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[发明专利]蓝宝石装甲板制备模具、制备装置及制造工艺-CN202210337194.9在审
发明人：罗平;王庆国;韩建峰;徐军;逯占文 -专利权人：连城凯克斯科技有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种蓝宝石装甲板制备模具、制备装置及制造工艺。该制备模具包括：第一模板以及第二模板；第一模板与第二模板相对设置，第一模板的第一表面与第二模板的第二表面位置相对，第一表面与第二表面之间具有间隙，第一表面与第二表面均为弧面，且第一表面的弯曲方向与第二表面的弯曲方向相同，第一模板与第二模板可拆卸连接；第一模板的一端在间隙的出口处具有第一晶体成型面，第二模板的一端在间隙的出口处具有第二晶体成型面，第一晶体成型面与第二晶体成型面位置相对。
蓝宝石装甲制备模具装置制造工艺

[发明专利]一种坩埚下降可视化接种的晶体生长装置及其方法-CN202211460034.X在审
发明人：徐军;薛艳艳;唐慧丽;房前成;罗平;王庆国;逯占文;李岩;韩建峰 -专利权人：连城凯克斯科技有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种坩埚下降可视化接种的晶体生长装置及其方法，包括单晶炉、坩埚、热场部件、下降装置和支撑装置，坩埚的外侧围绕设置有热场部件，S1：将籽晶安装于籽晶卡槽内；S2：将混匀的高纯原料装入坩埚内并盖上坩埚盖；S3：将坩埚安装在热场部件中心处，通过观察孔微调后热器与坩埚位置，使坩埚底部与籽晶对准；本发明设计的坩埚与观察孔，能够清晰的观察坩埚内部原料熔化后籽晶接种的状态，防止籽晶熔化，并可以及时调整坩埚位置，提高晶体的结晶质量与完整性，节约长晶成本与资源，节省时间；本发明可以在真空或者流动气氛中实现晶体生长，获得高质量氧化物或氟化物等晶体，具有广泛的应用价值。
一种坩埚下降可视化接种晶体生长装置及其方法

[发明专利]一种单晶炉用CDD内置相机-CN202210128702.2有效
发明人：李万朋;逯占文;段世飞;孔亦人;杨永远;李阳 -专利权人：连城凯克斯科技有限公司
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及单晶炉技术领域，具体为一种单晶炉用CDD内置相机，包括外壳、第一密封垫、第二密封垫和CCD相机，所述外壳的上方固定设置有第一密封垫，所述第一密封垫外侧的外壳内固定设置有第二密封垫，所述第二密封垫的内部和第一密封垫的外侧均抓都不敢安装有第二转环，所述第二转环和相邻第二转环之间转动连接有第一转环，第二转环的表面设置有第三密封垫，所述第一转环的表面固定设置有转柄，所述第一转环的内部固定设置有第一转轮。本发明的有益效果是：该单晶炉用CDD内置相机在使用时能够在调节摄像头朝向的同时实现二次密封，提升了装置的使用效果，而且还能够从炉外调节并观察摄像头的摆放角度。
一种单晶炉用 cdd 内置相机

[发明专利]一种连续加料硅单晶炉-CN202210231348.6有效
发明人：李万朋;逯占文;段世飞;孔奕人;杨永远;李阳 -专利权人：连城凯克斯科技有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本发明涉及硅单晶炉技术领域，具体为一种连续加料硅单晶炉，包括第一支撑座，所述第一支撑座的右侧固定设置有连接座，所述连接座的右侧固定设置有第二支撑座，所述第二支撑座的内部转动安装有转盘，所述第一支撑座的表面固定安装有炉体，所述炉体的上方固定安装有出料管，所述出料管的顶端设置有拉晶棒；所述拉晶棒的侧面固定连接有固定杆，所述固定杆端的下方设置有承托杆，所述承托杆右端的下方设置有顶板，所述顶板的底部固定连接有顶块。本发明的有益效果是：该连续加料硅单晶炉，在现有的基础上进行改进，利用装置上的同步加料和拉晶组件，使得装置能够在加料的同时自动拉晶，而且能够对多种不同的材料进行加料和自动补充材料。
一种连续加料硅单晶炉

[发明专利]一种单晶硅制备中排放氩气的回收方法与装置-CN201911250028.X有效
发明人：李灿;李军;黎志欣;逯占文;朱剑;王明升 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所;大连连城数控机器股份有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： B01D53/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅制备工艺中排放氩气尾气的净化回收方法，其主要包括以下：1)净化流程；2)再生流程；3)降温流程和4)置换流程。本发明还公开了对应的氩气回收装置及其工艺。该装置包含有：化学链燃烧反应器(7)，换热器(5)，吸附剂反应器(20)，循环水降温装置(16)和(21)，压缩机(2)，循环风机(27)，空气冷干机(14)，氧分析仪(29)，保温套(8)和(8’)，辅助加热装置(6)以及相应的控制阀门。目前的装置具有工艺流程简单，能耗低，氩气回收率高的优点。
一种单晶硅制备排放回收方法装置

