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[发明专利]一种真空磁控溅射卷绕镀制低残余应力厚铜膜的方法-CN201910465143.2有效
发明人：王兰喜;王艺;周晖;张凯锋;王虎;赵慨;李学磊;左华平 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种真空磁控溅射卷绕镀制低残余应力厚铜膜的方法，属于铜膜制备技术领域。本发明所述方法一方面通过优化溅射气压，使铜膜中的压应力和张应力接近并相互抵消；另一方面在镀膜辊轴中通入冷却液使柔性基底温度在溅射过程中保持在室温左右，抑制热应力的产生，从而使所制备的2μm以上厚铜膜具有较低的残余应力，能够提高柔性基底厚铜膜材料的后加工精度和可靠性，为柔性基底厚铜膜材料在薄膜航天器、大型空间电池阵、柔性展开天线、柔性电缆等领域的应用奠定良好的基础，拓展柔性基底厚铜膜材料在航天领域的应用。
一种真空磁控溅射卷绕镀制低残余应力厚铜膜方法

[发明专利]一种智能生成机柜设备发热大数据的方法及装置-CN201910154621.8有效
发明人：赵慨;周鹏飞 -专利权人：北京慧辰资道资讯股份有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G06F11/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种智能生成机柜设备发热大数据的方法及装置，属于环保节能领域，本发明公开的装置包括发热指令装置、动态发热控制装置和热状态采集装置，发热指令装置能够根据测试需求,产生具体的机柜设备发热指令，发送给动态发热控制装置。动态发热控制装置根据指令，对控制机柜内的设备(服务器等)内部构件(如CPU、GPU和硬盘)动态调整运行负荷，从而产生对应的发热。发热状态采集装置则采集机柜动态发热大数据；本发明内置的动态发热控制装置能够根据测试需求智能化、实时精确地调整机柜内设备运行负荷变化情况，从而精确控制机柜外部发热变化，可见本发明可以智能化生成真实的机柜设备发热动态大数据。
一种智能生成机柜设备发热数据方法装置

[实用新型]一种曲茎石斛组培架-CN202120070702.2有效
发明人：赵慨;卫喜霞 -专利权人：河南省静逸农业科技发展有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： A01H4/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种曲茎石斛组培架，包括组培架一号主体，所述组培架一号主体的下端设置有组培架二号主体，所述组培架一号主体与组培架二号主体之间安装有连接机构。本实用新型所述的一种曲茎石斛组培架，在使用时，人们可拉动拉杆，使拉杆缩入限位槽中，将培育板通过滑槽推入组培架中，再松开拉杆，而限位块会受到弹簧的回弹力带动拉杆，使其卡入卡槽内，便起到固定的效果，同时便于人们安装与拆卸，而连接机构能够隔开两个组培架，可调节组培架的高度，同时外层的固定框能够稳定架体，防止上下两端的架体会发生偏移，而且固定框通过固定螺丝与连接板连接，有效的增强了组培架的实用性，带来更好的使用前景。
一种石斛组培架

[发明专利]一种低应力耐湿热复合热控薄膜及其制备方法-CN201910461825.6有效
发明人：何延春;吴春华;周晖;王志民;王艺;赵慨;王虎;杨淼;张凯锋;左华平 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种低应力耐湿热复合热控薄膜及其制备方法，属于热控薄膜技术领域。所述薄膜包括依次沉积在基底上的反射率层、过渡层、发射率层和导电层；通过在高反射率层和SiO2发射率层之间增加Al2O3过渡层，既可以提高反射率层和主发射率层之间的附着力，又可以调控薄膜的热控参数。通过控制主发射率层的致密度和微观结构，使SiO2内层处于较为疏松的状态，外层致密度较高，使薄膜应力总体处于较低的状况，而外层的高致密度SiO2实现了水汽的有效阻隔，提高整个膜系的耐湿热能力。所述热控薄膜满足大于4N/cm的膜层附着力要求，同时满足24h时长95％湿度的试验要求。
一种应力湿热复合薄膜及其制备方法

