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[发明专利]一种快速高效烘干真空管的方法-CN202110227268.9在审
发明人：刘金养;蔡宇珊;杨顺航;朱星星;高帅;黄志高;赖发春 -专利权人：福建师范大学
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： F26B5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速高效烘干真空管的方法，将真空管和电吹风之间采用连接器连接，使得连接器的一端与电吹风送风口连接，连接器的另一端与真空管的内壁或外壁连接，当电吹风接通电源时，电吹风输出的风通过连接器在真空管内部或外部传送，真空管内壁或外壁上液体随风蒸发带走，使真空管达到快速烘干的效果。本发明方法操作简单，适用于各种类型真空管，不仅实现了能量的有效利用，还能缩短烘干真空管的时间、提高了效率，有很大的应用前景。
一种快速高效烘干真空管方法

[发明专利]一种微米级定点定位纳米材料转移方法-CN202010628543.3在审
发明人：刘金养;杨顺航;朱星星;蔡宇珊;王梦龙;黄志高;赖发春 -专利权人：福建师范大学
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开一种微米级定点定位纳米材料转移方法，属于低维纳米材料领域，利用显微镜高空间分辨率的优点，结合三维光学移动平台，应用有机聚合物作为待转移纳米材料的载体，在显微镜下精确地把待转移材料定点定位转移至目标，构建各种纳米结构，应用于光电探测等器件。该方法能够精确地定点定位形成各种纳米结构，可构建各种微纳器件，有广阔的应用前景。
一种微米定点定位纳米材料转移方法

[发明专利]一种单层单晶方形石墨烯的制备方法-CN201910283735.2在审
发明人：温勇;黄蓉;黄志高;赖发春 -专利权人：福建师范大学
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种单层单晶石墨烯的制备方法。具体为：用剪刀将铜箔剪切成合适大小，将其放入稀盐酸中进行超声清洗，然后转移至丙酮溶液中超声清洗，清洗结束后用氮气吹干待用；将铜箔放入管式炉石英管内，通入Ar，在氩气气氛下升温至1000～1060℃进行退火处理；对管式炉抽真空至10 Pa，调节化学气相沉积系统使系统压强稳定在0.54 KPa，在该压强下生长10 min；快速降温，并通入300～350 sccm Ar和4 sccm H₂，待降至室温即生长出单层单晶方形石墨烯。该方法制备过程简单可控，为进一步理解石墨烯生长机制、实现石墨烯的大规模生产具有重要的指导作用。
单层超声清洗方形石墨石墨烯单晶放入铜箔制备生长化学气相沉积系统压强丙酮溶液单晶石墨氮气吹干快速降温炉抽真空退火处理系统压强制备过程氩气气氛剪切管式炉石英管稀盐酸对管可控剪刀清洗

[发明专利]一种快速物理气相沉积生长二维纳米结构的方法-CN201910222857.0在审
发明人：刘金养;柳梦宇;杨顺航;朱星星;周钰涵;梁翊纯;黄志高;赖发春 -专利权人：福建师范大学
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速物理气相沉积生长二维纳米结构的方法，通过巧妙地利用管式炉温度具有梯度分布的特点和反应石英管可以移动的优点；放置反应原料的石英舟置于加热中心时，远离中心的区域温度会下降形成梯度，当石英舟移至加热中心时，反应原料以超快的升温速度加热至目标温度，生长衬底在合适的温度下开始生长；该方法具有超快的升温速度、升温过程中生长源几乎没有质量损失、生长温度和时间可精确调控等优点，另外，以H₂和Ar为载气，通过优化反应原料升华温度、气体比例和流量、生长时间等条件，可以成功生长出厚度约15 nm的超薄GeSe纳米片；该方法制备过程简单、高效，可大规模工业化生产，具有广阔的应用前景。
生长反应原料二维纳米结构加热中心快速物理气相沉积石英舟大规模工业化生产精确调控升温过程梯度分布制备过程质量损失管式炉纳米片生长源石英管衬底载气加热升华移动应用优化成功

[发明专利]一种六边形双环石墨烯纳米结构的制备方法-CN201611062237.8有效
发明人：刘金养;徐杨阳;左传东;林丽梅;黄志高;赖发春 -专利权人：福建师范大学
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明公开了一种六边形双环石墨烯纳米结构的制备方法，通过化学气相沉积法，以甲烷、乙烯为碳源，氢气为还原性气体，惰性气体为载气，铜箔作为衬底，在高温下使碳源发生裂解，并在铜箔的催化作用下在铜箔的表面生长出石墨烯，并利用生长、刻蚀、再生长和再刻蚀的技术方案来制备出具有六边形双环石墨烯纳米结构，本发明技术方案制备过程简单，为设计特殊结构的石墨烯纳米结构提供了非常重要的指导思路，同时还具备有良好的推广和应用价值。
石墨烯纳米结构六边形双环铜箔制备刻蚀化学气相沉积还原性气体表面生长催化作用惰性气体制备过程氢气再生长甲烷衬底裂解载气乙烯生长应用

