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- [实用新型]一种抗静电的LED芯片-CN202221036112.9有效
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易虎;庄晓鹏;易宇;赵思勤;江雄
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蓝芯存储技术(赣州)有限公司
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2022-05-03
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2022-09-02
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H01L33/62
- 本发明公开了一种抗静电的LED芯片,具体涉及半导体发光领域,包括LED芯片包括GaN基发光二极管,GaN基发光二极管包括衬底与位于衬底表面的外延结构,外延结构自下而上包括成核层、高温缓冲层、N型氮化镓导电层、发光层多量子阱结构、P型氮化铝镓电子阻挡层,P型氮化镓导电层,P型接触层,在N型氮化镓导电层与发光层多量子阱结构之间,插入了lt氮化镓层。本发明通过为LED芯片集成肖特基二极管与在硅底板上集成齐纳二极管,为LED芯片提供了分流和限压的作用;通过改变不同外延层的生长温度,生长厚度和结构参数能提高结晶质量,提升器件的LED芯片ESD性能,改善了电流的横向分布,避免局部电流密度过大,产生热击穿。
- 一种抗静电led芯片
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