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[发明专利]集成电路及其操作方法，存储器，无线装置及设备-CN201110379145.3有效
发明人：陈楠;钟成;迈赫迪·哈米迪·萨尼 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2004-04-02 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路及其操作方法，存储器，无线装置及设备。本发明提供一种CMOS集成电路(例如，SRAM或DRAM)，其被分成一核心块、一外围块和一保留块。所述核心块包括在所有时刻都被通电的电路(例如，存储单元)且直接耦接到电源和电路接地端。所述外围块包括可被通电或断电且通过一个头开关(head switch)耦接到电源和/或通过一个脚开关(foot switch)耦接到电路接地端的电路。可用高阈电压(高Vt)FET装置建构所述开关和所述核心块以减少泄漏电流。可用低Vt FET装置建构所述外围块以进行高速操作。所述保留块包括将信号线(例如，字线)保持在一预定的电平上的电路(例如上拉装置(pull-up device))，以便当所述外围块断电时可保持所述核心块的内部状态。
集成电路及其操作方法存储器无线装置设备

[发明专利]减少存储器装置中的泄漏电流-CN201080005309.X有效
发明人：陈南;迈赫迪·哈米迪·萨尼;里图·哈巴 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2010-02-02 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： G11C17/18 文献下载
摘要：本发明揭示存储器装置和减少其中的泄漏电流的方法。所述存储器装置包括：存储器核心阵列，其包括多个位线；以及外围逻辑，其经配置以与所述存储器核心阵列介接。所述存储器装置进一步包括：脚开关，其经配置以使所述外围逻辑与接地电压隔离；以及头开关，其经配置以使预充电电流路径与所述存储器核心阵列的所述多个位线隔离。可经由所述脚开关和所述头开关所提供的所述隔离而减少所述存储器装置内的泄漏电流。
减少存储器装置中的泄漏电流

[发明专利]基于电阻的存储器电路的信号裕量平衡-CN200980151300.7有效
发明人：金圣克;金吉苏;宋哲焕;升·H·康;杨赛森;迈赫迪·哈米迪·萨尼 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2009-12-18 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明揭示一种基于电阻的存储器电路。所述电路包括：数据单元的第一晶体管负载；及位线，其适于检测第一逻辑状态。所述位线耦合到所述第一晶体管负载并耦合到具有磁性隧道结(MTJ)结构的数据单元。所述位线适于在所述位线具有第一电压值时检测具有逻辑一值的数据，且在所述位线具有第二电压值时检测具有逻辑零值的数据。所述电路进一步包括参考单元的第二晶体管负载。所述第二晶体管负载耦合到所述第一晶体管负载，且所述第二晶体管负载具有相关联的参考电压值。所述第一晶体管负载的例如晶体管宽度等特性可经调整以修改所述第一电压值及所述第二电压值，而大体上不改变所述参考电压值。
基于电阻存储器电路信号平衡

[发明专利]STT-MRAM中的字线电压控制-CN200980144341.3有效
发明人：杨赛森;迈赫迪·哈米迪·萨尼;升·H·康 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2009-11-04 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明揭示用于控制施加到自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)中的字线晶体管(410)的字线电压的系统、电路和方法。一个实施例是针对包括具有磁性隧道结(MTJ，405)和字线晶体管的位单元的STT-MRAM。所述位单元耦合到位线(420)和源极线(440)。字线驱动器(432)耦合到所述字线晶体管的栅极。所述字线驱动器经配置以：提供比电源电压大的字线电压，所述电源电压低于所述电源电压的转变电压；且针对高于所述转变电压的电源电压提供小于所述电源电压的电压。
stt mram 中的电压控制