[发明专利]一种太阳吸收率和红外发射率可调控的热控薄膜结构及其确定方法-CN201910461837.9在审
发明人：王志民;周晖;王艺;何延春;王虎;赵慨;吴春华;杨淼;郑军 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳吸收率和红外发射率可调控的热控薄膜结构及其确定方法，属于热控薄膜技术领域。由沉积在基底上的金属层、两层以上的Al₂O₃层和两层以上的SiO₂层组成，其中，Al₂O₃层和SiO₂层的层数相同且按照Al₂O₃层在下SiO₂层在上的顺序依次交替沉积；金属层沉积在基底上，第一层Al₂O₃层沉积在金属层上，每一次Al₂O₃层和每一次SiO₂层的厚度均在50nm以上。通过叠层设计，在减小薄膜总体厚度的同时实现了热控参数在较大范围内的调控，满足航天器热控薄膜的通用要求，并具备良好的空间环境稳定性要求。
热控薄膜红外发射率太阳吸收率金属层可调控基底两层沉积航天器热控金属层沉积稳定性要求薄膜总体叠层设计交替沉积空间环境通用要求第一层减小薄膜调控

[实用新型]一种曲茎石斛催芽用培养箱-CN201820906609.9有效
发明人：赵慨;卫喜霞;赵新中 -专利权人：河南省静逸农业科技发展有限公司
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： A01C1/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种曲茎石斛催芽用培养箱，涉及培养箱领域，包括培养箱，培养箱的内部设有消毒部，消毒部包括第一滚筒，第一滚筒的右侧设有第一套筒，第一套筒上端设有第一消毒池，第一套筒内设有第一螺杆，第一套筒内部设有正旋螺纹，第一套筒右侧设有第二套筒，第二套筒内部设有反旋螺纹，第二套筒右侧设有培养池，转动轴之间设有齿条，齿条上设有套筒，套筒下设有消毒部，网篮下端为漏斗状，漏斗口下方设有活动块，活动块的右端内部设有电磁铁，活动块的右侧设有固定块，固定块内设有异名磁铁，活动块的左端与消毒部的内壁通过若干个弹簧连接，本实用新型使得曲茎石斛在催芽阶段实现消毒、播种的自动化培养，使得培养箱保持无菌状态。
套筒培养箱活动块消毒部石斛本实用新型固定块滚筒齿条催芽种曲电磁铁催芽阶段弹簧连接反旋螺纹无菌状态正旋螺纹上端漏斗口漏斗状培养池消毒池转动轴磁铁螺杆内壁左端自动化播种消毒

[发明专利]一种CIGS太阳电池吸收层制备方法-CN201410766588.1在审
发明人：王金晓;冯煜东;王艺;王志民;赵慨;速小梅;王虎;杨淼 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种CIGS太阳电池吸收层制备方法。使用本发明能够在较低温度下一步生成平整、致密、均匀、光电性能良好的CIGS太阳电池光吸收层薄膜，能显著降低CIGS太阳电池光吸收层薄膜的制备温度，简化工艺。本发明利用Se离子高的化学活性以及离子的动能对表面吸附、解离以及扩散作用的增强而降低反应沉积温度，在基底上采用磁控溅射CuGa合金靶和In靶、或CuGa合金靶和CuIn合金靶、或CuInGa合金靶的同时，采用硒离子束进行硒化反应，生成CIGS太阳电池吸收层，实现低温一步沉积。
一种 cigs 太阳电池吸收制备方法

