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[发明专利]硅单晶的生长装置-CN201010166761.6有效
发明人： 赵铉鼎 -专利权人：希特隆股份有限公司
申请日： 2005-11-23 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种以高生长速度制造高质量单晶的技术。本发明提供一种硅单晶的生长装置，是用切克劳斯基单晶生长法使硅单晶生长的装置，其包括：室；坩埚，设置在所述室的内部，盛硅熔体；加热器，设置在所述坩埚的侧面加热所述硅熔体，相对于所述硅熔体的整体深度距所述熔体的表面1/5处至2/3处所对应的部分，发热量比周边增加；拉拔机构，从所述硅熔体中拉拔生长的硅单晶。
硅单晶生长装置

[发明专利]硅单晶的生长方法-CN201010166765.4有效
发明人： 赵铉鼎 -专利权人：希特隆股份有限公司
申请日： 2005-11-23 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种以高生长速度制造高质量单晶的技术。本发明提供用切克劳斯基单晶生长法使硅单晶生长的方法，即：把装有熔体的坩埚的旋转速度作为Vc，所述硅单晶的旋转速度作为Vs时，用满足3≤Ln[Vs/Vc]≤5的条件使硅单晶生长。
硅单晶生长方法

[发明专利]硅单晶的生长方法-CN201010166780.9有效
发明人： 赵铉鼎 -专利权人：希特隆股份有限公司
申请日： 2005-11-23 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种以高生长速度制造高质量单晶的技术。本发明提供用切克劳斯基单晶生长法使硅单晶生长的方法，即：在沿平行于单晶的径向的轴测定硅熔体的温度梯度时，把所测定的最大温度梯度称为ΔTmax，最小温度梯度称为ΔTmin，用满足{(ΔTmax-ΔTmin)/ΔTmin}×100≤10的条件使硅单晶生长。
硅单晶生长方法

[发明专利]用于制造高质量半导体单晶锭的装置及使用该装置的方法-CN200910005257.5无效
发明人： 赵铉鼎;洪宁皓;李洪雨;姜钟珉;金大渊 -专利权人：韩国矽得荣株式会社
申请日： 2009-01-21 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造高质量半导体单晶锭的装置以及使用该装置的方法。本发明的装置包括：石英坩埚；加热器，安装在石英坩埚的侧壁周围；单晶牵拉装置，用于从容纳在石英坩埚中的半导体溶化物中牵拉出单晶；以及磁场施加装置，用于在基于熔化物表面的熔化等级(ML)的ML-100mm至ML-350mm位置处形成最大高斯面(MGP)，并将3000至5500高斯的强磁场施加至MGP和石英坩埚的侧壁之间的交叉处，以及将1500至3000高斯的弱磁场施加至固液分界面下方。
用于制造质量半导体单晶锭装置使用方法

[发明专利]具有氧浓度特性改进的半导体单晶生长方法-CN200810175533.8有效
发明人： 赵铉鼎;申丞镐;文智勋;李洪雨;洪宁皓 -专利权人：斯尔瑞恩公司
申请日： 2008-11-03 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体单晶生长方法，该方法使用通过将晶种浸入容纳在石英坩埚中的半导体熔体中并在旋转石英坩埚和施加强水平磁场的同时提升晶种而通过固-液界面生长半导体单晶的Czochralski工艺，其中，当以0.6rpm和1.5rpm之间的速度旋转石英坩埚的同时提升晶种。
有氧浓度特性改进半导体生长方法

[发明专利]制造超低缺陷半导体单晶锭的方法及设备-CN200810168223.3无效
发明人：洪宁皓;赵铉鼎;李晟永;申丞镐;李洪雨 -专利权人：斯尔瑞恩公司
申请日： 2008-10-06 - 公布日： 2009-04-08 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明涉及用于制造超低缺陷半导体单晶锭的方法，该方法使用利用将籽晶浸没在容纳在石英坩埚中的半导体熔体中、并在旋转籽晶的同时将其缓慢地提拉而通过固-液界面生长半导体单晶锭的Czochralski工艺，其中，通过根据单晶锭的长度随着单晶锭生长过程进展的变化来增加或减少半导体熔体的表面上的热区来控制无缺陷容许范围。
制造缺陷半导体单晶锭方法设备

