专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]衬底处理设备-CN202310119063.8在审
  • 辻直人 - ASM IP私人控股有限公司
  • 2023-02-07 - 2023-08-11 - H01J37/32
  • 提供了一种能够保护连接到加热器的AC电源的衬底处理设备。衬底处理设备包括由电介质形成的下电极、连接到下电极中包括的第一内部电极并供应具有第一频率的AC电力的第一AC电源、包括在下电极中以加热下电极的加热器、连接到加热器的滤波器电路以及通过滤波器电路连接到加热器并用于加热器的第二AC电源,其中滤波器电路包括并联电路,该并联电路并联连接截止频率低于第一频率的低通滤波器和截止频率高于第一频率的高通滤波器。
  • 衬底处理设备
  • [发明专利]具有歧管的基板处理装置-CN201910961951.8在审
  • 辻直人;平山昌树 - ASMIP私人控股有限公司
  • 2019-10-11 - 2020-04-21 - C23C16/455
  • 一种基板处理装置的示例,包括腔室、歧管、第一气源和第二气源,所述歧管包括设置在腔室上方的管状部分、设置在管状部分的侧表面上的第一引入管、设置在管状部分的侧表面上的第二引入管以及气体引导部分,气体引导部分构造为首先将从第一引入管和第二引入管引入的气体沿与腔室相反的方向引导到管状部分中,然后将气体引入腔室中,第一气源构造为供应气体进入第一引入管,第二气源构造为供应气体进入第二引入管。
  • 具有歧管处理装置
  • [发明专利]膜形成装置-CN201510702965.X有效
  • 辻直人;佐藤和男;山岸孝幸 - ASMIP控股有限公司
  • 2015-10-26 - 2019-06-21 - C23C16/455
  • 膜形成装置包括基座和莲蓬式喷头,所述莲蓬式喷头设置在所述基座的上方并且具有形成在其中的第一通道和独立于所述第一通道的第二通道,其中所述第一通道通过设置有被第一上壁和第一下壁包围并且水平延伸的第一空腔、形成在所述第一上壁中的第一细孔以及形成在所述第一下壁中的多个第二细孔而形成为贯穿所述莲蓬式喷头,所述第一上壁的在竖直方向上的高度随着与所述第一细孔的距离的增加而减小,并且所述第二通道以与所述第一通道相同的方式形成。
  • 形成装置
  • [发明专利]半导体制造设备-CN201510824352.3在审
  • 辻直人 - ASMIP控股有限公司
  • 2015-11-24 - 2016-08-24 - H01L21/67
  • 一种半导体制造设备,包括:加工台;排气管道,其具有:环形通道,所述环形通道在所述加工台上方包围加工空间;环形狭缝,气体通过所述环形狭缝供给到加工空间,所述环形狭缝引入到所述环形通道中;以及排气口,所述环形通道中的气体通过所述排气口排放到外部,其中所述狭缝的开口区域百分比随着与所述排气口的距离的增加而增加。
  • 半导体制造设备

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