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[实用新型]用于假脚的电池支架-CN202123270293.X有效
发明人：宋亮;李国富;赵云午 -专利权人：国家康复辅具研究中心
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： A61F2/66 文献下载
摘要：本申请提供了一种可以灵活调整的用于假脚的电池支架，包括：相对设置的第一连接片和第二连接片，假脚的外壳和电池包分别夹置在第一连接片、第二连接片的第一端部和第二端部处；第一螺栓，穿过第一连接片、第二连接片的第一端部并且穿过假脚的外壳，使得第一连接片、第二连接片与外壳枢转连接；第二螺栓，穿过第一连接片、第二连接片的第二端部并且穿过电池包，使得第一连接片、第二连接片与电池包枢转连接，电池包用于容纳电池并且与假脚电连接；第一阻尼片、第二阻尼片、第三阻尼片、第四阻尼片，分别设置在第一连接片和外壳之间、第二连接片和外壳之间、第一连接片和电池包之间、第二连接片和电池包之间。
用于电池支架

[实用新型]假脚-CN202120247598.X有效
发明人：宋亮;李国富;赵云午 -专利权人：国家康复辅具研究中心
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： A61F2/66 文献下载
摘要：本实用新型的实施例提供了一种假脚，包括：脚板；外壳，外壳通过支架连接于脚板，支架的踝关节中心与外壳枢转连接，支架的下端面抵靠脚板的后端，支架还包括位于踝关节中心和下端面之间、并与踝关节中心和下端面一体形成的C形支撑部，C形支撑部的开口朝向脚板的前端。本实用新型的目的在于提供一种假脚，通过本申请实施例的转动支架的特殊结构，在保证整体结构强度的前提下，将支架由传统的刚性结构变成弹性结构，减轻了假脚的质量。
假脚

[发明专利]一种步态运动模式识别方法和模型建立方法-CN202110100254.0在审
发明人：宋亮;张誉腾;杨荣;赵云午;龚思远 -专利权人：国家康复辅具研究中心
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种步态运动模式识别方法和模型建立方法。其中，模型建立方法包括：基于第一目标算法和第二目标算法建立踝关节假肢的第一步态运动模型和第二步态运动模型；以踝关节假肢对应的下肢运动状态参数作为输入，步态运动模式作为输出，同时对第一步态运动模型和第二步态运动模型进行训练，得到第一目标训练模型和第二目标训练模型；基于目标优化算法对第一目标训练模型和第二目标训练模型进行优化，得到第一优化模型和第二优化模型；基于适应度函数，确定第一优化模型和第二优化模型对应的第一权值和第二权值；基于第一权值和第二权值，确定步态运动模式识别模型。通过实施本发明，提高了小腿假肢踝关节的步态运动模式识别精度。
一种步态运动模式识别方法模型建立

[发明专利]用于测试存储器的方法及装置-CN201410546844.6有效
发明人： 赵云午;王浩 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2014-10-16 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本发明涉及用于测试存储器的方法及装置。在一种集成电路中，第一触发器扫描链被载入用于测试触发器的数据保持的数据，并且存储器被载入用于由存储器内建自测试(MBIST)包装器电路执行保持测试的数据。在数据被从存储器内读取之前，系统的一部分被置于低功率状态中达预定的时间段，并且处于低功率状态下的存储器的数据保持力被确定。
用于测试存储器方法装置

[发明专利]具有电源状态传感器的存储器电路-CN201310654610.9有效
发明人：崔璟;章沙雁;赵云午 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2013-12-06 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：用于数据处理器的电源控制电路用相应于存储器性能等级的供电电压供应存储器阵列。所述性能等级包括完全性能等级进而省电性能等级。电压传感电路传感所述存储器阵列的电压等级并且输出电源状态信号。所述电源状态信号用于确定当所述存储器阵列是苏醒时，能够被访问。
具有电源状态传感器存储器电路

[发明专利]一种锗隧穿二极管及其制备方法-CN201010180596.X有效
发明人：张滢清;赵嘉林;韩基东;赵云午;郑云华 -专利权人：无锡汉咏微电子有限公司
申请日： 2010-05-24 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供了一种材质更均匀，实现的隧穿器件电流密度较高的锗隧穿二极管及其制备方法，采用了简单的旋涂掺杂、金属淀积、等离子体化学气相沉积、熔体快速生长液相外延等方法，提供一种成本低廉的锗隧穿二极管制备方法。本发明的制备方法具有材料设备成本低，与现有硅工艺可兼容的优点，制备过程所用的材料及方法成本低、无毒害，所用仪器及方法均广泛用于工业界硅的大规模集成工业制造。
一种锗隧穿二极管及其制备方法

[发明专利]一种高性能运算放大器的结构-CN201010180587.0无效
发明人：张滢清;赵嘉林;韩基东;赵云午;郑云华 -专利权人：无锡汉咏微电子有限公司
申请日： 2010-05-24 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明涉及一种高性能的运算放大器结构，包括斩波调制器、输入级电路、中间级增益电路与消失真电路、输出级电路。所述斩波调制器与输入级电路相互连接，输入级电路与中间级增益级电路、消失真电路相互连接；所述的中间级增益电路、消失真电路与斩波调制器相互连接；所述输出级电路与斩波调制器相互连接。本发明提供了一种高性能的运算放大器结构，这种结构具有对各种干扰影响适应性强的优势，能够广泛地运用在电能计量表、模数转换器等芯片之中。
一种性能运算放大器结构