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[发明专利]用于改良的处理腔室沉积和蚀刻均匀性的线圈-CN202280017611.X在审
发明人：李睿;安德鲁·腾科;谢祥金;吉留刚一 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本案提供了用于处理腔室中的线圈的实施方式。在一些实施方式中，用于处理腔室中的线圈包括：线圈主体，该线圈主体具有第一端部和相对的第二端部，该第二端部经由中部部分耦接到该第一端部，该线圈主体具有环形形状，其中该第一端部和该第二端部彼此相邻设置且间隔开一间隙，该间隙在该环形形状中形成不连续部，其中该第一端部和该第二端部中的至少一个具有大于该中部部分的高度的高度；及多个集线器，该多个集线器耦接到该线圈主体的外侧壁且被配置成利于将该线圈耦接到该处理腔室，其中该多个集线器中的一集线器耦接到该第一端部和该第二端部中的各者，且该多个集线器中的该集线器被配置成将该线圈耦接到电源。
用于改良处理沉积蚀刻均匀线圈

[外观设计]用于在物理气相沉积腔室中使用的准直器-CN202230446840.6有效
发明人：马丁·李·里克;基思·A·米勒;卢克·维安尼·瓦基;谢祥金;基索尔·库马尔·卡拉提帕拉比尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：用于在物理气相沉积腔室中使用的准直器。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用作用于物理气相沉积（PVD）腔室的准直器，例如在加工机械设备中使用的用于物理气相沉积腔室的准直器。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
用于物理沉积腔室中使用准直器

[发明专利]掺杂的ALD氮化钽中的杂质移除-CN202180008722.X在审
发明人：李睿;谢祥金;河泰泓;唐先敏;陈璐 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：描述了形成铜互连的方法。形成于基板上的铜层上的掺杂氮化钽层具有第一掺杂剂量。将掺杂氮化钽层暴露于包含氦或氖中的一或多者的等离子体，以形成经处理的掺杂氮化钽层，经处理的掺杂氮化钽层具有减少的掺杂剂量。亦描述用于进行所述方法的设备。
掺杂 ald 氮化中的杂质

[外观设计]用于在物理气相沉积腔室中使用的准直器-CN202230097861.1有效
发明人：马丁·李·里克;基思·A·米勒;张富宏;卢克·维安尼·瓦基;基索尔·库马尔·卡拉提帕拉比尔;谢祥金 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： 15-09 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：用于在物理气相沉积腔室中使用的准直器。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用作在工业制造领域中在物理气相沉积腔室中使用的准直器。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
用于物理沉积腔室中使用准直器

[发明专利]用于氧化铝表面恢复的方法和装置-CN202180011369.0在审
发明人：卡门·莱尔·塞万提斯;亚历山大·詹森;谢祥金 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种清洁基板的表面的方法使用醇处置和水处置。所述方法可包括在基板的表面上施加醇处置，其中醇处置配置成提供表面还原；和将水处置施加至基板的表面，其中水处置配置成通过从表面的至少一部分移除醇，为后续屏障层工艺增强基板的表面的至少一部分的选择性。水处置可与醇处置同时实行，或在醇处置之后实行。水处置可包括注入至等离子体中的汽化的水或水，以产生氢或氧自由基。
用于氧化铝表面恢复方法装置

[发明专利]用于半动态自下而上回流的方法及设备-CN202180008728.7在审
发明人：仲兰兰;希里什语·A·佩特;张富宏;李靖珠;基索尔·卡拉提帕拉比尔;谢祥金;唐先敏 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-06-14 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种填充基板上的结构的方法使用半动态回流工艺。该方法可包括：在第一温度下在该基板上沉积金属材料，将该基板加热至高于该第一温度的第二温度，其中该基板的加热引发在该基板上沉积的该金属材料的静态回流，停止该基板的加热，及在该基板上沉积额外金属材料，引发该基板上沉积的该额外金属材料的动态回流。在动态回流期间可施加RF偏压功率，以助于维持基板的温度。
用于动态自下而上回流方法设备

