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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体封装和半导体工艺-CN201711305624.4有效
发明人： 谢盛祺;林弘毅;孔政渊;李宝男;陈建桦 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体封装及其制造方法。在一些实施例中，半导体封装包括衬底，至少一个芯片，密封环和电感器。所述至少一个芯片被安装在所述衬底上并且包括利用声波操作的多个组件结构。组件结构被布置在面向衬底的至少一个芯片的一侧上。密封环设置在至少一个芯片和衬底之间并围绕组件结构。电感器设置在衬底中。
半导体封装工艺

[发明专利]半导体设备封装和其制造方法-CN201910530408.2有效
发明人：陈建桦;谢盛祺;王陈肇;李德章 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：一种半导体设备封装包含第一玻璃载体、封装体、第一电路层和第一天线层。所述第一电路层安置于所述第一玻璃载体的第一表面上。第一电路层具有电连接到所述封装体的所述互连结构的重布层(RDL)。所述封装体安置于所述第一玻璃载体上。所述封装体具有穿透所述封装体且与所述第一电路层的所述RDL电连接的互连结构。所述第一天线层安置于所述第一玻璃载体的所述第二表面上。
半导体设备封装制造方法

[发明专利]半导体设备封装及其制造方法-CN201910514836.6在审
发明人：陈建桦;谢盛祺 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：提供了一种半导体设备封装及其制造方法。所述半导体设备封装包含电路层、第一封装体、第一天线和电子部件。所述电路层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述第一封装体安置在所述电路层的所述第一表面上。所述第一天线穿透所述第一封装体并电连接到所述电路层。所述电子部件安置在所述电路层的所述第二表面上。
半导体设备封装及其制造方法

[发明专利]半导体装置封装-CN201810154834.6有效
发明人：陈建桦;谢盛祺;孔政渊 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2018-02-23 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制造半导体装置封装的方法，其包含：提供具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的衬底；在所述衬底的所述第一表面上安置无源组件层；在安置所述无源组件层之后，在所述衬底中形成至少一个通孔，其中所述通孔穿透所述衬底和所述无源组件层；以及在所述无源组件层上安置导电层并且用所述导电层填充所述通孔。
半导体装置封装

[发明专利]半导体装置封装及制造其的方法-CN201610304210.9有效
发明人：陈建桦;李德章;陈纪翰;谢盛祺 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2016-05-10 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置封装及制造其的方法。半导体装置封装包括半导体衬底、第一图案化导电层、绝缘体层、第二图案化导电层、和第一介电层。该第一图案化导电层配置在该衬底之第一表面上。该绝缘体层配置在该衬底之该表面上且覆盖该第一图案化导电层。该第二图案化导电层由该绝缘体层所完全包封。该第一介电层配置在该绝缘体层上。
半导体装置封装制造方法

[发明专利]半导体装置封装及其制造方法-CN201910837821.3在审
发明人： 谢盛祺;王陈肇;李德章;陈建桦 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L23/15 文献下载
摘要：一种半导体装置封装包含玻璃载体、封装主体、第一电路层和第一天线层。所述玻璃载体具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述封装主体安置于所述玻璃载体的所述第一表面上。所述封装主体具有穿透所述封装主体的互连结构。所述第一电路层安置于所述封装主体上。所述第一电路层具有电连接到所述封装主体的所述互连结构的再分布层RDL。所述第一天线层安置于所述玻璃载体的所述第二表面上。
半导体装置封装及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201611255455.3有效
发明人： 谢盛祺;洪志斌 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，其包含一衬底以及在所述衬底上的至少一个电感器。所述电感器包括：彼此互相分离的多个顶部；彼此互相分离的多个底部；以及多个彼此分离的侧部，每个侧部在所述顶部中之一者和所述底部中之一者之间延伸。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN201810154835.0有效
发明人：陈建桦;林弘毅;谢盛祺 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2018-02-23 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：一种半导体装置封装，其包含载体、第一绝缘层、电容器元件、多个互连结构、多个基本上平行的顶部侧金属条以及多个基本上平行的底部侧金属条。所述第一绝缘层在所述载体上并且具有第一表面和邻近于所述载体且与所述第一表面相对的第二表面，所述第一绝缘层限定多个贯穿孔。所述电容器元件在所述第一绝缘层中，所述电容器元件包含顶部电极和底部电极。所述多个互连结构在所述贯穿孔内且形成为导电贯穿孔。所述多个基本上平行的顶部侧金属条在所述第一绝缘层的所述第一表面上。所述多个基本上平行的底部侧金属条在所述第一绝缘层的所述第二表面上。
绝缘层金属条电容器元件第一表面平行贯穿孔半导体装置第二表面互连结构底部电极顶部电极导电封装邻近

[发明专利]电气装置-CN201810228835.0在审
发明人：孔政渊;林弘毅;李德章;谢盛祺;陈建桦 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种电气装置包括衬底、第一电介质层、第一裸片、可调电感器和第二裸片。所述衬底具有第一表面。所述第一电介质层被安置在所述衬底的所述第一表面上，且具有第一表面。所述第一裸片被所述第一电介质层包围。所述可调电感器被电连接到所述第一裸片。所述可调电感器包括由所述第一电介质层包围的多个导柱、安置在所述第一电介质层的所述第一表面上且被电连接到所述导柱的多个第一金属条，以及安置在所述第一电介质层的所述第一表面上且被电连接到所述导柱的多个第二金属条。所述第二金属条中的至少一个的宽度与所述第一金属条中的至少一个的宽度不同。所述第二裸片被电连接到所述可调电感器。
电介质层第一表面裸片可调电感器电连接金属条衬底导柱电气装置安置包围

[发明专利]半导体装置及制造其的方法-CN201610242044.4在审
发明人：施旭强;谢盛祺;陈建桦;李德章 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2016-04-19 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及制造其的方法。半导体装置包括半导体衬底、第一电容器和第二电容器。该第一电容器包括第一导电层、第一绝缘层和第二导电层。该第一导电层布置在该衬底上。该第一绝缘层布置在该第一导电层上且具有第一周缘。该第二导电层布置在该第一绝缘层上且具有第二周缘。该第二电容器包括第三导电层、第二绝缘层和该第二导电层。该第二绝缘层布置在该第二导电层上且具有第三周缘。该第三导电层布置在该第二绝缘层上且具有第四周缘。该第一、第二、第三和第四周缘彼此对齐。
半导体装置制造方法

[发明专利]衬底结构及其制造方法-CN201410287674.4在审
发明人：陈建桦;李德章;谢盛祺 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2014-06-24 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： H01L29/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种衬底结构，其包括：绝缘衬底，所述绝缘衬底具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述绝缘衬底包括从所述第一表面形成到所述绝缘衬底中的第一沟槽，所述第一沟槽由第一侧壁及第一底部形成。所述衬底结构包括第一导电材料，至少部分所述第一导电材料位于所述第一沟槽中，其中所述第一导电材料具有第一表面，所述第一表面未接触所述第一底部及所述第一侧壁。
衬底结构及其制造方法

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