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[发明专利]一种原子层热电堆热流传感器及其批量制备方法-CN202210286974.5有效
发明人：陶伯万;常永涛;赵睿鹏;费希;陈曦;李禛哲 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10N10/17 文献下载
摘要：本发明属于热流传感器领域，具体涉及一种原子层热电堆热流传感器及其批量制备方法。本发明提出的原子层热电堆热流传感器稳定性好；批量制备技术设计思路简单易行，在一英寸以上大面积的倾斜单晶基底上，通过特殊的图形化结构设计，一次性可批量生产上千个小型ALTP热流传感器，易于工业化大批量生产，大大提高工作效率，降低了成本。同时，可切割出包含2m、nm等根功能层线条的阵列样品，便于在测试时，根据不同需求选择不同个数样品进行测试，能够有效应对大热流场的测量需求应用场景，便于形成集成传感器芯片模块，充分发挥微系统可标准化批量化生产的特点，符合当今时代电路发展规律。
一种原子热电热流传感器及其批量制备方法

[发明专利]原子层热电堆热流传感器及制备方法-CN202210309485.7有效
发明人：黄涛;赵睿鹏;陈曦;谢天;陶伯万 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01K7/02 文献下载
摘要：原子层热电堆热流传感器，属于薄膜热流传感器技术领域。本发明包括内部晶面为倾斜取向的单晶基底和十字形热电堆薄膜，所述十字形热电堆薄膜设置于单晶基底的表面，十字形热电堆薄膜的四条臂与单晶基底的倾斜方向构成正交关系，十字形热电堆薄膜的四个端点各自设置有电极。本发明在ALTP热流传感器测量热流密度的基础上，通过传感器功能层薄膜的电阻用于准确的温度测量，利用对温度的标定获得该温度下传感器的灵敏度，进而获得准确的热流值，显著提升了热流测试精度。
原子热电热流传感器制备方法

[发明专利]一种智能农业的温室热能控制系统及控制方法-CN202211723221.2在审
发明人：陈果;赵睿鹏;刘正波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： A01G9/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种智能农业的温室热能控制系统及控制方法，包括支架和设置在之间上方的太阳能板，支架的顶部固定有蓄水箱，蓄水箱的内部固定有加热管，蓄水箱的顶部固定有蓄电池，本发明涉及农业技术领域。该智能农业的温室热能控制系统及控制方法，需要重新将太阳能板取下时，再次下压太阳能板，进而使得弹性折杆脱离V型槽并进入至渐变槽中，此时移动块在复位弹簧的弹力作用下快速复位，此时滑柱沿斜槽向上滑动，进而使得限位柱脱落限位槽，此时便可上拉太阳能板，完成对太阳能板的拆卸，整个太阳能板的在组装的过程中不需要采用螺栓等工具进行固定，拆卸时也无需借助工具，只需按压安装和再次按压拆卸，使得十分方便，省时省力。
一种智能农业温室热能控制系统控制方法

[发明专利]基于晶界弱连接特性的电子器件结构及制备方法-CN202211299779.2在审
发明人：刘雨辰;陶伯万;赵睿鹏 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H10N60/82 文献下载
摘要：基于晶界弱连接特性的电子器件结构及制备方法，属于电子信息材料与元器件领域。包括与高阻区一端连接的第一电极区以及与高阻区另一端连接的第二电极区；第一电极区和第二电极区中，至少有一个电极区通过低阻区连接到高阻区；所述低阻区、高阻区、第一电极区和第二电极区皆由晶粒倾斜取向的YBCO薄膜构成；高阻区中的YBCO薄膜的晶界线和低阻区中的YBCO薄膜的晶界线方向相同；高阻区的轴线垂直于YBCO薄膜的晶界线，低阻区的轴线平行于YBCO薄膜的晶界线；第一电极区和第二电极区皆设置有电极。本发明从薄膜生长控制出发，通过纤维状晶粒倾斜取向薄膜的生长，实现了对多晶薄膜晶界特性的有效控制。
基于晶界弱连接特性电子器件结构制备方法

[发明专利]曲面腔镀膜的CVD设备-CN202211233142.3在审
发明人：杨景婷;夏钰东;冯中沛;王其琛;赵睿鹏;陶伯万 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：公开了一种曲面腔镀膜的CVD设备，包括：蒸发腔，用于将蒸发源气化形成沉积气体；输气组件，与所述蒸发腔连接，用于传送所述沉积气体；沉积腔，与所述输气组件连接，用于将所述沉积气体沉积在基体表面形成薄膜；其中，所述输入组件的一侧位于沉积腔内，所述输入组件上位于沉积腔内的一侧设置有控温结构，用于控制所述沉积气体的温度。本申请的曲面腔镀膜的CVD设备，通过在输气组件上设置控温结构来控制沉积物气体的温度，从而降低沉积物气体在输气组件内凝结或沉积而导致管道堵塞的问题，此外，本申请的喷口设计以及样品可水平位移和旋转也使得CVD镀曲面膜成为可能。
曲面镀膜 cvd 设备