[发明专利]长晶炉-CN202110524237.X有效
发明人：黎志欣;逯占文;胡动力;李占贤 -专利权人：连城凯克斯科技有限公司
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明的目的在于提出一种长晶炉，长晶炉包括坩埚，坩埚用于承载硅液，漏硅检测装置，漏硅检测装置设置在坩埚下方，漏硅检测装置包括：检测线，检测线为导电金属丝，检测线设置在坩埚正下方投影区域，并在坩埚的投影区域进行排布；检测单元，检测单元与检测线的入线端和出线端相连接，用于检测检测线的电性能参数值。通过在坩埚正下方投影区域设置漏硅检测装置，当硅液从坩埚中漏出，会直接滴落在检测线上，检测单元感知到检测线的电性能参数的变化，及时反馈给长晶炉，从而使得漏硅被实时监控，进而避免危险的发生。
长晶炉

[发明专利]一种单晶硅熔炉晶体生长直径预测方法-CN202210644790.1在审
发明人： 逯占文;王学卫;张靖;邢治国;文皓;陈一凡 -专利权人：连城凯克斯科技有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明是一种单晶硅熔炉晶体生长直径预测方法，其基于PSO优化的KNN算法。本发明的优点：针对单晶硅生长过程中直径控制问题，利用了大量不同熔融炉的历史生长数据，并将不同生长阶段划分为不同数据集。为了消除不同数据类型数值差异过大对权重的影响，采用正态归一化方法进行数据增强。输入KNN回归模型优化加权权重。训练结束后，应用阶段可以将晶体生长数据输入回归模型，给出历史相似参数下的生长直径，并预测下一时刻晶体生长直径。利用PSO优化的带权重KNN回归计算模型，实现了晶体生长直径预测功能；对于优化晶体生长直径控制算法、减小直径波动和提高硅晶体质量具有重要意义。
一种单晶硅熔炉晶体生长直径预测方法

[实用新型]用于单晶炉中的距离测量装置及单晶炉-CN202121363376.0有效
发明人：黎志欣;逯占文;胡动力;李军 -专利权人：连城凯克斯科技有限公司
申请日： 2021-06-19 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于单晶炉中的距离测量装置和单晶炉，单晶炉包括炉体，炉体内限定出盛放空间，盛放空间内设置有坩埚，坩埚内承载有溶液，炉体上设置有距离测量装置，距离测量装置包括激光测距仪和原路反射器，激光测距仪和原路反射器分别设置在炉体的中心轴线的两侧；激光测距仪包括激光投射器和激光接收器，激光测距仪相对于炉体的中心轴线以一定的角度将第一投射线投射到溶液的表面上，并经溶液表面反射，形成反射线，反射线达到原路反射器后，原路反射器形成第二返回线将激光沿相同的路径再反射回激光测距仪中，被激光测距仪接收，并由此测量得到激光测距仪与原路反射器的距离。
用于单晶炉中的距离测量装置

[发明专利]一种半导体单晶炉中炉筒升降旋转装置-CN202011281323.4有效
发明人： 逯占文;邢志国;刘海;李扬;綦宗升 -专利权人：连城凯克斯科技有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明属于单晶炉中炉筒升降技术领域，尤其是一种半导体单晶炉中炉筒升降旋转装置，针对现有的单晶炉中炉筒升降旋转装置不能保证中炉筒升降的稳定性的问题，现提出以下方案，包括底板，所述底板的顶部外壁通过轴承连接有转杆，所述转杆的顶端外壁通过螺栓固定有转板，所述转板顶部外壁的两侧均通过螺栓固定有滑竿，所述滑竿的外壁滑动连接有第二滑套，所述第二滑套的外壁通过螺栓固定有升降杆，所述升降杆的顶端外壁通过螺栓固定有滑块。本发明通过两边均设置有电动伸缩杆同时推动两个升降杆移动可以保证中炉筒升降的稳定性，通过固定板和伸缩板的配合可以进一步增强中炉筒升降时的稳定性，同时可以保证中炉筒升降时发生侧翻。
一种半导体单晶炉中炉筒升降旋转装置

[实用新型]一种炉盖发黑处理的单晶生长炉-CN202121611789.6有效
发明人：黎志欣;逯占文 -专利权人：大连连城数控机器股份有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种炉盖发黑处理的单晶生长炉，包括炉体、保温筒、晶棒、水冷热屏、加热器、坩埚、埚帮、炉盖、炉盖吸热层和热屏吸热层；所述水冷热屏本体的内壁发黑处理，能够提高热吸收效果，结晶界面的结晶潜热能快速释放，起到提高拉速潜力作用。由于水冷屏上方空间大，同样存在热量积累，在所述炉盖上做发黑处理，有利于热辐射的热量更快速的释放，晶棒经历热历史温度降低和时间缩短。因此本实用新型能起到提高拉速作用，同时还能起到降低热施主，减少长晶后二次缺陷的产生。
一种发黑处理生长

