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[发明专利]微机电系统(MEMS)可变电容器装置及相关方法-CN201810168509.5有效
发明人：亚瑟·S·莫里斯;达娜·德雷乌斯;诺里托·巴伊坦 -专利权人：维斯普瑞公司
申请日： 2013-09-20 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01G5/16 文献下载
摘要：用于微机电系统(MEMS)可调电容器的系统，设备和方法，所述电容器包括附着到基底的固定驱动电极，附着到所述基底的固定电容电极；以及定位在所述基底上方并相对于所述固定驱动电极和所述固定电容电极移动的活动部件。所述活动部件包括：定位在所述固定驱动电极上方的可动驱动电极和定位在所述固定电容电极上方的可动电容电极。所述可动电容电极的至少一部分以第一间隙与所述固定电容电极间隔开，以及所述可动驱动电极以大于所述第一间隙的第二间隙与所述固定驱动电极间隔开。
微机系统 mems 可变电容器装置相关方法

[发明专利]减少RF MEMS致动器元件中表面介电充电的系统、装置和方法-CN201580017830.8有效
发明人：戴维·莫利内罗-希莱斯;肖恩·J·坎宁安;达娜·德雷乌斯 -专利权人：维斯普瑞公司
申请日： 2015-04-01 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01H59/00 文献下载
摘要：本主题涉及用于减少RF MEMS致动器元件中表面介电充电的系统、装置和方法。具体地，一种微机电系统(MEMS)可以包括：固定电极，其定位在基板上；可动电极，其定位在固定电极大致上方且与固定电极分离有间隙；以及至少一个孤立凸块，其定位在固定电极和可动电极之间，其中，至少一个孤立凸块延伸进入间隙中。在该构造中，固定电极或可动电极中的一个或两个可以被图案化以限定与至少一个孤立凸块中的一个或多个大致对齐的一个或多个孔。所述凸块和孔都可以有助于减少表面介电充电率和所产生的电荷总量。
减少 rfmems 致动器元件表面充电系统装置方法

[发明专利]微机电系统(MEMS)可变电容器装置及相关方法-CN201380060719.8有效
发明人：亚瑟·S·莫里斯;达娜·德雷乌斯;诺里托·巴伊坦 -专利权人：维斯普瑞公司
申请日： 2013-09-20 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01G5/16 文献下载
摘要：用于微机电系统(MEMS)可调电容器的系统，设备和方法，所述电容器包括附着到基底的固定驱动电极，附着到所述基底的固定电容电极；以及定位在所述基底上方并相对于所述固定驱动电极和所述固定电容电极移动的活动部件。所述活动部件包括定位在所述固定驱动电极上方的可动驱动电极和定位在所述固定电容电极上方的可动电容电极。所述可动电容电极的至少一部分以第一间隙与所述固定电容电极间隔开，以及所述可动驱动电极以大于所述第一间隙的第二间隙与所述固定驱动电极间隔开。
微机系统 mems 可变电容器装置相关方法

[发明专利]减少微机电系统装置中的介电充电的系统、装置和方法-CN201580052878.2在审
发明人： 达娜·德雷乌斯;亚瑟·S·莫里斯;戴维·莫利内罗-贾尔斯 -专利权人：维斯普瑞公司
申请日： 2015-10-05 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01G5/16 文献下载
摘要：本主题涉及用于对MEMS装置中的静电致动的隔离以减少或最小化介电充电的装置、系统和方法。一种可调谐部件可以包括固定致动电极，其定位在基板上；可动致动电极，其承载在悬置于基板上方的可动部件上；一个或多个隔离凸起，所述一个或多个隔离凸起定位在固定致动电极与可动致动电极之间；以及固定隔离着落部，其被隔离在固定致动电极的在一个或多个隔离凸起中的每一个隔离凸起处、在每一个隔离凸起附近、和/或与每一个隔离凸起大致对齐的部分内。在该布置中，可动致动电极可以选择性地朝向固定致动电极移动，但一个或多个隔离凸起可以防止固定致动电极与可动致动电极之间的接触，且固定隔离着落部可以抑制在隔离凸起中产生电场。
减少微机系统装置中的充电方法

[发明专利]用于在集成了CMOS的MEMS电容性器件中优化电流密度的系统和方法-CN201280028395.5有效
发明人：亚瑟·S·莫里斯三世;萨拉瓦娜·纳塔拉詹;达娜·德雷乌斯 -专利权人：维斯普瑞公司
申请日： 2012-06-07 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本主题涉及使用电流分流和定线技术以在器件的多个层之间均匀地分配电流从而获得高品质因数。这种电流分流可以允许在维持高品质因数的同时使用相对狭窄的互连件和馈线。特别地，例如，一种微型机电系统（MEMS）器件可以包括金属层，其包括第一部分和与所述第一部分电隔离的第二部分。第一终端可以独立地连接至所述金属层的所述第一部分和所述第二部分中的每一个，其中所述第一部分限定了在所述金属层与所述第一终端之间的第一路径，并且所述第二部分限定了在所述金属层与所述第一终端之间的第二路径。
用于集成 cmos mems 电容性器优化电流密度系统方法