[发明专利]用于将固体原材料供应至单晶生长器的装置和方法-CN200710143731.1有效
发明人：徐庆晧;李寅圭;李晟永;赵铉鼎 -专利权人：西尔特朗公司
申请日： 2007-08-02 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于将固体原材料供应至硅或锗半导体单晶的生长器的装置和方法。所述固体原材料供应装置包括：筒状本体，安装在所述坩埚上方，用于在其中接收所述固体原材料；底盖，可拆卸地安装在所述本体的底端，并且基本形成为锥形；以及连接装置，用于相对于所述本体相对地向上和向下移动所述底盖，所述锥形底盖由与待生长为单晶的半导体相同的材料制成；所述固体原材料被装入，同时所述底盖以预定的距离与坩埚中的熔融物隔开，这样所述底盖可重复使用，并且即使所述底盖因为固体原材料的下落所导致的碰撞而破损，底盖的碎片也不会污染熔融物。而且，本发明基本形成锥形的底盖，由此防止底盖的破损，并且能够将固体原材料均匀分散地装入到坩埚中。
用于固体原材料供应至单晶生长装置方法

[发明专利]用于制造高质量硅单晶锭的方法以及由其制得的硅单晶片-CN200610156605.5无效
发明人： 赵铉鼎 -专利权人：斯尔瑞恩公司
申请日： 2006-12-28 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：在通过直拉法制造高质量硅单晶的方法中，单晶生长的固－液界面的下部分被分为中心部分和周围部分，并且中心部分的温度梯度和周围部分的温度梯度被分别控制。当位于单晶生长的固－液界面下部的硅熔体被分为中心部分熔体和周围部分熔体时，本方法通过直接控制熔体的温度分布来控制中心部分熔体的温度梯度，以及通过控制单晶的温度梯度来间接控制周围部分熔体的温度梯度，因此有效控制了熔体的全部温度分布，从而以高生长速率来制造无缺陷高质量单晶锭。
用于制造质量硅单晶锭方法以及晶片

[发明专利]生产单晶硅的方法-CN200610149906.5有效
发明人： 赵铉鼎;李洪雨;郑镇秀;金仙美 -专利权人：希特隆股份有限公司
申请日： 2003-12-23 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种使用Czochralski法生产单晶硅锭的方法，该方法可提供具有非常均匀的平面质量的硅片，因而提高半导体装置的产量。本发明建议一种用Czochralski法生产单晶硅锭的方法，其中，当熔硅对流被分为核单元和外单元时，单晶硅锭在核单元水平方向最大宽度是熔硅表面半径的30－60％的条件下生长。在一个实施例中，单晶硅锭在核单元垂直方向最大深度等于或大于熔硅最大深度的50％的情况下生长。
生产单晶硅方法

[发明专利]高质量硅单晶结晶块的生长装置及使用此装置的生长方法-CN200610003165.X无效
发明人： 赵铉鼎 -专利权人：希特隆股份有限公司
申请日： 2006-02-20 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于生长高质量硅单晶结晶块的生长装置和方法，以及由此生产的硅单晶结晶块和晶片。该生长装置将硅单晶结晶块中的氧含量控制为各种值，因此，以高的生产率生产出极度控制了生长缺陷的硅单晶结晶块。
质量硅单晶结晶生长装置使用方法

