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[发明专利]用于上电和深度掉电退出的低涌流电路-CN201880079243.5有效
发明人：莫汉达斯·斯瓦达森;贾亚特·阿肖克库马尔;I·格莱汀娜里;阿比赛克·戴伊 -专利权人：英飞凌科技有限责任公司
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G06F1/3203 文献下载
摘要：用于向低能量电路提供功率的系统、方法和设备，包括涌流电路。设备包括调节器，该调节器包括至少一个驱动器器件，该至少一个驱动器器件被配置成生成与包括低能量集成电路的负载相关联的第一电流。设备还包括偏置生成器，该偏置生成器被配置成生成第二电流，用于对与低能量集成电路的电源端子耦合的负载电容器充电。设备还包括启动电路，该启动电路被配置成响应于负载电压低于阈值电压，启动偏置生成器并禁用调节器，并且还被配置成响应于负载电压高于阈值电压，启动调节器来生成第一电流并禁用偏置生成器。
用于深度掉电退出涌流电路

[发明专利]2T1C铁电随机存取存储器单元-CN202110191897.0有效
发明人：约瑟夫·S·坦丁根;储钒;孙山;杰西·J·希曼;贾亚特·阿肖克库马尔 -专利权人：赛普拉斯半导体公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本申请涉及2T1C铁电随机存取存储器单元。公开了一种存储器设备及其操作方法。总体上，该设备包括铁电随机存取存储器单元阵列。每个单元包括：第一晶体管，其耦合于位线和储存节点(SN)之间并由第一字线(WL1)控制；第二晶体管，其耦合于参考线和SN之间并由第二字线(WL2)控制；以及铁电容器，其耦合于SN和板线之间。该设备还包括：耦合到位线和参考线的感测放大器、以及被配置为向WL1、WL2、板线和感测放大器发出控制信号的处理元件。所述单元被构造成和操作用于生成位电平参考，其中，在数据脉冲的读取周期期间第一电压脉冲被施加到板线上，且第二电压脉冲用作参考脉冲和清除脉冲。
t1c 随机存取存储器单元

[发明专利]2T1C铁电随机存取存储器单元-CN201880038757.6有效
发明人：约瑟夫·S·坦丁根;储钒;孙山;杰西·J·希曼;贾亚特·阿肖克库马尔 -专利权人：赛普拉斯半导体公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：公开了一种存储器设备及其操作方法。总体上，该设备包括铁电随机存取存储器单元阵列。每个单元包括：第一晶体管，其耦合于位线和储存节点(SN)之间并由第一字线(WL1)控制；第二晶体管，其耦合于参考线和SN之间并由第二字线(WL2)控制；以及铁电容器，其耦合于SN和板线之间。该设备还包括：耦合到位线和参考线的感测放大器、以及被配置为向WL1、WL2、板线和感测放大器发出控制信号的处理元件。所述单元被构造成和操作用于生成位电平参考，其中，在数据脉冲的读取周期期间第一电压脉冲被施加到板线上，且第二电压脉冲用作参考脉冲和清除脉冲。
t1c 随机存取存储器单元

[发明专利]用于具有隔离的电平移位器的偏置电路-CN201680036043.2有效
发明人： I·C·格莱汀娜里;贾亚特·阿肖克库马尔;维贾伊·拉加万;波格丹·萨姆森 -专利权人：经度快闪存储解决方案有限责任公司
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： G05F3/20 文献下载
摘要：一种电路包括偏置电路，该偏置电路包括耦合到第一节点的二极管堆。偏置电路可以在第一节点上输出偏置信号。偏置电路还包括晶体管、定时器组件和电流源。定时器组件的输入端被耦合成接收隔离信号。电流源被配置为响应于ISO信号在高电压和低电压之间的转换而在一时间段内将电流注入二极管堆内。偏置电路还包括用于生成隔离延迟(ISO_DEL)信号的电路。响应于偏置信号在第一阈值电平内ISO_DEL信号具有高电压，并且响应于偏置信号在第二阈值电平内ISO_DEL信号具有低电压。偏置电路输出ISO_DEL信号。
用于具有隔离电平移位偏置电路

[发明专利]10T非易失性静态随机存取存储器-CN201580052647.1有效
发明人：约瑟夫·S·坦丁根;大卫·斯蒂尔;杰西·J·希曼;贾亚特·阿肖克库马尔 -专利权人：赛普拉斯半导体公司
申请日： 2015-10-20 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01B1/22 文献下载
摘要：提供了一种包括nvSRAM单元的阵列的存储器及其操作方法。每个nvSRAM单元包括易失性电荷存储电路和非易失性电荷存储电路，该非易失性电荷存储电路包括确切地一个非易失性存储器(NVM)元件、耦合至NVM元件的第一晶体管、耦合至NVM元件的第二晶体管以及第三晶体管，数据真值通过第一晶体管耦合至易失性电荷存储电路，数据补码通过第二晶体管耦合至易失性电荷存储电路，NVM元件通过第三晶体管耦合至正电压电源线(VCCT)。在一个实施方式中，第一晶体管耦合至NVM元件的第一节点，第二晶体管耦合至NVM元件的第二节点以及第三晶体管耦合在第一节点和VCCT之间。还公开了其它实施方式。
10 非易失性静态随机存取存储器

[发明专利]电容器电源的干扰保护和可靠性测试-CN201210311794.4有效
发明人：司瑞坎斯·R·提亚古拉;大卫·斯蒂尔;贾亚特·阿肖克库马尔;大卫·G·怀特 -专利权人：赛普拉斯半导体公司
申请日： 2012-08-29 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： G01R31/40 文献下载
摘要：本发明涉及电容器电源的干扰保护和可靠性测试。一种用于电容器供电源的验证电路，其在两个时间点测量电容器的端子之间的至少两个电压，所述两个时间点限定了时间间隔dT。确定在时间间隔dT中的电压变化dV。通过根据时间间隔dT和/或电压变化dV推断出完成操作的总需求时间或者总需求电压，并且将总需求时间或者总需求电压分别与预定的必要的总时间或者预定的必要的总电压比较（“时间间隔测试”）来开始或者不开始由电容器供电的操作。
电容器电源干扰保护可靠性测试