[发明专利]用于基于电阻的存储器应用的存储器装置-CN200980135343.6有效
发明人：阿诺什·B·达维埃尔瓦拉;钟成;朴东奎;穆罕默德·哈桑·阿布-拉赫马;迈赫迪·哈米迪·萨尼;杨赛森 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2009-09-01 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：在特定实施例中，揭示一种存储器装置(100)，其包括存储器单元(226)，所述存储器单元(226)包括耦合到存取晶体管(230)的基于电阻的存储器元件(228)。所述存取晶体管具有第一氧化物厚度以使所述存储器单元能够在操作电压下操作。所述存储器装置还包括第一放大器(202)，所述第一放大器(202)经配置以将所述存储器单元耦合到大于电压限值的供应电压(Vamp)以基于穿过所述存储器单元的电流产生数据信号。所述第一放大器包括箝位晶体管(216)，所述箝位晶体管(216)具有大于所述第一氧化物厚度的第二氧化物厚度。所述箝位晶体管经配置以防止所述存储器单元处的所述操作电压超过所述电压限值。
用于基于电阻存储器应用装置

[发明专利]用于具有缩小的位单元尺寸的自旋转移力矩磁阻式随机存取存储器的写入操作-CN200980123764.7有效
发明人：金圣克;迈赫迪·哈米迪·萨尼;升·H·康;杨赛森 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2009-06-19 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明揭示用于控制自旋转移力矩磁阻式随机存取存储器(STT-MRAM)中的写入操作的系统、电路及方法。通过将源极线(SL)布置成大体上与字线(WL)平行且大体上垂直于位线(BL)来实现缩小的位单元尺寸。另外，在写入操作期间的一个实施例中，将高逻辑/电压电平施加到未选位单元的位线以防止无效写入操作。
用于具有缩小单元尺寸自旋转移力矩磁阻随机存取存储器写入操作

[发明专利]自旋转移力矩磁阻随机存取存储器及设计方法-CN200880010834.3有效
发明人：金圣克;迈赫迪·哈米迪·萨尼;升·H·康;尹夏升 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2008-04-07 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明揭示用于针对自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)中的既定字线晶体管确定读取及写入电压的系统、电路及方法。可向写入操作供应第一电压，使得所述写入操作发生在所述字线晶体管的饱和区(454)中。可为读取操作供应小于所述第一电压的第二电压，使得所述读取操作发生在所述字线晶体管的线性区(452)中。
自旋转移力矩磁阻随机存取存储器设计方法

[发明专利]用于自旋转移力矩磁阻随机存取存储器中的读取和写入的字线晶体管强度控制-CN200880007097.1有效
发明人：杨赛森;升·H·康;迈赫迪·哈米迪·萨尼 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2008-03-06 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明揭示用于在自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)中控制字线晶体管处的字线电压的系统、电路和方法。可将第一电压供应到所述字线晶体管以用于写入操作。可在读取操作期间将小于所述第一电压的第二电压供应到所述字线晶体管。
用于自旋转移力矩磁阻随机存取存储器中的读取写入晶体管强度控制

[发明专利]用于自旋转移力矩磁阻随机存取存储器的读取干扰减少电路-CN200880007204.0有效
发明人：杨赛森;升·H·康;迈赫迪·哈米迪·萨尼 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2008-03-06 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明揭示用于减少自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)中的读取干扰的系统、电路和方法。可在读取操作期间使用电阻性元件来控制读取电流且控制读取干扰。可在写入操作期间使用隔离元件来使所述电阻性元件与所述电路隔离。
用于自旋转移力矩磁阻随机存取存储器读取干扰减少电路

[发明专利]CMOS存储电路的泄漏电流减少-CN200480009091.X有效
发明人：陈楠;钟成;迈赫迪·哈米迪·萨尼 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2004-04-02 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：本发明提供一种CMOS集成电路(例如，SRAM或DRAM)，其被分成一核心块、一外围块和一保留块。所述核心块包括在所有时刻都被通电的电路(例如，存储单元)且直接耦接到电源和电路接地端。所述外围块包括可被通电或断电且通过一个头开关(head switch)耦接到电源和/或通过一个脚开关(foot switch)耦接到电路接地端的电路。可用高阈电压(高Vt)FET装置建构所述开关和所述核心块以减少泄漏电流。可用低Vt FET装置建构所述外围块以进行高速操作。所述保留块包括将信号线(例如，字线)保持在一预定的电平上的电路(例如上拉装置(pull－up device))，以便当所述外围块断电时可保持所述核心块的内部状态。
cmos 存储电路泄漏电流减少

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