[发明专利]用于处理基板的方法和设备-CN202180009090.9在审
发明人： 谢祥金;张富宏;希里什语·A·佩特;马丁·李·瑞克;刘易斯·袁泽·罗;仲兰兰;唐先敏;保罗·丹尼斯·康纳斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本文提供了用于处理基板的方法和设备。举例而言，一种方法包括在工艺腔室的处理空间内以第一压力点燃等离子体；自设置在处理空间内的靶材沉积溅射材料，同时在第一时间范围内将第一压力降低至第二压力，同时维持等离子体；继续自靶材沉积溅射材料，同时在小于第一时间范围的第二时间范围内将第二压力降低至第三压力，同时维持等离子体；和继续自靶材沉积溅射材料，同时维持第三压力达大于或等于第二时间范围的第三时间范围，同时维持等离子体。
用于处理方法设备

[发明专利]用于预清洁和加工晶片表面的方法和装置-CN202180008890.9在审
发明人： 谢祥金;卡门·莱尔·塞万提斯;陈枫;陈璐;许文静;阿拉维德·卡马斯;振雄·马修·蔡;河泰泓;亚历山大·詹森;唐先敏 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：用于处理基板的方法和装置包括清洁和自组装单层(SAM)形成，用于后续的反向选择性原子层沉积。装置可包括：工艺腔室，具有处理空间和包括基座的基板支撑件；远程等离子体源，流体地耦合至工艺腔室，且配置成产生自由基或具有自由基的离子化气体混合物，所述自由基或离子化气体混合物流动到处理空间中以从基板的表面移除残留物或氧化物；第一气体输送系统，具有第一安瓿，所述第一安瓿配置成提供至少一种第一化学物质至处理空间中，以在基板的表面上产生SAM；加热系统，定位于基座中，且配置成通过在基板的背侧上的流动气体加热基板；和真空系统，流体地耦合至工艺腔室，且配置成控制基板的加热。
用于清洁加工晶片表面方法装置

[发明专利]用于增强的金属回流的互相混合层的方法与设备-CN202180008927.8在审
发明人：仲兰兰;张富宏;沈刚;陈枫;李睿;谢祥金;河泰泓;唐先敏 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本文提供了用于填充基板上的特征的方法及设备。在一些实施例中，一种填充基板上的特征的方法包括：在第一温度下经由化学气相沉积(CVD)工艺在第一处理腔室中在基板上及设置在基板中的特征内沉积第一金属材料；在第二温度及第一偏置功率下在第二处理腔室中在第一金属材料上沉积第二金属材料以形成第二金属材料的种晶层；在大于第一偏置功率的第二偏置功率下在第二处理腔室中蚀刻种晶层以在特征内形成包含第一金属材料及第二金属材料的互相混合层；以及将基板加热至高于第二温度的第三温度，从而导致第二金属材料的回流。
用于增强金属回流互相混合方法设备

[发明专利]用于预清洁导电互连结构的方法-CN201680057628.2有效
发明人： 谢祥金;刘风全;大平·姚;亚历山大·詹森;李靖珠;阿道夫·米勒·艾伦;唐先民;张镁 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： C23G5/04 文献下载
摘要：本文提供用于处理基板的方法。在一些实施方式中，一种处理基板的方法，包括以下步骤：将设置于基板处理腔室的处理容积内的基板加热到达约400摄氏度的温度，其中基板包括暴露的导电材料；和将基板暴露于处理气体，以还原导电材料的受污染表面，处理气体包括约80重量％至约100重量％的醇类蒸气。在一些实施方式中，基板进一步包括第一表面，所述第一表面具有形成于第一表面中的开口，其中暴露的导电材料系为设置于基板中并与开口对准的导电材料的一部分，以使得设置于基板中的导电材料的一部分经由开口而暴露。
用于清洁导电互连结构方法

[发明专利]阻挡膜沉积及处理-CN201880027850.7在审
发明人： 谢祥金;阿道夫·米勒·艾伦;唐先民;吉留刚一 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在低压环境中将原子层沉积(ALD)处理与物理气相沉积(PVD)处理结合，以产生高质量的阻挡膜。使用ALD处理将初始阻挡膜沉积在基板上，并接着移动到PVD腔室以处理阻挡膜，以增加阻挡膜的密度和纯度，从而降低阻挡膜的电阻率。将双材料源溅射到基板上以提供掺杂，同时使用气体来蚀刻基板以释放氮气。至少一个材料源被定位为以锐角提供掺杂给基板的表面，同时供应DC功率和在第一RF功率频率下的RF功率。基板使用在第二RF功率频率下的RF功率而偏压。
阻挡膜基板掺杂物理气相沉积氮气原子层沉积低压环境蚀刻基板材料源电阻率双材料沉积溅射腔室锐角释放移动