[发明专利]一种低吸收率氧化硅薄膜的制备方法-CN201410782697.2在审
发明人：王虎;王志民;冯煜东;王艺;赵慨;速小梅;王金晓;杨淼 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2014-12-16 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： C23C14/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种低吸收率氧化硅薄膜的制备方法，该方法的具体步骤为：步骤一、在真空腔内设置硅靶和离子源，将基底放在真空腔内，打开真空泵组，使真空腔本底真空度高于2.0×10^-3Pa；步骤二、用氩离子束对基底进行清洁活化；步骤三、采用氧离子束辅助脉冲反应磁控溅射技术沉积氧化硅薄膜；本发明通过氧离子束辅助脉冲反应磁控溅射技术，利用氧离子高的化学活性以及离子的动能来增强氧化硅薄膜对铝合金基底表面吸附、解离以及扩散效果，从而提高氧化硅薄膜致密度和氧化硅薄膜的沉积速率，进而制得了高质量低吸收率氧化硅薄膜。
一种吸收率氧化薄膜制备方法

[发明专利]一种薄膜的裁切方法-CN201410782434.1无效
发明人：王虎;王志民;冯煜东;左华平;王艺;赵慨;杨淼 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2014-12-16 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： B65H35/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜的裁切方法，该方法的具体步骤为：步骤一、将待裁切薄膜安装于放卷辊上；步骤二、将待裁切薄膜依次卷绕经过导辊和裁切辊，最后将裁切辊裁切后的两块薄膜分别卷绕固定于两个收卷辊上；步骤三、打开放卷辊及收卷辊的张力控制器，通过调整放卷辊及收卷辊的张力控制器来调整薄膜的张力大小，进而调整薄膜的平整度；步骤四、打开薄膜连续卷绕装置的电机使导辊旋转，导辊带动薄膜由放卷辊向收卷辊卷绕走带，裁切辊的裁切刃口持续裁切薄膜，实现待裁切薄膜的走带裁切；本发明可适用于各种柔性薄膜材料的裁切，由于裁切辊的裁切刃口采用活动式设计，可根据具体需求调整薄膜裁切宽度，将较宽的薄膜材料裁切为较窄幅宽的薄膜。
一种薄膜方法

[发明专利]一种降低铝合金片材太阳光谱吸收率的方法-CN201410782896.3在审
发明人：王虎;王志民;冯煜东;王艺;赵慨;速小梅;王金晓;杨淼 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2014-12-16 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低铝合金片材太阳光谱吸收率的方法，首先通过抛光工艺降低铝合金基底表面粗糙度；然后依次用洗涤剂和无水乙醇对铝合金基底进行清洗，再采用超声清洗工艺对铝合金基底进行深度清洗；接着，在铝合金基底上镀制铬过渡膜，镀膜工艺采用直流磁控溅射的方法，工艺参数为：靶基距90mm，工作气体：溅射高纯氩气，工作气压0.35Pa，铬靶溅射功率600W，溅射时间3分钟；最后，在铬过渡膜上镀制铝膜，镀膜工艺采用直流磁控溅射的方法，工艺参数为：靶基距90mm，工作气体：溅射高纯氩气，工作气压0.40Pa，铝靶溅射功率400W，溅射时间6分钟；至此完成低太阳能吸收率铝合金片材的制备工艺；该制备工艺能够有效的降低铝合金片材的太阳能吸收率。
一种降低铝合金太阳光谱吸收率方法

[发明专利]一种柔性金属基底高吸热型金属陶瓷复合膜-CN201110354714.9无效
发明人：赵慨;冯煜东;王艺;王志民;速小梅 -专利权人：中国航天科技集团公司第五研究院第五一〇研究所
申请日： 2011-11-10 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： B32B15/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性金属基底高吸热型金属陶瓷复合膜，属于表面工程技术领域。所述复合膜由柔性金属基底向复合膜表面依次包含反射层、吸收层和减反层，所述吸收层为M-Al2O3金属陶瓷膜层，其中掺杂的金属M微粒在被掺杂介质Al2O3中从内到外含量逐渐递减，并呈梯度分布由此使整个复合膜具备高效吸热特性。本发明具有吸热率高、红外发射率低不易分解等特点，在太阳能热利用领域具有广阔的应用前景。
一种柔性金属基底吸热金属陶瓷复合

