专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种砜代杯芳烃胺类衍生物的制备方法-CN201610531591.4有效
  • 不公告发明人 - 谢长江
  • 2016-07-08 - 2018-11-27 - C07D341/00
  • 本发明涉及一种砜代杯芳烃胺类衍生物的其制备方法,具体涉及25,26,27,28‑四(氨基丁基)四叔丁基砜代杯[4]芳烃的制备方法。25,26,27,28‑四[(邻苯二甲酰亚胺基)丁氧基]四叔丁基砜代杯[4]芳烃和甲胺溶液在超声波的辅助下,80~90℃条件下,1.5‑2小时即可完成反应,相对于酸解、碱解的4‑5天,反应时间明显缩短,节约了成本。相对于肼解,甲胺溶液不会还原砜代杯[4]芳烃衍生物硫上的氧原子,减少了副产物的产生,有利于产品的提纯,产率可达86%。
  • 一种砜代杯芳烃衍生物制备方法
  • [发明专利]一种预测地层油水界面位置的方法及装置-CN201410602419.4有效
  • 邓中先;金璐;杨志祥;乔沐;王喆;黄丽;沈闽;谢长江 - 中国石油天然气股份有限公司
  • 2014-10-31 - 2018-11-16 - E21B47/04
  • 本发明涉及一种预测地层油水界面位置的方法及装置,其中,方法包括:利用温度压力拟函数在二维坐标系中绘出油层不同深度对应温压综合值的坐标点和水层不同深度对应温压综合值的坐标点;二维坐标系的横坐标表示温压综合值,纵坐标表示深度;温度压力拟函数为同时考虑温度和压力的影响、并结合油田开发实际认识结论得出的;对油层不同深度对应温压综合值的坐标点线性回归处理,得到油层的深度与温压综合值的线性曲线;同时,对水层不同深度对应温压综合值的坐标点线性回归处理,得到水层的深度与温压综合值的线性曲线;油层的深度与温压综合值的线性曲线与水层的深度与温压综合值的线性曲线在二维坐标系中的交点对应的深度为油水界面位置。
  • 一种预测地层油水界面位置方法装置
  • [发明专利]一种直流电源输入防反灌电路及方法-CN201210583448.1有效
  • 朱厚存;李长远;梁新春;谢长江 - 南京中兴软件有限责任公司
  • 2012-12-28 - 2018-09-14 - H02H7/12
  • 本发明公开了一种直流电源输入防反灌电路及方法,包括:防反接电路、缓启动电路和采样控制电路,防反接电路包含防反接金属氧化物半导体场效应管MOSFET,缓启动电路包含缓启动MOSFET,采样控制电路采样缓启动MOSFET的漏极和源极之间的电压,在缓启动MOSFET的漏极和源极之间的电压小于参考电压时,控制防反接MOSFET关断。本发明在输入短路或输入电压快速跌落时避免发生电流反灌,从而可以在DC/DC转换器采用全桥电路时,避免造成转换器副边同步整流MOSFET漏源极电压应力增大,损坏MOSFET;并且,避免在输入口发生反向的雷击浪涌时,出现电流反灌,从而避免模块输入电容掉电,导致的电源输出掉电。
  • 一种直流电源输入防反电路方法

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