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[发明专利]一种热点检测方法及装置-CN202310300726.6在审
发明人：贡顶;俞一天;王亮;刘春学;黄昊 -专利权人：苏州珂晶达电子有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请涉及热点识别领域，具体而言，涉及一种热点检测方法及装置，一定程度上可以解决通过光刻仿真方式进行热点检测时准确性差的问题。所述的热点检测方法包括：存储多张包括电路版图的第一图像至图像库中，所述电路版图包含热点；确定所述图像库中与待测图像匹配的匹配图像，所述第一图像包括所述匹配图像，所述待测图像包括需要进行热点检测的晶圆；获取所述匹配图像的特征向量；将所述特征向量输入至预设的检测模型中，基于所述检测模型的输出，确定所述晶圆中热点的类型及位置。
一种热点检测方法装置

[发明专利]对版图进行光学邻近效应校正的方法、装置及存储介质-CN202310321709.0在审
发明人：贡顶;俞一天 -专利权人：苏州珂晶达电子有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：本申请涉及集成电路版图设计技术领域，具体而言，涉及一种对版图进行光学邻近效应校正的方法、装置及存储介质，一定程度上可以解决对相同图形进行多次校正而造成大量重复计算的问题。本申请提供了对版图进行光学邻近效应校正的方法包括：获取集成电路版图中单元的包围盒，单元对应的包围盒的面积不小于第一预设阈值，单元包括至少一个子单元，子单元为具有几何形状的图形；将单元中任意相邻的预设数量个子单元进行组合，得到第一组合子单元；将第一组合子单元与单元中其他相邻的子单元进行比较，确定第一重复子单元；将第一重复子单元和单元中除第一重复子单元之外的子单元共同输入到光学近邻校正模型中，以对其进行校正，得到校正后的版图。
版图进行光学邻近效应校正方法装置存储介质

[发明专利]一种基于离子注入的沟道离子分布确定方法及装置-CN202211703931.9有效
发明人：倪海洋;贡顶;汤焱博 -专利权人：苏州培风图南半导体有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本申请涉及离子注入技术领域，具体而言，涉及一种基于离子注入的沟道离子分布确定方法及装置，一定程度上可以解决现有技术存在的计算得到的沟道离子分布情况与实际的沟道离子分布情况相差甚远的问题。所述基于离子注入的沟道离子分布确定方法，包括：按照预设参数，将离子分多次注入靶材料；获取每次通过预设参数注入离子后的背散射质子能谱，背散射质子能谱用于表征靶材料中晶格损伤分布；基于晶格损伤分布以及晶格损伤分布与沟道离子数量之间的关系，确定每次注入离子后，发生沟道效应的沟道离子数量，沟道离子数量用于反映离子在靶材料中的分布情况。
一种基于离子注入沟道分布确定方法装置

[发明专利]一种集成电路版图的设计良率确定方法及装置-CN202211436103.3在审
发明人：周洁云;陈智卫;贡顶;王亮;彭惠薪;周群博 -专利权人：苏州珂晶达电子有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本申请提供一种集成电路版图的设计良率确定方法及装置。该方法包括：对集成电路版图每个关键层进行光学邻近效应修正，采用各个光刻仿真模型对修正数据进行光刻仿真并确定光刻热点位置，获取各个仿真轮廓上光刻热点位置对应的关键尺寸，对所有关键尺寸进行韦伯分布拟合，从累积概率分布函数上获取最小预设关键尺寸的失效概率，再结合所有光刻热点位置对应的失效概率确定修正数据的设计良率，根据各个修正数据的设计良率，确定集成电路版图的设计良率。整个方法通过光刻模型分析光刻工艺波动引起的设计良率变化，通过光刻热点统计信息，分析集成电路器件的失效概率，从而可以提前发现设计问题，进而提高晶圆生产中的制造良率，提升制程稳定性。
一种集成电路版图设计确定方法装置