[发明专利]语义分割模型训练方法、硅熔融状态检测方法及电子设备-CN202110945717.3在审
发明人：邢治国;张靖;逯占文;文皓;徐永胜;刘勇;陈一凡 -专利权人：连城凯克斯科技有限公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： G06K9/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种语义分割模型训练方法、硅熔融状态检测方法及电子设备，训练方法包括：获取至少一种硅原料的多张熔融状态图像；对每张所述熔融状态图像中所述硅原料的熔融状态进行标注，获得标注结果，根据各张所述熔融状态图像和对应的所述标注结果生成数据集；建立基于神经网络的待训练模型，采用所述数据集训练所述待训练模型，获得用于检测硅熔融状态的语义分割模型，所述语义分割模型用于根据所述熔融状态图像输出所述熔融状态图像中各个像素点的类别概率组成的概率图。本发明通过训练语义分割模型，用于检测硅原料的熔融状态，能够减少工作人员的工作量，提高了自动化程度。
语义分割模型训练方法熔融状态检测电子设备

[发明专利]一种用于半导体晶体生产的抛光设备-CN202011281170.3有效
发明人： 逯占文;尹嘉琦;李俣;王胜军;李健 -专利权人：连城凯克斯科技有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于半导体晶体生产的抛光设备，包括支架、定位夹持结构、定点启停结构、固定架、气缸、抛光电机、滑块和导轨；所述支架的顶侧一端安装有定位夹持结构，所述支架的边侧安装有定点启停结构，通过设置定位夹持结构，在气囊的配合下，实现对晶体棒的夹持，在加压时，标量气缸内部同步加压，第二活塞杆在气压下，推动标量指针，在刻度尺的配合下，能够根据标量指针对应的参数，停止第一活塞杆作业，保证晶体棒在稳定夹持的状态下，不会在晶体棒的表面产生挤压痕迹，保证晶体棒表面完好，同时三组气囊同时作业，能够实现对晶体棒固定时，晶体棒的轴心与抛光电机的转轴轴心相同，能够对晶体棒端面抛光的更加的均匀。
一种用于半导体晶体生产抛光设备

[发明专利]一种炉盖发黑处理的单晶生长炉-CN202110809532.X在审
发明人：黎志欣;逯占文 -专利权人：大连连城数控机器股份有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种炉盖发黑处理的单晶生长炉，包括炉体、保温筒、晶棒、水冷热屏、加热器、坩埚、埚帮、炉盖、炉盖吸热层和热屏吸热层；所述水冷热屏本体的内壁发黑处理，能够提高热吸收效果，结晶界面的结晶潜热能快速释放，起到提高拉速潜力作用。由于水冷屏上方空间大，同样存在热量积累，在所述炉盖上做发黑处理，有利于热辐射的热量更快速的释放，晶棒经历热历史温度降低和时间缩短。因此本发明能起到提高拉速作用，同时还能起到降低热施主，减少长晶后二次缺陷的产生。
一种发黑处理生长

[发明专利]一种具有双提拉副室的单晶硅生长炉-CN202110701633.5在审
发明人：李小锋;逯占文;曹玉宝;李万朋 -专利权人：连城凯克斯科技有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有双提拉副室的单晶硅生长炉，包括支架上端设置的单晶炉主体，单晶炉主体旁侧设置有立柱，立柱上部侧面设置有第一旋转升降装置和第二旋转升降装置，第一旋转升降装置连接有长晶副室，第二旋转升降装置连接有加料副室；长晶副室顶部设置有第一提拉装置，长晶副室中部设置有加热装置；加料副室顶部设置有第二提拉装置，第二提拉装置连接有加料器。本发明提供的具有双提拉副室的单晶硅生长炉，采用生长晶体时同步冷却及生长晶体收尾后预加热两种手段，缩短晶体冷却等待时间，采用双提拉副室分别完成生长和加料工作，加料准备不会额外增加时间，与传统方法相比，具有加料整体用时短、加料稳定可靠、设备成本低的特点。
一种具有双提拉副室单晶硅生长

[实用新型]可自动调节放肩工艺参数的单晶炉-CN202021804973.8有效
发明人： 逯占文;王学卫;邢治国;徐永胜;王胜军;张靖 -专利权人：连城凯克斯科技有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明提供一种可自动调节放肩工艺参数的单晶炉，包括：晶体提拉模块、机器视觉直径测量模块和温度控制模块；所述提拉系统包括：转轴、连接在转轴上的绕线轮和一端连接在绕线轮上的软轴；所述软轴的另一端与晶体连接，在拉制单晶的工作过程中，转轴带动绕线轮旋转，使所述软轴与绕线轮相连的一端缠绕在绕线轮上，进而使软轴与晶体相连的一端对晶体进行提拉；所述提拉系统通过驱动电机穿过减速器，进而通过有齿轮齿条机构带动。本发明能使晶体放肩生长过程在整个生长过程中始终保持放肩形状一致，在不同单晶炉内部生长环境下，有效调整放肩生长的工艺参数。
自动调节工艺参数单晶炉

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