[发明专利]螺旋位错驱动生长螺旋型层状硒化锡纳米片的制备方法-CN201611062238.2有效
发明人：刘金养;黄青青;徐杨阳;钱永强;林丽梅;黄志高;赖发春 -专利权人：福建师范大学
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种螺旋位错驱动生长螺旋型层状硒化锡纳米片的制备方法，利用溶剂法的技术路线来制备螺旋型层状硒化锡纳米片，通过控制前驱液的浓度来控制硒化锡纳米片以螺旋位错驱动生长，该方法操作简单、成本低，所制得的螺旋型层状硒化锡纳米片具有原子级厚度的螺旋周期性。
纳米片硒化螺旋型螺旋位错制备驱动生长螺旋周期性技术路线前驱液溶剂法原子级

[发明专利]抑制银凝聚的双源金属共沉积方法-CN201510029606.2在审
发明人：吕晶;梁雄;赖发春;林丽梅;刘美梅;王颖;赖国忠 -专利权人：龙岩学院
申请日： 2015-01-21 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：本发明公开了抑制银凝聚的双源金属共沉积方法。添加金属材料选择：铝、金、铜、镁、钛或铟；基片选择：如果膜正反两面反射都要应用或要应用背面反射，选择透明材料；膜制备温度和使用温度，高温条件制备、使用的，要选择耐高温材料；基片清洗；沉积成膜要考虑：镀膜方式、基片温度、沉积方式、沉积真空度、两种金属材料比例及控制和薄膜厚度等；镀膜方式：可以选择电阻蒸发，电子束蒸发、磁控溅射等；基片温度：室温至300℃；沉积方式：双源金属共沉积，银和添加金属分别装在两个容器里共同沉积；沉积真空度：本底真空至少5×10^-3Pa。本发明在较普通的镀膜条件制备薄膜并实现较普通的高温条件下银薄膜良好光电性质的发挥。
抑制凝聚金属沉积方法

[发明专利]一种金属-介质多层结构颜色可调的太阳光热吸收涂层-CN201410011783.3无效
发明人： 赖发春;吴杨微;杨睿华;林丽梅;郑卫锋 -专利权人：福建师范大学
申请日： 2014-01-11 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： F24J2/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属-介质多层结构颜色可调的太阳光热吸收涂层。所述的涂层在衬底上依次是红外反射层、吸收层、减反层。涂层的吸收层由金属涂层和介质涂层交替镀制而成，共2～7层，且自上而下第一层为金属涂层。涂层的颜色通过改变吸收层中的金属涂层或介质涂层的层数和厚度组合，或改变减反层的厚度来实现。本专利的太阳选择性吸收涂层具有太阳光吸收率高，红外热发射率低，光热转换效率高，涂层颜色可调，制备工艺容易控制，生产成本低的特点，特别适用于太阳能集热器与建筑一体化的场合。
一种金属介质多层结构颜色可调太阳光热吸收涂层

[发明专利]一种金属银/金属氧化物的透明导电薄膜及其制备方法-CN200910112679.2无效
发明人： 赖发春;程正勤;裴瑜;黄志高;林丽梅 -专利权人：福建师范大学
申请日： 2009-10-13 - 公布日： 2010-04-21 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种由金属银和金属氧化物组成的透明导电薄膜及其薄膜的制备方法。所述的透明导电薄膜，由基片、薄膜缓冲层、薄膜导电层、透明导电薄膜保护层至下而上逐层排列。导电层是金属银薄膜，厚度3到10纳米；薄膜缓冲层厚度为10到30纳米；透明导电薄膜保护层厚度为20到50纳米。其制备方法是：采用磁控溅射镀膜技术，通过传送带带动基片在真空腔内的移动，分别在三个真空腔先后在基片层上逐层镀上缓冲层、导电层、透明导电薄膜保护层。本发明制备的薄膜在可见光区的光学透过率大于80％，面电阻小于10Ω。导电层和透明导电薄膜保护层的厚度都很薄，节省材料的用量，所需的镀膜时间短，在工业化大批量生产中有很高的生产效率。
一种金属氧化物透明导电薄膜及其制备方法