[发明专利]一种数字电路关键路径时序分析方法和装置-CN202211486597.6在审
发明人：贡顶;倪海洋;汤焱博;王亮;刘春学;黄昊 -专利权人：苏州珂晶达电子有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G06F30/3312 文献下载
摘要：本申请涉及数字电路故障分析技术领域，具体而言，涉及一种数字电路关键路径时序分析方法和装置，可以解决传统算法存在的仅能处理少量独立随机变量的低维变化空间、以及只关注单元级故障时间而忽略单元级之间的相关性的问题。所述方法，包括：获取数字电路系统中单元的单元数量和系统级故障率的阶数D；估计与单元级数目相同数目的单元故障率和同时故障率；基于同时故障率计算D阶、D‑1阶局部失效率；基于D阶、D‑1阶局部失效率计算D+1阶局部失效率上限值，D+1阶局部失效率上限值和D阶的局部失效率用于计算D阶系统故障率第二估值；从D阶系统故障率第一估值和D阶系统故障率第二估值组成的区间中选取渐进概率近似值。
一种数字电路关键路径时序分析方法装置

[发明专利]一种基于改进叉树算法的网格生成方法及装置-CN202210154111.2有效
发明人：贡顶;崔绍春;陈雪莲 -专利权人：墨研计算科学（南京）有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G06T17/00 文献下载
摘要：本申请提供一种基于改进叉树算法的网格生成方法及装置。所述方法包括：对半导体器件的外切立方体进行初始网格生成，如果目标体网格完全位于半导体器件内部且体积大于预设阈值，则继续进行细化，直至得到符合要求的最终内部体网格，如果目标体网格与半导体器件结构相交，且交多面体上的各个顶点不共球，则继续进行细化，直至得到最终边界体网格，运用整形的有理数运算获取各个网格节点的位置，最终生成的体网格包括四面体网格、金字塔网格、三棱柱网格等多种顶点共球的混合网格。整个生成过程运用整形的有理数运算生成各个网格节点的位置坐标，不仅可以节省网格节点的存储空间，而且位置表示较为精确，不存在浮点数误差，网格描述的准确性较高。
一种基于改进算法网格生成方法装置

[发明专利]一种半导体器件的数值模拟数据处理方法-CN201510556321.4有效
发明人：崔绍春;贡顶;深忱 -专利权人：苏州珂晶达电子有限公司
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的数值模拟数据处理方法，其特征在于，基本步骤包括：1、建立半导体器件数值模拟全隐式方法中的大型线性方程组，并分裂系数矩阵A＝[aij]为非负矩阵A+和负矩阵A‑；2、分裂非负矩阵A+为简单矩阵A1，对称矩阵A2，非对称矩阵A3；3、建立简单矩阵A1的稀疏子矩阵T1；4、建立对称矩阵A2及非对称A3的稀疏子矩阵T23；5、建立非负矩阵A+的稀疏子矩阵M+；6、重复步骤2‑5建立对应非负矩阵‑A‑的稀疏子矩阵M‑；7、建立预处理矩阵M的非对角子阵M′；8、建立预处理矩阵M的对角子阵M"，预处理矩阵M＝M′+M"。本发明建立大型线性方程组的预处理技术，使得其对应方程组的计算量小、精度高和仿真稳定性好，从而使半导体器件的数值模拟全隐式方法能够满足工业应用的需求。
一种半导体器件数值模拟数据处理方法

[发明专利]基于极坐标采样的交叉传递函数快速分解方法-CN201710820290.8在审
发明人：贡顶;沈忱;崔绍春;陈雪莲;鄢丽萍 -专利权人：苏州珂晶达电子有限公司
申请日： 2017-09-13 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于极坐标采样的交叉传递函数快速分解方法，其包括以下步骤1)获取成像系统的光学参数；2)采用极坐标采样方法获得空间域上采样点的坐标(ri,θj)；3)通过非均匀傅里叶逆变换计算采样点对应的光源互强度函数及光瞳函数4)计算采样点对应空间域的交叉传递函数值并建立采样矩阵5)在空间域上建立一组正交基函数计算正交基函数在相应极坐标采样位置上的函数值并建立矩阵Q＝[q1,q2,…qk]；6)对矩阵Q进行QR矩阵分解7)计算投影矩阵并对投影矩阵P进行奇异值分解得到P＝UU*；8)获得空间域上交叉传递函数的核函数为本发明能够快速解析获得TCC核函数，使得光强分布计算快速而高效，从而满足实际的光刻工艺设计需求。
基于坐标采样交叉传递函数快速分解方法

