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[实用新型]一种地质勘探的便携式长度计量装置-CN201920183182.9有效
发明人： 赵红东 -专利权人：甘肃省计量研究院
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： G01C3/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种地质勘探的便携式长度计量装置，包括底座，底座上侧连接调节杆的一端，调节分别安装第一转轴和第二转轴，第一转轴一端套接内挡环，第一转轴套接第一量角盘，第一量角盘和内挡环间套接转环，转环上安装激光笔，第二转轴一端套接第二量角盘，第二转轴的另一端连接外挡环，外挡环和第二量角盘间的第二转轴上套接铅锤杆。底座放在地面上，转动转环使激光笔的光束照射到目标地点，通过量角盘得到激光笔和调节杆夹角,并利用已知的调节杆的高度，配合三角函数可以方便的得到目标点测量点与目标点之间的垂直高度距离、水平距离、直接距离等数据，且本装置携带方便，使用过程简单，不需要外部辅助设备，具有较高的实用价值。
转轴量角盘调节杆激光笔转环底座长度计量装置地质勘探目标点内挡环外挡环套接外部辅助设备本实用新型高度距离光束照射目标地点三角函数水平距离一端连接直接距离装置携带侧连接测量点转轴套间套角盘铅锤上套转动垂直配合

[发明专利]采用三种高斯光谱合成A级太阳模拟器光谱的装置-CN201610858421.7有效
发明人： 赵红东;陈鸿;赵翠杰;H.S.艾哈迈德;李志勇;王络欣;孙梅 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2016-09-28 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： G01J3/10 文献下载
摘要：本发明采用三种高斯光谱合成A级太阳模拟器光谱的装置，涉及专用于光谱学或色度学的光源装置，其构成部件包括三种高斯光谱的光源、两个反射镜和一个合束器；上述部件之间相互连接的光路方式是产生第一种高斯光谱的光源输出第一种高斯光谱的光波经过第一反射镜反射，进入合束器，产生第二种高斯光谱的光源输出第二种高斯光谱的光波并直接进入合束器，产生第三种高斯光谱的光源输出第三种高斯光谱的光波经过第二反射镜反射，进入合束器，进入合束器的三种高斯光谱合成本发明装置所产生的A级太阳模拟器光谱。本发明克服了现有技术使用数量较多的高斯光谱在合成太阳模拟器时，存在调节参量增加，需要光学元件种类多和光路复杂的缺陷。
采用三种高斯光谱合成太阳模拟器装置

[发明专利]一种高斯光谱半宽复用通信系统的解调方法-CN201510113086.3有效
发明人： 赵红东;彭晓灿;韩铁成;马俐;孙梅;王杨 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2015-03-14 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H04J14/02 文献下载
摘要：本发明一种高斯光谱半宽复用通信系统的解调方法，涉及用光通信作为传输路径的电通信系统的解调，步骤是将两束中心波长重合最大强度相等而半宽不同的高斯光谱合成复用光谱；选择合成复用光谱中两个观测点；写出高斯光谱标准偏差的特征方程；确定满足相对平均误差条件的两束高斯光谱标准偏差；确定两束高斯光谱半宽，实现高斯光谱半宽复用通信系统的解调。该方法克服了非线性最小二乘LM算法需要光谱所有数据才能建立寻找参量等式关系的复杂性，克服了寻峰阈值系数与光强最大值乘积分成多个单峰以及可变滤光器识别光谱峰位置的方法不能区分两束高斯光谱中心波长重合的缺陷，同时提供的高斯光谱半宽通信技术扩展了波分复用领域。
一种光谱半宽复用通信系统解调方法

[发明专利]批量半导体器件参数测试重合数据点的显示方法-CN201410195474.6有效
发明人： 赵红东;张魁;孙梅;杨磊;李志勇;王洛欣 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2014-05-09 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明批量半导体器件参数测试重合数据点的显示方法，涉及半导体器件的测试，步骤是，第一步，建立批量半导体器件参数测试的坐标；第二步，建立二维参数显示空间；第三步，建立三维参数显示空间；第四步，显示批量半导体器件参数测试中重合数据点的变化。本发明方法采用二维参数空间椭圆及三维参数空间椭球内加入均匀随机分布，通过椭圆以及椭球内点密度反映出批量半导体器件参数测试中重合数据点的数量，克服了现有技术直接采用显示屏中未被使用的像素点显示分布的不均匀的缺陷，解决了现有技术的显示屏的像素点数量不能满足显示批量半导体器件参数测试重合数据点的要求。
批量半导体器件参数测试合数据点显示方法