[发明专利]一种热流与温度的单点同时测量方法-CN202210276343.5有效
发明人：谢天;赵睿鹏;陈曦;李禛哲;钟耀;张同;陶伯万 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G01K7/22 文献下载
摘要：本发明属于薄膜特种传感器技术领域，具体涉及一种热流与温度的单点同时测量方法。本发明基于原子层热电堆热流传感器，利用其功能层薄膜电阻值随温度变化而改变，将其视为热电阻传感器，根据测得原子层热流传感器功能层薄膜电阻值的大小来表征其温度。并将功能层薄膜同时作为热流敏感元件和温度敏感元件，实现了温度和热流在同一点的同时测量，通过温度值修正热流特性曲线，使得热流测量更加准确。本发明消除了现有技术使用两种不同传感器时由传感器尺寸、传感器安装位置不同等因素引起的误差，并且薄膜传感器体积小，实际测量位置更加精准。
一种热流温度单点同时测量方法

[发明专利]一种高灵敏度微型原子层热电堆热流传感器及其制备方法-CN202210881824.9在审
发明人： 赵睿鹏;陈曦;陶伯万;李禛哲;钟耀;陶然;徐毅;熊兵 -专利权人：电子科技大学;中国航发四川燃气涡轮研究院
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：本发明属于热流传感器技术领域，具体涉及一种高灵敏度微型原子层热电堆热流传感器及其制备方法。本发明通过采用两种热电势信号极性相反的热电堆线条制备多线条结构，以避免同种ALTP材料制备多线条结构所必须的导电金膜的使用，在此基础上进一步显著提高了ALTP薄膜的有效长度；在保证ALTP热流传感器的灵敏度的前提下缩小传感器尺寸，从而降低传感器对流场的影响。
一种灵敏度微型原子热电热流传感器及其制备方法

[发明专利]一种叠层结构原子层热电堆热流传感器及其制备方法-CN202210881821.5在审
发明人： 赵睿鹏;徐毅;陈曦;陶伯万;李禛哲;谢天;张同;熊兵 -专利权人：电子科技大学;中国航发四川燃气涡轮研究院
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L35/10 文献下载
摘要：本发明属于热流传感器技术领域，涉及一种叠层结构原子层热电堆热流传感器及其制备方法。本发明采用叠层结构，通过将两种热电势信号极性相反的ALTP材料在三维空间相互串联，既增加了ALTP薄膜的有效长度，还开创性的将ALTP薄膜从二维布局转变为三维空间的架构，ALTP薄膜的相互串联不会占用衬底的平面位置，为ALTP热流传感器的小型化提供了一种新的思路，在保证小型化的前提下提高了ALTP热流传感器的灵敏度。
一种结构原子热电热流传感器及其制备方法

[发明专利]叠层结构薄膜热流传感器的制备方法-CN202210309541.7在审
发明人：林南星;赵睿鹏;钱凌轩;李禛哲;钟耀;陶伯万 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G01K7/02 文献下载
摘要：叠层结构薄膜热流传感器的制备方法，涉及传感器技术。本发明包括下述步骤：1）通过真空镀膜的方式在第一热电材料薄膜上生长第二热电材料薄膜，获得复合单元层，第一热电材料的厚度是第二热电材料薄膜的3~5倍；2）将预设数量的复合单元层重叠后，真空下烧结形成一个复合结构体；3）切割复合结构体，形成由各复合单元层斜向重叠构成的传感结构体；4）在传感结构体两端设置电极。本发明可以在有限尺寸条件下，使用微加工工艺，减小金属薄膜厚度，提高金属叠层数量，使得人造倾斜叠层结构薄膜热流传感器的灵敏度大大提升。
结构薄膜热流传感器制备方法

[发明专利]一种二代高温超导带材金属前驱膜的制备方法-CN202110153748.5有效
发明人：夏钰东;王其琛;赵睿鹏;欧凯;陶伯万 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及高温超导材料技术领域，具体涉及一种二代高温超导带材金属前驱膜的制备方法，采用磁控溅射方法制备金属前驱膜，在进行磁控溅射过程中，使用叠成靶作为溅射靶材，叠成靶包括自上而下依次叠加设置的钡靶层、稀土元素靶层和铜靶层。本发明采用的叠成靶由稀土元素(Re，可以是Y，Gd，Sm，Dy)、钡(Ba)和铜(Cu)三种不同金属、不同形状的靶材叠加而成，不需要对易氧化难加工的钡进行精加工，直接将靶材叠通过直流磁控溅射方式就能够制备得到用于制备二代高温超导带材的金属前驱膜，制备成本低，制备薄膜效率高，相比于其他方法制备YBCO薄膜具有更高的性价比，对促进二代高温超导带材的发展和研究具有重要意义。
一种二代高温超导金属前驱制备方法

