]基于形状记忆聚合物的转印方法、及其应用-CN201710736412.5有效
发明人：张滔;向超宇;李乐;辛征航;张东华;邓天旸 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于形状记忆聚合物的转印方法，包括以下步骤：提供具有第一微结构的模具，利用所述模具制备表面具有第二微结构的形状记忆聚合物印章初始结构，且所述第一微结构与所述第二微结构互补；将所述形状记忆聚合物印章初始结构加热至高于玻璃化温度且低于黏流温度，在均匀压力的作用下，冷却至玻璃化温度以下，使所述形状记忆聚合物印章的所述第二微结构所在的表面变形成平整表面，得到形状记忆聚合物变形结构；在所述平整表面上沉积功能材料，进行加热处理，加热至高于玻璃化温度且低于黏流温度，使所述形状记忆聚合物变形结构回复到形状记忆聚合物印章初始结构，得到图案化功能薄膜；将所述图案化功能薄膜转印到目标基底上。
基于形状记忆聚合物方法及其应用

[发明专利]量子点薄膜的转印方法-CN201710413745.4有效
发明人：张滔;向超宇;李乐;辛征航;张东华;邓天旸 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2017-06-05 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明属于显示器件领域，提供了一种量子点薄膜的转印方法。本发明提供的量子点薄膜的转印方法，通过在弹性体印章表面生成表面能≥80mN/m的薄层，使得弹性体印章的表面能增加，由此加大了弹性体印章与量子点薄膜的粘附能；在完成第一次转移后，通过对弹性体印章进行淬冷，使得弹性体印章的表面在表面处理后的低温环境中产生微裂纹，而印章内部存在的非极性硅流体会经由这些微裂纹扩散到表面，从而降低了弹性体印章的表面能，减弱了弹性体印章与量子点薄膜的粘附能。由此，通过对弹性体印章前后两次表面处理能够有效提高转印后量子点图案的完整性，同时减少对转印工艺参数的要求，减少工艺成本。
印章量子点薄膜转印表面能微裂纹粘附低温环境工艺成本显示器件印章表面次表面非极性薄层淬冷对转扩散图案

[发明专利]量子点转印方法-CN201711037180.0在审
发明人：张滔;向超宇;李乐;辛征航;张东华;邓天旸 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种量子点转印方法。该量子点转印方法包括如下步骤：提供形状记忆聚合物印章的初始印章，所述初始印章设有初始凸型图案，将所述初始印章进行变形处理，使所述初始凸型图案的印面面积增大并形成形变凸型图案，得到形变印章；提供设置在供体基底表面的量子点初始薄膜，将所述形变凸型图案的印面与所述量子点初始薄膜接触，提取所述量子点初始薄膜材料；将所述形变印章恢复成所述初始印章的形态，使提取的量子点初始薄膜材料与目标基底接触，在所述目标基底上形成量子点图案化膜层。本发明可提高量子点薄膜的密度，并解决量子点薄膜上的孔洞、裂纹缺陷，能进一步有效提高量子点薄膜的光电性能。
量子点印章凸型图案形变薄膜转印薄膜材料目标基印面形状记忆聚合物图案化膜层孔洞薄膜接触变形处理光电性能基底表面裂纹缺陷面积增大供体恢复

[发明专利]一种复合墨水及其制备方法、器件-CN201711007429.3在审
发明人：向超宇;邓天旸;李乐;张滔;辛征航;张东华 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： C09D11/30 文献下载
摘要：本发明公开一种复合墨水及其制备方法、器件，其中，所述复合墨水包括分散在醇类溶剂中的P型纳米金属氧化物颗粒和纳米金属单质颗粒。所述复合材料墨水的粘度、表面张力以及沸点等物理性能能够满足现在的喷墨打印设备，并且所述复合墨水可用于制备二极管发光器件的空穴注入层和/或空穴传输层，所述复合墨水在溶剂退火挥发后，P型纳米金属氧化物颗粒与所述纳米金属单质球形颗粒可以分相，不会导致发光材料的光淬灭；并且所述复合墨水具有表面增强共振效应，能够显著提升发光二极管器件的发光效率。
墨水复合制备纳米金属氧化物纳米金属单质发光二极管器件喷墨打印设备退火空穴传输层空穴注入层二极管表面增强醇类溶剂发光材料发光器件发光效率共振效应球形颗粒物理性能复合材料沸点溶剂淬灭挥发可用

[发明专利]一种复合墨水及其制备方法、器件-CN201711007440.X在审
发明人：向超宇;邓天旸;李乐;张滔;辛征航;张东华 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： C09D11/30 文献下载
摘要：本发明公开一种复合墨水及其制备方法、器件，其中，所述复合墨水包括分散在醇类溶剂中，通过桥接分子连接的纳米金属颗粒和纳米金属氧化物颗粒。所述复合墨水在溶剂退火挥发后，纳米金属氧化物颗粒与所述纳米金属颗粒可以分相，不会导致发光材料的光淬灭；并且所述复合墨水中的纳米金属颗粒具有表面增强共振效应，能够有效提升发光二极管器件的发光效率；同时，所述复合墨水中的桥接分子使得纳米金属颗粒与半导体纳米金属氧化物明显分相，从而防止纳米金属颗粒接触半导体纳米金属氧化物，影响器件整体的能级分布和载流子迁移率。
纳米金属颗粒墨水复合纳米金属氧化物半导体纳米金属氧化物桥接分子制备发光二极管器件能级退火载流子迁移率表面增强醇类溶剂发光材料发光效率共振效应影响器件溶剂淬灭挥发

[发明专利]一种复合墨水及其制备方法、器件-CN201711007453.7在审
发明人：向超宇;邓天旸;李乐;张滔;辛征航;张东华 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： C09D11/30 文献下载
摘要：本发明公开一种复合墨水及其制备方法、器件，其中，所述复合墨水包括分散在醇类溶剂中的纳米金属氧化物颗粒和各向异性的纳米金属颗粒。本发明提供的复合墨水，其粘度、表面张力以及沸点等物理性能能够满足现在的喷墨打印设备；所述复合墨水在溶剂退火挥发后，纳米金属氧化物颗粒与所述各向异性的纳米金属颗粒可以分相，不会导致发光材料的光淬灭；并且所述复合墨水具有表面增强共振效应，能够显著提升发光二极管器件的发光效率。
墨水复合纳米金属氧化物纳米金属颗粒制备发光二极管器件退火喷墨打印设备表面增强醇类溶剂发光材料发光效率共振效应物理性能沸点溶剂淬灭挥发

[发明专利]一种复合墨水及其制备方法、器件-CN201711007083.7在审
发明人：向超宇;邓天旸;李乐;张滔;辛征航;张东华 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： C09D11/38 文献下载
摘要：本发明公开一种复合墨水及其制备方法、器件，其中，所述复合墨水包括分散在醇类溶剂中的N型纳米金属氧化物颗粒和纳米合金颗粒。所述复合墨水的粘度、表面张力以及沸点等物理性能能够满足现在的喷墨打印设备，并且所述复合墨水可用于制备二极管发光器件的电子注入层和/或电子传输层，所述复合墨水在溶剂退火挥发后，N型纳米金属氧化物颗粒与所述纳米合金球形颗粒可以分相，不会导致发光材料的光淬灭；并且所述复合墨水具有表面增强共振效应，能够显著提升发光二极管器件的发光效率。
墨水复合制备纳米金属氧化物纳米合金发光二极管器件喷墨打印设备退火电子传输层电子注入层二极管表面增强醇类溶剂发光材料发光器件发光效率共振效应球形颗粒物理性能沸点溶剂淬灭挥发可用

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