[发明专利]一种基于指示函数的交叉传递函数快速分解方法-CN201710820278.7在审
发明人：贡顶;沈忱;崔绍春;陈雪莲;鄢丽萍 -专利权人：苏州珂晶达电子有限公司
申请日： 2017-09-13 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于指示函数的交叉传递函数快速分解方法，其包括1)获取成像系统的光源函数J(f,g)；2)将描述光源的区域Ω进行划分得到一组正交子区域Ωij，并用正交子区域上的指示函数Iij(f,g)描述所述光源函数J(f,g)；3)计算所述指示函数Iij(f,g)的傅里叶逆变换，获得空间上域的基函数Lij(x,y)，并将空间域上的光源互强度函数投影到一组基函数上，获得对光源互强度函数的分解；4)建立空间域上的交叉传递函数的核函数c；5)计算核函数与掩膜板图形的卷积，获得像平面上的曝光图案本发明利用正交区域上的指示函数Iij(f,g)表述光源函数，利用指示函数的正交关系，及光源的投影系数直接获得光源互强度函数的分解，容易获得交叉传递函数的核函数使得光强分布计算快速而高效。
一种基于指示函数交叉传递函数快速分解方法

[发明专利]基于光源互强度函数分解的光学成像快速计算方法-CN201710820261.1在审
发明人：贡顶;沈忱;崔绍春;毛智彪 -专利权人：苏州珂晶达电子有限公司
申请日： 2017-09-13 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于光源互强度函数分解的光学成像快速计算方法，其包括以下步骤1)获取成像系统的光源函数及光瞳函数将光源函数投影到频域上的一组正交基函数上；3)求解空间域上光源互强度函数对应基函数的投影系数αpq,st；4)由投影系数apq,st建立对称正定的投影矩阵A＝[αpq,st]，并进行特征向量分解A＝UU*；5)对光源互强度函数进行分离变量，并建立空间域上的交叉传递函数的核函数6)计算核函数与掩膜板图形的卷积，获得像平面上的曝光图案本发明利用一组空间域和频域上的傅立叶函数变换对，并根据卷积定义来计算复杂的积分变换，从而快速的获得相应的核函数，使得光强分布计算快速而高效，从而满足实际的光刻工艺设计需求。
基于光源强度函数分解光学成像快速计算方法

[发明专利]半导体器件SEU翻转概率的数值模拟方法-CN201510102446.X有效
发明人：沈忱;贡顶;郑丽桑;崔绍春 -专利权人：苏州珂晶达电子有限公司
申请日： 2015-03-09 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： G06F9/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件SEU翻转概率的数值模拟方法，本发明通过SEU替代模型把SEU问题中基本变量的维度高且离散问题转化为一维较连续的问题，进而在此基础上使用改进的MCMC子集抽样方法模拟出SEU的小翻转概率；且在子集抽样方法的中间失效事件的阈值选择上采用改进的自适应方法，减少中间失效事件的条件概率计算误差，以利于能够高效地得出半导体器件的SEU翻转概率。本发明适用于半导体器件SEU数值模拟以及半导体器件小概率事件的数值模拟。
半导体器件 seu 翻转概率数值模拟方法

[实用新型]一种SRAM芯片单粒子闩锁测试机-CN201320735260.4有效
发明人：贡顶 -专利权人：苏州珂晶达电子有限公司
申请日： 2013-11-19 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种SRAM芯片单粒子闩锁测试机，其用于检测若干个SRAM芯片的闩锁，若干个SRAM芯片呈n×m矩阵式排列，n、m均为正整数。SRAM芯片单粒子闩锁测试机包括MCU、模拟电路选择器、ADC转换器、n+m个电阻。每个SRAM芯片的VCC端口作为列线，每个SRAM芯片的GND端口作为行线，位于相同列线上的VCC端口均一起连接再经由一个电阻连接至电源VCC，n个列线上相应具有n个电阻，位于相同行线上的GND端口均一起连接再经由另一个电阻连接至地GND，m个行线上相应具有m个电阻。MCU通过控制模拟电路选择器选择第i行以及第j列的电流信号至ADC转换器，MCU接收ADC转换后的电流信号，根据电流大小是否超过某个阈值判断第i行，第j列的SRAM芯片是否发生闩锁。
一种 sram 芯片粒子测试

[发明专利]半导体器件的数值仿真数据处理方法和装置-CN201210457513.6有效
发明人：贡顶;沈忱 -专利权人：苏州珂晶达电子有限公司
申请日： 2012-11-14 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的数值仿真数据处理方法和装置。该方法在Polsky半隐式方法的基础上，在迭代中增加了对电子浓度nt+1、空穴浓度pt+1修正步骤。其计算量小，并且提高了数值的精度与仿真的稳定性。
半导体器件数值仿真数据处理方法装置

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