[发明专利]全固态钙钛矿微晶硅复合太阳电池及其制备方法-CN201410568822.X有效
发明人：田汉民;吴亚美;杨瑞霞;金慧娇;王伟;杨帆;张明兰;杨帆;赵红东 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2014-10-23 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明全固态钙钛矿微晶硅复合太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，由透明导电基底、氧化物半导体薄膜层、钙钛矿光吸收层、微晶硅空穴传输层和背电极构成；在涂覆了氧化物半导体薄膜的透明导电基底上制备钙钛矿光吸收层，微晶硅空穴传输层沉积在钙钛矿光吸收层上形成全固态钙钛矿微晶硅复合薄膜；将钙钛矿光吸收层材料和P型微晶硅材料相互匹配复合，所制得的全固态钙钛矿微晶硅复合薄膜太阳电池同时克服了现有钙钛矿太阳电池因使用有机空穴传输材料而存在的稳定性差和价格昂贵的缺点，以及微晶硅薄膜太阳电池存在低制备速率导致制备成本高及光电转换效率低的缺点。
固态钙钛矿微晶硅复合太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种发光光谱虚拟LED效果的方法-CN201510157736.4有效
发明人： 赵红东;孙梅;康志龙;王杨 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2015-04-06 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： G01N21/25 文献下载
摘要：本发明一种发光光谱虚拟LED效果的方法，涉及发光二极管(LED)，其步骤是根据发光材料的发光光谱计算色度并在CIE1931色度图中标注；计算RGB三个分量的相对大小；选取高斯函数；计算RGB显示强度空间分布；显示发光光谱虚拟LED效果的发光图像。该方法克服了使用现有技术只能在将发光材料研制成LED之后，才能最终测量出制备的LED效果的缺陷。
一种发光光谱虚拟 led 效果方法

[发明专利]合成全波段匹配太阳模拟器光谱的方法-CN201610860537.4在审
发明人： 赵红东;杨志明;王敬;朱胜银 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2016-09-28 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： F21S8/00 文献下载
摘要：本发明合成全波段匹配太阳模拟器光谱的方法，涉及专用于光谱学的光源装置，是用高斯光谱代替LED发光单元的光谱，是用六种光源产生六种高斯光谱，经过反射镜反射合成得到全波段匹配太阳模拟器光谱，该全波段匹配太阳模拟器光谱在AM1.5G标准中的每一个波段光谱辐照度百分比与AM1.5G标准全波段完全匹配，即该合成光谱与AM1.5G标准中每一个波段光谱辐照度所占整个六个波段总光谱辐照度的百分比完全相同，该方法克服了现有技术所采用的合成光谱与AM1.5G标准中光谱失配度偏差的缺陷。
成全波段匹配太阳模拟器光谱方法

[发明专利]一种多肽及其应用-CN201410831193.5在审
发明人：邵国强;王自正;王峰;王书奎;杨劲松;徐友娣;赵红东 -专利权人：南京市第一医院
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： C07K7/08 文献下载
摘要：本发明属于医学领域，公开了一种与PSMA膜外区靶向性结合的多肽、放射性核素标记多肽及其应用。该多肽的氨基酸序列如SEQ ID No:1所示，该多肽通过偶联剂来介导放射性核素进行标记，可用于制备治疗或诊断前列腺癌的靶向性药物。
一种多肽及其应用

[发明专利]多原色图像保存及再现图像的方法-CN201410116062.9有效
发明人： 赵红东;夏士超;宋晓敏;卢俏;李梦宇;侯斌武;席瑞媛 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2014-03-26 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： G06F3/14 文献下载
摘要：本发明多原色图像保存及再现图像的方法，涉及利用彩色的混合效应的图像的显示，先将多原色图像用记录图像点显示区域编号的索引变量S和记录向量保存于存储设备中，记录向量包含三个分量，再从储存设备中读取索引变量S和记录向量根据索引变量S选择对应的映射矩阵通过映射矩阵的转置矩阵实现记录向量向多原色成分向量的逆映射，使多原色再现图像。由此克服了现有技术直接存储多原色所有分量造成需要保存大量数据的缺陷，还克服了同时使用多原色显示以及使用多原色的多面体向XYZ空间变换的复杂性的缺陷，从而弥补了多原色图像保存方面的欠缺。
原色图像保存再现方法

[发明专利]五种颜色激光色域扩展显示装置及其显示颜色的方法-CN201410116230.4有效
发明人： 赵红东;姚奕洋;陈洁萌;冯嘉鹏;孙渤;郭正泽;杨磊 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2014-03-26 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： G09F9/00 文献下载
摘要：本发明五种颜色激光色域扩展显示装置及其显示颜色的方法，涉及控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的装置，其构成包括五个半导体激光器可调电源a、b、c、d和e，黄绿光、红光、绿光、蓝紫光和蓝绿光五种颜色半导体激光器，透镜a、b、c、d、e和f，反射镜a和b，合束器a、b和c，及显示屏。本发明采用五种非等间距中心波长半导体激光器输出五种颜色激光，扩展1931CIE-XYZ色度图中颜色显示，克服了现有技术显示颜色覆盖1931CIE-XYZ色度图舌型区域面积低，没有最大程度显示人眼能感觉到的显色范围，没有达到使用少量的显示器件实现接近整个1931CIE-XYZ色度图范围内的颜色显示的缺陷。
颜色激光扩展显示装置及其显示方法

