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- [发明专利]半导体存储器元件-CN202210786157.6在审
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罗浩展;吴星汉;王治权;赖振益;吴俊亨
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南亚科技股份有限公司
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2022-07-04
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2023-06-13
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H01L29/06
- 本公开提供一种半导体存储器元件。半导底存储器元件包括一基底，具有一单元区以及一周围区；一第一位元线结构设置在单元区的一表面上并从单元区的表面突伸，第一位元线结构依序包括一位元线接触点、一钨层以及一氮化物层，位元线接触点设置在单元区的表面上，钨层设置在位元线接触点上，氮化物层设置在钨层上，第一位元线结构具有一侧壁以及一向上倾斜上部，一阻挡层，共形地覆盖邻近第一位元线结构的多个侧壁与单元区的多个气隙；以及一着陆垫，设置在向上倾斜上部以及第一位元线结构的多个侧壁上，着陆垫具有一倾斜表面，其对应第一位元线结构的向上倾斜上部。
- 半导体存储器元件
- [发明专利]制造半导体装置的方法-CN202111568443.7在审
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王治权;赖振益
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南亚科技股份有限公司
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2021-12-21
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2023-04-18
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H01L21/764
- 一种制造半导体装置的方法包括形成第一导体结构在基材上、形成第一间隔物在第一导体结构的侧壁上、形成牺牲层在第一间隔物的侧壁上、形成第二间隔物在牺牲层的侧壁上、形成第二导体结构相邻于第二间隔物、以及移除牺牲层以形成气隙。移除牺牲层以形成气隙的方法包括提供第一气体以形成在第一气压的第一阶段、提供第二气体和第一气体以形成在第一气压的第二阶段、提供第三气体、第二气体和第一气体以形成在第一气压的第三阶段、以及提供第一气体以形成在第二气压的第四阶段，其中第二气压低于第一气压。牺牲层在第三阶段中移除。提升气相蚀刻工艺的稳定性而改善蚀刻选择比，借此降低间隔物的损失从而提升半导体装置良率。
- 制造半导体装置方法
- [发明专利]半导体结构与其形成方法-CN202110702607.4在审
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赖振益
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南亚科技股份有限公司
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2021-06-24
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2022-11-25
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H01L27/108
- 一种半导体结构包括具有隔离区域和主动区域的基材，以及字元线结构。字元线结构包括第一部分和第二部分。第一部分形成于基材的隔离区域内，其中隔离区域包围第一部分。第二部分形成于基材的主动区域内，其中第二部分的宽度大于第一部分的宽度。每一字元线结构中的各个部分依据其所在的位置而具有不同的宽度。位于隔离区域的部分字元线结构具有较小宽度，从而增加字元线结构与相邻元件的距离，使得隔离区域能提供较好的电性阻隔而减少半导体结构产生漏电的现象。同时，位于主动区域的部分字元线结构保有较大宽度，以提供足够的通道面积而保持半导体结构的效能。
- 半导体结构与其形成方法
- [发明专利]形成半导体结构的方法-CN202110709302.6在审
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赖振益
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南亚科技股份有限公司
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2021-06-25
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2022-11-15
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H01L21/308
- 一种形成半导体结构的方法包括形成图案化硬遮罩在半导体材料层上、借由蚀刻工艺和图案化硬遮罩移除半导体材料层的一部分以形成数个半导体柱和数个沟槽。蚀刻工艺的过程中产生残留物在沟槽内。方法还包括移除残留物。移除残留物包括使用第一气相清洁工艺以移除残留物的至少一部分，以及在使用第一气相清洁工艺之后，使用第二气相清洁工艺以移除残留物的剩余部分。第一气相清洁工艺的条件不同于第二气相清洁工艺的条件。本发明提供的形成半导体结构的方法是使用多步骤的气相清洁工艺以移除半导体结构上的残留物作为蚀刻后清洁的操作。借由气体组成的选择以及工艺条件的安排，在进行蚀刻后清洁的操作中最小化对半导体结构的影响。
- 形成半导体结构方法
- [实用新型]千斤顶架-CN97223312.1无效
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赖振益
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赖振益
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1997-05-26
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1998-12-09
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B66F7/28
- 可折叠放置使体积大为缩小的千斤顶架,撑架由两撑板组成,撑板两侧弯折成侧翼板,侧翼板上端与平台下弯之延伸板枢接,侧翼板下部经架设板和靠合板相互枢连,平台中央穿焊定位套,定位套中插置顶杆,定位套上设径向通孔,顶杆设若干径向通孔,撑架上经链条连有插销可销定顶杆,顶杆上部设轴向螺孔,其中配置螺杆。本千斤顶架可配合千斤顶支撑所举重物,它适用于不同高度,使用方便,折叠时体积小。
- 千斤顶
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