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[发明专利]半导体装置-CN202110701603.4在审
发明人：佐藤贵洋;中泽安孝;长隆之;越冈俊介;德永肇;神长正美 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管稳定的电气特性。另外，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管具有优良的电气特性。另外，本发明提供一种具有该晶体管的高可靠性的半导体装置。关于具有层叠有氧化物半导体膜及氧化物膜的多层膜、栅电极以及栅极绝缘膜的晶体管，多层膜经由栅极绝缘膜而重叠于所述栅电极地设置，多层膜是具有由氧化物半导体膜的下表面与氧化物半导体膜的侧面所呈的第一角度、以及由氧化物膜的下表面与氧化物膜的侧面所呈的第二角度的形状，并且，第一角度小于第二角度且被设为锐角。另外，通过使用该晶体管来制造半导体装置。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201910045929.9在审
发明人：佐藤贵洋;中泽安孝;长隆之;越冈俊介;德永肇;神长正美 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管稳定的电气特性。另外，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管具有优良的电气特性。另外，本发明提供一种具有该晶体管的高可靠性的半导体装置。关于具有层叠有氧化物半导体膜及氧化物膜的多层膜、栅电极以及栅极绝缘膜的晶体管，多层膜经由栅极绝缘膜而重叠于所述栅电极地设置，多层膜是具有由氧化物半导体膜的下表面与氧化物半导体膜的侧面所呈的第一角度、以及由氧化物膜的下表面与氧化物膜的侧面所呈的第二角度的形状，并且，第一角度小于第二角度且被设为锐角。另外，通过使用该晶体管来制造半导体装置。
氧化物半导体膜晶体管半导体装置氧化物膜多层膜栅极绝缘膜电气特性下表面栅电极高可靠性侧面锐角赋予制造

[发明专利]半导体装置-CN201310572119.1有效
发明人：佐藤贵洋;中泽安孝;长隆之;越冈俊介;德永肇;神长正美 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管稳定的电气特性。另外，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管具有优良的电气特性。另外，本发明提供一种具有该晶体管的高可靠性的半导体装置。关于具有层叠有氧化物半导体膜及氧化物膜的多层膜、栅电极以及栅极绝缘膜的晶体管，多层膜经由栅极绝缘膜而重叠于所述栅电极地设置，多层膜是具有由氧化物半导体膜的下表面与氧化物半导体膜的侧面所呈的第一角度、以及由氧化物膜的下表面与氧化物膜的侧面所呈的第二角度的形状，并且，第一角度小于第二角度且被设为锐角。另外，通过使用该晶体管来制造半导体装置。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201710269206.8在审
发明人：长隆之;越冈俊介;横山雅俊;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-10-24 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明的一个方式的课题是提供一种具有使用氧化物半导体的晶体管的可靠性高的半导体装置。在设置在玻璃衬底上的底栅结构的交错型晶体管的半导体装置中，在栅电极层上设置依次层叠其组成彼此不同的第一栅极绝缘膜及第二栅极绝缘膜的栅极绝缘膜。或者在底栅结构的交错型的晶体管中，在玻璃衬底和栅电极层之间设置保护绝缘膜。将在第一栅极绝缘膜与第二栅极绝缘膜之间的界面处或在栅电极层与栅极绝缘膜之间的界面处的包含在玻璃衬底中的金属元素的浓度设定为5×1018atoms/cm3以下(优选为1×1018atoms/cm3以下)。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201710269210.4在审
发明人：长隆之;越冈俊介;横山雅俊;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-10-24 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明的一个方式的课题是提供一种具有使用氧化物半导体的晶体管的可靠性高的半导体装置。在设置在玻璃衬底上的底栅结构的交错型晶体管的半导体装置中，在栅电极层上设置依次层叠其组成彼此不同的第一栅极绝缘膜及第二栅极绝缘膜的栅极绝缘膜。或者在底栅结构的交错型的晶体管中，在玻璃衬底和栅电极层之间设置保护绝缘膜。将在第一栅极绝缘膜与第二栅极绝缘膜之间的界面处或在栅电极层与栅极绝缘膜之间的界面处的包含在玻璃衬底中的金属元素的浓度设定为5×1018atoms/cm3以下(优选为1×1018atoms/cm3以下)。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201210411681.1有效
发明人：长隆之;越冈俊介;横山雅俊;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-10-24 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的一个方式的课题是提供一种具有使用氧化物半导体的晶体管的可靠性高的半导体装置。在设置在玻璃衬底上的底栅结构的交错型晶体管的半导体装置中，在栅电极层上设置依次层叠其组成彼此不同的第一栅极绝缘膜及第二栅极绝缘膜的栅极绝缘膜。或者在底栅结构的交错型的晶体管中，在玻璃衬底和栅电极层之间设置保护绝缘膜。将在第一栅极绝缘膜与第二栅极绝缘膜之间的界面处或在栅电极层与栅极绝缘膜之间的界面处的包含在玻璃衬底中的金属元素的浓度设定为5×1018atoms/cm3以下（优选为1×1018atoms/cm3以下）。
半导体装置

[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法以及显示装置-CN201480065150.9在审
发明人：中泽安孝;长隆之;越冈俊介;佐藤贵洋;坂本直哉;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2014-11-19 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种将含有Cu的金属膜用于具有氧化物半导体膜的晶体管的新颖半导体装置以及该半导体装置的制造方法。该半导体装置包括晶体管，该晶体管包括：第一栅电极层；第一栅电极层上的第一栅极绝缘膜；第一栅极绝缘膜上的重叠于第一栅电极层的氧化物半导体膜；电连接于氧化物半导体膜的一对电极层；氧化物半导体膜及一对电极层上的第二栅极绝缘膜；以及第二栅极绝缘膜上的重叠于氧化物半导体膜的第二栅电极层。一对电极层包括Cu‑X合金膜(X是Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。
半导体装置制造方法以及显示装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201310302897.9在审
发明人：山崎舜平;坂本直哉;佐藤贵洋;越冈俊介;长隆之;山元良高;松尾拓哉;松木园广志;神崎庸辅 -专利权人：株式会社半导体能源研究所;夏普株式会社
申请日： 2013-07-17 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明的一个方式提供如下半导体装置：使用氧化物半导体膜，将含有铜的金属膜用于布线或信号线等，具有稳定的电特性且高可靠性。本发明的一个方式是一种半导体装置，该半导体装置包括：栅电极；形成在该栅电极上的栅极绝缘膜；与该栅极绝缘膜接触且包含与该栅电极重叠的沟道形成区域的氧化物半导体膜：形成在该氧化物半导体膜上的源电极及漏电极；形成在该氧化物半导体膜、该源电极以及该漏电极上的氧化物绝缘膜，该源电极及该漏电极都包括：在该沟道形成区域的两端具有其一个端部的第一金属膜；形成在该第一金属膜上的含有铜的第二金属膜；形成在该第二金属膜上的第三金属膜，该第二金属膜形成在该第一金属膜的一个端部的内侧。
半导体装置及其制造方法

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