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[发明专利]一种改善硅抛光片表面粗糙度的抛光方法-CN201911280083.3有效
发明人： 路一辰;李俊峰;潘紫龙;王玥;王新 -专利权人：有研半导体硅材料股份公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善硅抛光片表面粗糙度的抛光方法，该抛光方法包括以下步骤：(1)对硅片背面进行喷蜡处理，将硅片贴在陶瓷板上；(2)将贴在陶瓷板上的硅片先进行粗抛光；(3)将完成粗抛光的硅片进行1、2号中抛光；(4)将完成中抛光的硅片进行精抛光处理，该精抛光处理包括四个阶段；(5)对完成抛光的硅片进行取片处理，将硅片存放在含有0.5％‑1％活性剂的水槽中，水槽温度控制在16‑18℃。本发明通过改善中抛和精抛抛光工艺和抛光后硅片存放处理，有效的改善了硅片表面粗糙度，提高后工序外延加工和器件加工的成品率。
一种改善抛光表面粗糙方法

[发明专利]一种12英寸硅片减薄的工艺方法-CN202111593664.X在审
发明人：陈海滨;库黎明;路一辰;王玥;刘云霞;闫志瑞 -专利权人：山东有研艾斯半导体材料有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种12英寸硅片减薄的工艺方法，所使用的减薄装置包括竖直放置的的载片圈、位于载片圈左右两侧的两个圆形的静压盘，两个静压盘在靠近载片圈的一侧分别具有用于安装左砂轮和右砂轮的空间，在位于各砂轮安装部位周围的静压盘上均匀分布有3个气孔和3个水孔；在位于静压盘上方的位置安装有齿轮，该齿轮带动载片圈转动；该方法包括如下步骤：(1)预先调整左右两个砂轮与待加工的硅片处于平行状态；(2)将倒角完成的切片垂直放入载片圈里，从气孔通入空气，并从水孔通入去离子水，使硅片保持平衡；(3)在减薄过程中，控制载片圈转速在0‑30rpm之间；控制左右两个砂轮的转速在2000‑6000rpm之间，砂轮给进速度在减薄过程中呈阶梯递减的方式。
一种 12 英寸硅片工艺方法

[发明专利]一种改善硅片R型轮廓的边缘抛光工艺-CN202111502766.6在审
发明人： 路一辰;库黎明;王玥;陈海滨;陈信;刘云霞;闫志瑞 -专利权人：山东有研艾斯半导体材料有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善硅片R型轮廓的边缘抛光工艺，包括以下步骤：(1)对硅片进行寻参处理：使用边缘抛光机寻找硅片的V槽，使硅片的V槽与槽口抛光布对准；(2)对硅片的V槽进行抛光处理；(3)将完成V槽抛光的硅片进行对心处理，使硅片圆心与机台圆心对准；(4)将完成对心处理的硅片进行圆边边缘抛光处理，所使用的抛光鼓包括斜边抛光鼓和顶端抛光鼓，斜边抛光鼓加工角度范围为25°～70°，顶端抛光鼓加工角度为70°～90°。本发明通过改进圆边边缘抛光工艺，使用特殊构造的抛光鼓，并控制其中斜边抛光鼓与顶端抛光鼓的加工角度范围，使硅片整个边缘均匀抛光，避免固定角度的抛光鼓对边缘造成的局部过度抛光或失效抛光。
一种改善硅片轮廓边缘抛光工艺

[发明专利]一种降低硅抛光片正面边缘损伤的方法-CN201711316661.5有效
发明人：曲翔;王海涛;王新;李耀东;梁雨东;何宇;杨凯;徐继平;苏冰;路一辰;史训达 -专利权人：有研半导体材料有限公司
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低硅抛光片正面边缘损伤的方法，该方法中所使用的石英舟为具有台阶状舟齿的石英舟，包括以下步骤：(1)将具有台阶状舟齿的石英舟置于垂直炉炉体内，将硅片置于石英舟上；(2)沉积多晶硅薄膜，控制多晶硅薄膜的生长速率；(3)控制降温速率使硅片降温到室温；(4)控制机械手精准取片；(5)抛光硅片正表面，检查硅片正表面参数，确定是否发生边缘损伤。本发明可以有效解决沉积多晶硅时对硅抛光片的正面损伤问题，从而提高硅抛光片边缘质量。
一种降低抛光正面边缘损伤方法

[发明专利]一种硅片边缘抛光工艺-CN201711290241.4有效
发明人： 路一辰;王新;李俊峰;潘紫龙;王玥;李耀东;曲翔;史训达 -专利权人：有研半导体材料有限公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片边缘抛光工艺，该工艺包括以下步骤：(1)使用清洗机对硅片进行清洗处理；(2)将清洗后的硅片进行机台对中处理；(3)对硅片的圆边边缘进行抛光处理；(4)将完成圆边边缘抛光的硅片进行参考面定位处理；(5)对完成参考面位置确定的硅片进行参考面边缘抛光处理。本发明通过增加边抛前清洗处理和改变边缘抛光流程顺序，有效的解决了边抛过程中造成的参考面边缘腐蚀损伤的问题，得到光滑无损伤的参考面边缘，提高了外延加工和器件加工成品率。
一种硅片边缘抛光工艺

[发明专利]一种硅抛光片边缘加工工艺-CN201611159340.4在审
发明人：王新;李耀东;刘斌;路一辰;李俊峰;潘紫龙;韩晨华;王玥 -专利权人：有研半导体材料有限公司
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅抛光片边缘加工工艺。该加工工艺包括以下步骤：(1)使用单面抛光机对碱腐蚀或酸腐蚀后的硅片进行单面粗抛光；(2)使用边缘抛光机对硅片边缘进行抛光处理；(3)使用单面抛光机进行中抛光和精细抛光。本发明提供了一种改善硅抛光片边缘质量的技术路线和加工流程，可以有效提升硅抛光片边缘质量，获得边缘无损伤、更加适合于外延加工的高品质硅抛光片。
硅抛光片单面抛光机边缘加工边缘抛光机硅片边缘技术路线加工流程精细抛光抛光处理粗抛光高品质碱腐蚀酸腐蚀无损伤抛光硅片加工

[发明专利]一种硅片边缘抛光装置-CN201510761527.0在审
发明人：王新;路一辰;李俊峰;潘紫龙;韩晨华;刘斌;李耀东 -专利权人：有研半导体材料有限公司
申请日： 2015-11-10 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片边缘抛光装置。该硅片边缘抛光装置包括用于吸附硅片的真空吸盘和用于对硅片参考面进行边缘抛光的抛光鼓，该真空吸盘连接真空泵，该抛光鼓为圆柱形，其表面粘贴有抛光布；硅片参考面与圆柱形抛光鼓的中心轴平行。本发明结构紧凑，简单实用。圆柱形抛光鼓的设计既保证了抛光布与硅片参考面的全接触，也保证了抛光鼓上的抛光布与硅片参考面在相对运动时呈现固定的垂直角度，从而使硅片参考面各部位的抛光程度均匀一致，不会出现不规则划伤，能够有效的提高硅片边缘抛光质量。
一种硅片边缘抛光装置