[发明专利]一种耐高温高光学反射的导电薄膜及其制备方法-CN200710009719.1无效
发明人： 赖发春;吕晶;黄志高;林丽梅;吴小春 -专利权人：福建师范大学
申请日： 2007-10-29 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： B32B15/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有高光学反射、可在室温到550℃的大气环境下使用的导电薄膜及其薄膜的制备方法。本发明所述的导电薄膜，包括基片、薄膜缓冲层、薄膜导电层、薄膜保护层，且至下而上逐层排列。导电层是金属银薄膜，厚度为150到300纳米；导电层的下方是薄膜缓冲层，厚度为10到40纳米；薄膜导电层的上方是薄膜保护层，薄膜保护层厚度为5到15纳米。其制备方法是：采用镀膜技术，先后在基片层上逐层镀上缓冲层、导电层、保护层，最后利用马弗炉进行热处理。本发明中采用金属和金属氧化物作为银薄膜的缓冲层和保护层，可以有效地抑制银薄膜在高温条件下的凝聚和结块，实现制备薄膜可以在高温环境下保持良好的导电特性和高光学反射性能。
一种耐高温光学反射导电薄膜及其制备方法

[发明专利]一种基于纳米线阵列的气体传感器及其制备方法-CN200610074412.5无效
发明人： 赖发春;黄志高;蔡声镇;陈水源;吕晶;张志城 -专利权人：福建师范大学
申请日： 2006-04-07 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于纳米线阵列来实现气体检测的气体传感器。本发明所述的气体传感器，包括绝缘基片、下电极层、传感导电体、上电极层，其特征是连接在下电极层和上电极层之间的传感导电体是由金属或金属氧化物构成的纳米线阵列，纳米线的直径为30到800纳米，长度为微米数量级，纳米线之间的间隙为25纳米到550纳米。其制备方法是：1.下电极层的制备；2.多孔的氧化铝模板的制备；3.纳米线阵列的制备；4.上电极层的制备；5.腐蚀去除多孔的氧化铝模板。本发明中采用新型的微纳米加工技术，利用纳米线阵列作为气体传感器材料，检测气体的灵敏度高，避免了分散纳米线或操纵纳米线的困难，便于工业化批量生产。
一种基于纳米阵列气体传感器及其制备方法

[实用新型]高密度信息存储光盘及其读取装置-CN03222149.5无效
发明人：侯建国;王晓平;王海千;王兵;卢威;赖发春;曾杰 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2003-05-27 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：高密度信息存储光盘及其读取装置是一种用于高密度信息存储的光盘及其读取装置。高密度信息存储光盘，由基片103、信息记录层102、封装层101所组成，在基片的上面为信息记录层，在信息记录层的上面为封装层，其特征在于信息记录层中的每个记录点21由两种或两种以上的不同发光特性的记录介质22混合而成，每一种记录介质代表一位二进制的数，用n种记录介质使每一个记录点代表n位二进制的数。读取方法是用聚焦式短波长激发光源301照射记录点；用覆盖有不同波长滤波片302的光电转换CCD阵列303按特征波长大小的顺序编制数据位，接收由记录点发回的不同波长的光，经过光电转换将各种不同波长的光信号转换为对应的“0”或“1”电信号，从而使一个信息记录点上记录的n个比特的数据读取出来。
高密度信息存储光盘及其读取装置

[发明专利]高密度信息存储光盘及其读取装置和方法-CN03131568.2无效
发明人：侯建国;王晓平;王海千;王兵;卢威;赖发春;曾杰 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2003-05-27 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： G11B7/00 文献下载
摘要：高密度信息存储光盘及其读取装置和方法是一种用于高密度信息存储的光盘及其读取装置。高密度信息存储光盘，由基片103、信息记录层102、封装层101所组成，在基片的上面为信息记录层，在信息记录层的上面为封装层，其特征在于信息记录层中的每个记录点21由两种或两种以上的不同发光特性的记录介质22混合而成，每一种记录介质代表一位二进制的数，利用n种记录介质可使每一个记录点代表n位二进制的数。读取方法是用聚焦式短波长激发光源301照射记录点；用覆盖有不同波长滤波片302的光电转换CCD阵列303按特征波长大小的顺序编制数据位，接收由记录点发回的不同波长的光，经过光电转换将各种不同波长的光信号转换为对应的“0”或“1”电信号，从而使一个信息记录点上记录的n个比特的数据读取出来。
高密度信息存储光盘及其读取装置方法

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