[实用新型]便捷调味式薯片半成品加工装置-CN201520271742.8有效
发明人：骆筱碟 -专利权人： 谢祥金
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： A23L1/217 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种便捷调味式薯片半成品加工装置，属于薯片加工设备技术领域，包括工作台、耐高温的带式输送器、降温混合罐和加热脱油箱体，带式输送器的输送部分完全设置在加热脱油箱体内，在加热脱油箱体左侧设置有进料漏斗，在加热脱油箱体右侧设置有薯片出料通道，在带式输送器上方的加热脱油箱体内水平设置有三块电加热器，相邻两块电加热器之间通过隔板隔开，在加热脱油箱体底部设置有出油口，在电加热器上方均设置有小型风机，在电加热器下方均水平设置有栅格板，在降温混合罐顶部设置有调味加料漏斗，在降温混合罐出料口下方设置有过滤筛。本实用新型有效的避免了薯片炸老的现象发生，节约了生产成本，非常适用于大规模生产厂家。
便捷调味式薯片半成品加工装置

[实用新型]带进料及切割组件的机械式甘蔗去皮装置-CN201520269543.3有效
发明人：倪彬 -专利权人： 谢祥金
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： A23N7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带进料及切割组件的机械式甘蔗去皮装置，属于甘蔗去皮技术领域，包括工作台和调节板，在工作台上设置有两个轴承座，对应两个轴承座设置有刮皮套，在刮皮套上设置有刀片，刮皮套两端分别通过轴承安装在的轴承座上，在刮皮套右端固定有手柄盘，调节板穿装在刮皮套内底部，在刮皮套左侧设置有顶杆，对应顶杆设置有滑动机构，在工作台右下半部安装有电机，电机的电机轴输出端安装有小皮带轮，小皮带轮通过皮带与大皮带轮连接，工作台左侧固定有切割板，切割板上水平设置有切割刀，切割刀右端铰接在铰接安装座上，铰接安装座固定在切割板上。本实用新型削皮时省时省力，削皮效率高。
带进料及切割组件机械式甘蔗去皮装置

[实用新型]带进料、回收及切割组件的手动式甘蔗去皮装置-CN201520268913.1有效
发明人：袁开兴 -专利权人： 谢祥金
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： A23N7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带进料、回收及切割组件的手动式甘蔗去皮装置，属于甘蔗去皮技术领域，包括工作台和调节板，在工作台上设置有两个轴承座，对应两个轴承座设置有刮皮套，在刮皮套内顶壁上设置有刀片，刮皮套两端分别通过轴承安装的轴承座上，在刮皮套右端固定有手柄盘，调节板穿装在刮皮套内底部，在刮皮套左侧设置有顶杆，对应顶杆设置有滑动机构，对应刮皮套在工作台上设置有出料口，出料口下方设置有放置台，放置台上设置有甘蔗收集槽和废料收集槽，在工作台左侧水平固定有切割板，在切割板上水平设置有切割刀，切割刀右端铰接在铰接安装座上，铰接安装座固定在切割板上。本用新型削皮时省时省力，削皮效率高。
进料回收切割组件手动式甘蔗去皮装置

[实用新型]喷淋便捷调味式薯片半成品加工装置-CN201520270103.X有效
发明人：王忠亿 -专利权人： 谢祥金
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： A23L1/217 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种喷淋便捷调味式薯片半成品加工装置，属于薯片加工设备技术领域，包括工作台、耐高温的带式输送器、降温混合罐和加热脱油箱体，在加热脱油箱体上设置有进料漏斗和出料口，在带式输送器上方的加热脱油箱体内水平设置有电加热器，在加热脱油箱体底部设置有出油口，在每个电加热器上方均设置有小型风机，小型风机安装在加热脱油箱体的内顶部，在每个电加热器正下方均水平设置有栅格板，在降温混合罐内设置有喷头，喷头通过管线连接有加料罐，在加料罐与喷头之间的管线上安装有加料泵，在降温混合罐出料口下方设置有过滤筛。本实用新型有效的避免了薯片炸老的现象发生，非常适用于大规模生产厂家。
喷淋便捷调味式薯片半成品加工装置

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