[发明专利]一种涡旋光束强度复用通信系统-CN201210306191.5有效
发明人： 赵红东;孙梅;代秀红;褚立志;张广林;代红丽 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2012-08-23 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H04J14/00 文献下载
摘要：本发明一种涡旋光束强度复用通信系统，涉及用光通信作为传输路径的电通信系统，是两个拓扑电荷数的低阶涡旋光束强度复用，包括第一信号源、第二信号源、第一功率放大器、第二功率放大器、拓扑电荷数低阶涡旋光束发射器、拓扑电荷数低阶涡旋光束发射器、耦合器、传输介质、5个涡旋光束探测器及其固定架、第一开关电路、第二开关电路、第一显示电路和第二显示电路；该系统采用设置发射涡旋光束的强度、放置5个涡旋光束探测器、两个开关电路和显示电路，实现了两个拓扑电荷数的低阶涡旋光束复用通信，克服了现有技术在实现光束轨道角动量态复用中，使用的器件多、结构复杂和不容易小型集成化的缺点。
一种涡旋光束强度通信系统

[发明专利]一种光谱转换为色度的方法-CN201210224778.1有效
发明人： 赵红东;孙梅;刘琦;沈虹;康志龙;郭艳菊;张魁 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2012-07-02 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： G01J3/46 文献下载
摘要：本发明的技术方案涉及光谱领域，具体地说是一种光谱转换为色度的方法，步骤是：光谱图像的采集和数字化处理；计算机进行光谱图像的预处理；计算机对光谱图像中的横、纵坐标和光谱曲线加以识别，并从光谱图像中提取光谱数据；计算机显示光谱数据，并将提取数据绘制成光谱曲线；光谱数据逼近和插值处理；通过光谱强度与三刺激值乘积，然后使用离散化求和计算出X、Y和Z值，并由计算机显示色度(x,y)值。本发明方法克服了现有技术不能够快速识别光谱曲线，提取光谱数据，并自动转换成色度的缺点。
一种光谱转换色度方法

[发明专利]由微晶硅层为入射层的复合薄膜太阳电池及其制备方法-CN201010527939.5无效
发明人：刘守彬;田汉民;杨瑞霞;田学民;王伟;杨帆;赵红东;吕俊;李毅杰 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2010-11-02 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： H01G9/042 文献下载
摘要：本发明由微晶硅层为入射层的复合薄膜太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件。由透明导电层、微晶硅空穴传输层、染料敏化纳米晶多孔膜和导电基底构成，染料敏化纳米晶多孔膜被涂覆在导电基底上，微晶硅空穴传输层沉积在染料敏化纳米晶多孔膜上形成固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜，透明导电层沉积在微晶硅空穴传输层上，由此组成由微晶硅层为入射层的复合薄膜太阳电池。由于将染料敏化纳米晶材料和微晶硅复合薄膜材料直接制备在导电基底上，克服了现有技术中染料敏化太阳电池对透明导电玻璃的依赖和微晶硅薄膜太阳电池存在低制备速率导致制备成本高，以及现有染料敏化太阳电池存在液态稳定性差的缺点。
微晶硅层入射复合薄膜太阳电池及其制备方法

[发明专利]固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜太阳电池及其制备方法-CN201010173784.X有效
发明人：田汉民;田学民;王伟;杨帆;杨瑞霞;赵红东;王立发 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2010-05-17 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，由透明导电基底、染料敏化纳米晶多孔膜、微晶硅空穴传输层和背电极构成；所述染料敏化纳米晶多孔膜被涂覆在透明导电基底上，微晶硅空穴传输层沉积在染料敏化纳米晶多孔膜上形成固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜，由铝或铜构成的膜被镀在固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜上形成背电极。本发明将染料敏化纳米晶材料和微晶硅复合薄膜材料相互匹配复合，所制得的固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜太阳电池同时克服了现有染料敏化太阳电池存在液态稳定性差和微晶硅薄膜太阳电池存在低制备速率导致制备成本高的缺点。
固态染料纳米晶微晶硅复合薄膜太阳电池及其制备方法

[发明专利]刻蚀顶端非掺杂本征层非对称金属膜垂直腔面发射激光器-CN200710056523.8无效
发明人： 赵红东;康志龙;何平;孙梅;韩力英;田红丽;张效玮 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2007-01-23 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明涉及一种刻蚀顶端非掺杂本征层非对称金属膜垂直腔面发射激光器和制备方法。它包括布拉格反射镜，高阻层，电极，衬底，量子阱有源区。上表面刻蚀的圆形金属反射膜、金属膜导线以及金属膜与上电极的接触层和上电极；在衬底的下表面有圆形金属反射膜、下表面金属膜导线、下表面电极。本发明引入非掺杂的本征层中刻出电流孔径，结合上表面与衬底表面刻蚀金属膜非对称结构实现电流和光场限制，发挥了金属膜的电极和反射镜功效，简化垂直腔面发射激光器列阵集成化工艺，并且降低了分布布拉格反射镜的对数，限制电流扩散区域，提高注入电流的光电耦合效率，本征高阻层和芯片一次生长完成，避免质子轰击或分别氧化工艺，有利于集成化。
刻蚀顶端掺杂征层非对称金属膜垂直发射激光器