[发明专利]一种三靶共溅射制备第二代高温超导带材的方法-CN202110151100.4在审
发明人：夏钰东;周静;赵睿鹏;欧凯;陶伯万 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及高温超导材料技术领域，具体涉及一种三靶共溅射制备第二代高温超导带材的方法，采用磁控溅射进行制备前驱体预制膜，然后将前驱体预制膜进行氧化处理，得到第二代高温超导带材，在磁控溅射过程中，采用三个溅射枪同时朝向基底进行溅射，三个溅射枪处于同一平面，且溅射枪之间的连线构成正三角形，第一个溅射枪以钡作为靶材，第二溅射枪以铜作为靶材，第三个溅射枪以稀土元素作为靶材。本发明相较于现有技术，提高了靶材的利用率，降低了制备成本，提高了高温超导带材的制备效率；同时制备的前驱体预制膜元素比可控，提高了实验重复性，并且，该方法能够对稀土金属靶材进行掺杂其他金属元素，提升薄膜的钉扎效果，进而提升第二代高温超导带材在磁场下的应用。
一种三靶共溅射制备第二代高温超导方法

[发明专利]一种易集成微型原子层热电堆热流传感器及其制备方法-CN202110066961.2在审
发明人：陶伯万;费希;赵睿鹏;陈曦;杨帆;夏涛;黄涛;常永涛;陈亭宇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：本发明属于热流传感器技术领域，具体涉及一种易集成微型原子层热电堆热流传感器及其制备方法。本发明基于横向热电效应，采用n‑1根导电膜将n根热电堆线条串联导通；可用单一材料实现缩减了成本。可通过MEMS技术制造，具有体积小、重量轻、响应速度快等特点，同时采用的热电堆结构简单，制备过程简单，可控性强，与现有成熟的半导体工艺具有良好的兼容性，适用于工业化大批量生产；在保证响应速度的前提下，可根据实际测量需求设计线条数来倍增响应信号，从而大幅度提高器件灵敏度，以满足不同的测量要求，进一步扩展其应用范围；采用额外m处电极导电膜的设计时，能够兼容不同量程的信号接收器。
一种集成微型原子热电热流传感器及其制备方法

[发明专利]一种用于薄金属的高温薄膜沉积的加热装置-CN201810995176.3有效
发明人：陶伯万;徐一鲡;赵睿鹏;苟继涛;陈然;贺冠园 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：本发明属于薄膜制备技术领域，具体为一种用于薄金属的高温薄膜沉积的加热装置。本发明重新设计了电极组单元；金属基带经过N个特殊设定的导电金属棒，被其支撑并与其良好接触，且导电金属棒不随金属基带的移动而滚动。导电金属棒与金属基带成线性接触导电，并对金属基带起支撑作用使其不发生形变，避免产生打火现象，保证了薄膜的后期应用。本发明适用于不同宽度厚度的单面金属基带的加热；并且升温速率高，温度分布均匀，能效高，同时可实现多层薄膜的连续制备。这些优势对于薄膜的工业化制备尤为重要，可以提高制备薄膜的质量，并降低成本。
一种用于金属高温薄膜沉积加热装置

[实用新型]第二代高温超导带材金属溅射靶材保护装置-CN202020275308.8有效
发明人：夏钰东;陈岚;赵睿鹏;陶伯万 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型涉及磁控溅射技术领域，具体涉及一种第二代高温超导带材金属溅射靶材保护装置，所述保护装置包括保护壳体、升降驱动装置和磁控溅射枪，保护壳体内设置有保护腔室，磁控溅射枪设置在保护腔室内，保护壳体的底部设置有闸板阀，所述闸板阀用于封闭保护腔室，所述升降驱动装置设置在保护壳体的顶部，所述磁控溅射枪通过伸缩杆与升降驱动装置连接。本实用新型通过保护腔室保护安装在磁控溅射枪上的靶材，让靶材处于保护腔室的真空保护状态，在更换基片或基带的过程中避免靶材氧化，减少换取基片样品过程中靶材氧化的相关影响，对促进易氧化靶材的连续制备研究，特别是第二代高温超导带材金属靶的高质量制备研究具有重要意义。
第二代高温超导金属溅射保护装置

[发明专利]一种多晶或非晶基底上制备原子层热电堆薄膜的方法-CN202010196210.8在审
发明人：陶伯万;贺冠园;费希;夏涛;赵睿鹏 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明属于薄膜制备技术领域，具体涉及一种多晶或非晶基底上制备原子层热电堆薄膜的方法。本发明采用IBAD法在非晶基底上获得双轴织构；并通过改变通常所用的离子束入射方向与MgO蒸发源入射方向相对于基底的夹角，薄膜形成类似于斜切单晶表面c轴倾斜于基底法线的结构，最终得到具有c轴倾斜晶粒的薄膜。本发明适用于多晶和非晶的表面，不仅可以使用厚度薄、柔性高、导热性好的金属带材代替现有技术的单晶作为基底，又可应用于在被测件表面直接沉积薄膜制成集成的原子层热电堆传感器，为复杂外形表面的热流测试提供全新的技术手段。
一种多晶基底制备原子热电薄膜方法

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