[发明专利]柔性金属基底双靶共溅射连续镀制梯度金属陶瓷膜层方法-CN201110354715.3无效
发明人：赵慨;冯煜东;王艺;王志民;速小梅 -专利权人：中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所
申请日： 2011-11-10 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种柔性金属基底双靶共溅射连续镀制梯度金属陶瓷膜层方法，对柔性金属基底通过清洗活化处理并镀制金属反射膜层后；在镀制好的金属反射膜层上，连续镀制梯度M-Al2O3金属陶瓷膜层；本发明通过双靶共溅射的工艺使金属M粒子在Al2O3介质基体中的含量从金属陶瓷与金属分界面向金属陶瓷表面呈梯度减少；使带有金属陶瓷复合膜层的复合膜具有高吸收发射比和高效吸热的性能；而且可以一次连续卷绕镀制，实现了在柔性金属基底高反射金属膜上连续大面积镀制梯度金属陶瓷吸收膜层。
柔性金属基底双靶共溅射连续梯度陶瓷膜方法

[发明专利]一种氧化铝薄膜的制备方法-CN201110396374.6无效
发明人：王金晓;冯煜东;王艺;王志民;赵慨;速小梅;王虎;杨淼 -专利权人：中国航天科技集团公司第五研究院第五一〇研究所
申请日： 2011-12-04 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化铝薄膜的制备方法，属于表面工程技术领域。所述方法包括以下步骤：将柔性聚合物薄膜基底放在真空室内，对真空室抽真空至真空室内压强≤2.0×10-3Pa；用离子源对基底进行氩离子轰击处理，提高镀制膜层的附着力；其中氩气流量为15sccm，离子束放电电压为280V，离子束电流为1A；采用氧离子束辅助脉冲反应磁控溅射技术沉积氧化铝薄膜，靶源为铝靶。制备过程中基底一直保持室温，避免了高温对柔性聚合物薄膜基底的损害。可以在柔性聚合物基底上实现高质量氧化铝薄膜的快速沉积。
一种氧化铝薄膜制备方法

[发明专利]柔性金属基底辉光大束流低电压等离子体活化工艺-CN201110354717.2无效
发明人：赵慨;冯煜东;王艺;王志民;速小梅 -专利权人：中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所
申请日： 2011-11-10 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：一种柔性金属基底辉光大束流低电压等离子体活化工艺，将柔性金属基底卷绕在卷绕机构上，该卷绕机构放置在真空室内；打开真空泵组，将真空室抽真空至3x10-3Pa，调节Ar气流量为10～15sccm，使真空室真空度为2x10-1～3x10-1Pa；打开辉光电源，将电压施加在辉光源和真空室之间，待起辉后调节电源电压为250～350V、电流为1～3A和功率为300～800W，之后打开档板，控制卷绕辊的线速度从而通过镀膜辊带动绕在所述放卷辊上的柔性金属基底移动并进行活化。本发明对柔性金属基底采用大束流低电压等离子体连续活化工艺，不但使镀制的膜层附着力好，而且速度快，利于进行大面积连续活化和批量镀膜生产。
柔性金属基底辉光大束流低电压等离子体活化工艺

[发明专利]大面积柔性金属基底高吸热金属陶瓷复合膜连续制备方法-CN201110354716.8无效
发明人：赵慨;冯煜东;王艺;王志民;速小梅 -专利权人：中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所
申请日： 2011-11-10 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种大面积柔性金属基底高吸热金属陶瓷复合膜连续制备方法是：对柔性金属基底通过辉光等离子体进行清洗活化后镀制金属反射膜层；在镀制好的金属反射膜层上，连续镀制梯度M-Al2O3金属陶瓷膜层；在所述M-Al2O3金属陶瓷膜层之上，镀制减反层Al2O3膜作为外层膜。本发明采用双靶共溅射的工艺实现了太阳能选择吸收膜的吸收层为一层且一次连续卷绕镀制而成的方法，并且其中的金属微粒体积分数在介质中呈连续梯度分布而形成一种新的金属陶瓷复合膜。该金属陶瓷复合膜具有高吸收发射比和高效吸热的性能。
大面积柔性金属基底吸热金属陶瓷复合连续制备方法

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