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[发明专利]光耦芯片砷化镓材质晶粒开盖方法-CN202210450384.1在审
发明人： 赖献滨 -专利权人：苏试宜特（深圳）检测技术有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种光耦芯片砷化镓材质晶粒开盖方法，包括步骤：提供光耦芯片，所述光耦芯片是通过硅胶将砷化镓材质晶粒与硅材质晶粒对立封装；将所述光耦芯片上硅材质晶粒端引线架以及硅材质晶粒研磨去除，并将所述硅胶减薄；对已研磨并减薄的光耦芯片进行腐蚀，直至所述砷化镓材质晶粒露出。采用本方法，避免了在开盖制备样品的过程中砷化镓材质晶粒因长时间腐蚀被破坏，方法简单，快速，且有效提高了样品制备良率。
芯片砷化镓材质晶粒方法

[发明专利]羧基修饰的CdSe-ZnS核壳结构量子点的制备方法-CN201410126580.9无效
发明人：应明;沈林燕;赖献滨;李会章 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：一种羧基修饰的CdSe-ZnS核壳结构量子点的制备方法，步骤如下：制备镉的前体溶液；制备硒的前体溶液；将硒的前体溶液滴入镉的前体溶液中，加入水合肼进行反应得到CdSe量子点溶液；高速离心后将沉淀分散在丙酮中清洗分离,最后将沉淀溶于去离子水中得到CdSe量子点溶液；滴注醋酸锌溶液和硫化钠溶液进行加热回流反应；陈化后即可制得目标物。本发明的优点是：该方法制备的CdSe-ZnS量子点荧光发射峰主要分布在470-570之间，为肉眼可见的高强度黄绿色荧光，该量子点单分散性好、稳定性强、水溶性好，适合作为量子点荧光标记应用；该合成方法简单、易于操作、安全性高、成本低，适合实验室研究和工业化生产。
羧基修饰 cdse zns 结构量子制备方法