[发明专利]结晶生长晶体的质量评价方法-CN200610087066.4无效
发明人：金珍根;赵铉鼎 -专利权人：希特隆股份有限公司
申请日： 2006-06-14 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明提供结晶生长晶体的质量评价方法，包括确定切断位置和取样位置的步骤和试样评价步骤，前一步骤包括：a)确定试样位置，输入按照不同装备、不同制品确定切断位置、取样位置和最初位置的基本信息；b)按基本信息预先确定切断位置、最初位置和取样位置；c)监控晶体生长过程，分析和保存与晶体的生长相关的X因素；d)反映基本信息和X因素，确定切断位置和取样位置。这样，在选择分辨监控的影响晶体质量的主要因素(X因素)后，以进行统一对比和分析为基础，制定确定切断位置和取样位置、取样数的规则，使剩余检验和不使用的最初的量最小化，把数据制作成数据库，用自动化系统构建切断和取样业务，可以使操作人员和现场的业务量减少。
结晶生长晶体质量评价方法

[发明专利]单晶硅锭和硅片、及其生长装置和方法-CN200610099146.1无效
发明人：洪宁皓;郭晚锡;崔日洙;赵铉鼎;李洪雨 -专利权人：希特隆股份有限公司
申请日： 2006-07-27 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶硅锭和硅片，及其生长装置，以及生长方法。根据单晶硅锭的生长方法，由配置在使用柴式长晶法(柴式长晶法)从熔硅拉引单晶的单晶硅生长装置外侧的线圈部件，沿着生长室(Chamber)施加不对称磁场，并且无须电流控制等附加构成因素而控制上述不对称磁场的比率或强度，以使ZGP(Zero Gauss Plane)能够位于上述熔硅表面的上部。根据如上构成，有以下优点。在不仅制造中小口径还制造200mm以上的大口径单晶的柴式长晶法，通过不对称磁场的控制，对各种要求的氧浓度，在不出现增加热区(H/Z)的替换及参数的替换等损失的情况下，可以使氧浓度沿着结晶长度方向分布均匀。另外，还可以完全控制单晶生长时发生的“花瓣”现象，不受“花”现象发生时不可避免地发生的直径未达引起的最佳长度的下降和P/S下降等参数改变的影响。
单晶硅硅片及其生长装置方法

[发明专利]高质量硅单晶的生长方法和装置、硅单晶结晶块及硅晶片-CN200610058255.9有效
发明人： 赵铉鼎 -专利权人：希特隆股份有限公司
申请日： 2006-02-28 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用柴氏长晶法、以高生产率生产高质量硅单晶结晶块的技术。本发明的技术能控制氧溶出区域处的磁场强度，使其不同于固－液界面区域处的磁场强度，从而将氧含量控制为所需值。
质量硅单晶生长方法装置结晶晶片

[发明专利]硅单晶的生长方法、生长装置及由其制造的硅片-CN200510123870.9无效
发明人： 赵铉鼎 -专利权人：希特隆股份有限公司
申请日： 2005-11-23 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种以高生长速度制造高质量单晶的技术。本发明提供用切克劳斯基单晶生长法使硅单晶生长的方法，即：在沿平行于单晶的径向的轴测定硅熔体的温度梯度时，把所测定的最大温度梯度称为 ΔTmax，最小温度梯度称为ΔTmin，用满足{(ΔTmax－ΔTmin)/ΔTmin}×100≤10的条件使硅单晶生长。
硅单晶生长方法装置制造硅片

[发明专利]高质量单晶及生长单晶的方法-CN200510109230.2有效
发明人： 赵铉鼎 -专利权人：希特隆股份有限公司
申请日： 2005-10-19 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种从坩埚内的熔融体生长单晶的方法。该方法包括如下步骤：沿着平行于所述单晶长度方向的轴，从所述单晶与所述熔融体的界面开始，使所述熔融体的温度逐渐上升至最高点，然后逐渐降低至所述坩埚底部。维持所述熔融体的升温温度梯度大于其降温温度梯度。优选的是，所述轴被设定为穿过所述单晶的中心。优选的是，所述熔融体内部区域的对流小于其外部区域的对流。
质量生长方法

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