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[发明专利]可穿戴式的Y-型结构热电器件及其制造方法-CN202310786752.4在审
发明人：何佳清;毛大厦;周毅;贾宝海 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10N10/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种可穿戴式的Y‑型结构热电器件及其制造方法，热电器件包括柔性绝缘基材、p‑型热电臂、n‑型热电臂、导电层、导热件和散热件。p‑型热电臂设置在柔性绝缘基材上；n‑型热电臂设置在柔性绝缘基材上，n‑型热电臂与p‑型热电臂间隔；导电层设置在柔性绝缘基材上，至少部分导电层连接n‑型热电臂与p‑型热电臂；导热件固定在连接n‑型热电臂与p‑型热电臂的导电层上，导热件用于吸收外部热源的热量；散热件固定在柔性绝缘基材上背离p‑型热电臂与n‑型热电臂的一侧，散热件用于将n‑型热电臂与p‑型热电臂的热量散发至外界。综上，导热件和散热件能够在p‑型热电臂和n‑型热电臂上建立稳定的温差，从而使得导电层能够输出稳定的电能。
穿戴结构热电器件及其制造方法

[发明专利]一种无纳米析出相的N型PbTe基热电材料及其制备方法-CN202210059706.X有效
发明人：何佳清;贾宝海;王江舵 -专利权人：深圳热电新能源科技有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种无纳米析出相的N型PbTe基热电材料及其制备方法，所述无纳米析出相的N型PbTe基热电材料的化学式为：PbTe1‑x‑ySxIy；其中，0.001≤x≤0.08，0.001≤y≤0.006，通过添加少量S元素，不仅电子载流子浓度升高，电性能明显被改善，还增强了声子散射，有效降低了材料的晶格热导率，而且，少量S元素掺杂没有引进作为第二相的纳米析出相，有利于材料在高温区服役；在400‑850K的温度范围内，都具有很好的稳定性和优异的性能，ZT值在800K时达到了1.73；本发明所述制备方法过程简单，仅包括熔炼、研磨和烧结，便于大规模推广。
一种纳米析出 pbte 热电材料及其制备方法

[发明专利]N型PbTe基多晶热电材料及其制备方法-CN202111419139.6在审
发明人：何佳清;王江舵;贾宝海 -专利权人：深圳热电新能源科技有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明公开了N型PbTe基多晶热电材料及其制备方法。该热电材料包括：硫元素和碘元素掺杂的PbTe基体；以及单质铅，所述单质铅与所述PbTe基体中的铅的摩尔比为(0.01～0.05)：1。该N型PbTe基多晶热电材料在400‑850K的温度范围内具有很好的稳定性和优异的热电性能，例如，该热电材料的功率因子可高达29μW/(cm K2)，热电优值在800K时可高达1.6，在400‑800K之间的平均热电优值可高达1.2，与P型PbTe基多晶热电材料的高热电优值区间相符合，从而使得该N型PbTe基多晶热电材料与P型PbTe热电材料组合形成的热电模块的性能更好。
pbte 基多热电材料及其制备方法

[发明专利]一种高击穿电压ZnO:X薄膜及其制备方法和应用-CN201710918501.1在审
发明人：王强;刘诗莹;李国建;贾宝海;王凯 -专利权人：东北大学
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种高击穿电压ZnO:X薄膜及其制备方法和应用，属于半导体集成器件及压敏器件技术领域。一种高击穿电压ZnO:X薄膜的制备方法，所述方法采用射频等离子体活化源辅助共沉积方法于基底上沉积ZnO:X薄膜，具体为：将高纯O₂通入射频等离子体活化源，氧气流量为1.5～2.0SCCM，射频等离子体活化源的工作功率为250～450W；将Zn金属和X金属作为源材料进行共沉积，基底温度为室温～800℃，真空度为(2～3.5)×10^‑3Pa，沉积时间为10～120min；利用上述方法制得的薄膜在可见光范围内的透光率为80～100％，电阻率在10⁶～10⁸Ω·m范围内，击穿电压在7000～8000V/mm范围内。
薄膜射频等离子体高击穿电压活化源制备方法和应用共沉积基底沉积半导体集成器件金属可见光工作功率击穿电压压敏器件氧气流量电阻率透光率源材料高纯制备