专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]覆晶封装件及其制造方法-CN200610099257.2无效
  • 谢爵安;戴丰成 - 日月光半导体制造股份有限公司
  • 2006-07-21 - 2008-01-23 - H01L23/48
  • 一种覆晶封装件,包括有:一晶片结构、一基板与一底胶。晶片结构包括有:基底、数个焊垫、第一保护层、第二保护层与数个导电凸块。数个焊垫形成于基底上。第一保护层形成于基底上并露出这些焊垫。第二保护层形成于第一保护层上,第二保护层具有数个第一开口及第二开口,这些第一开口位于这些焊垫上,第二开口位于非这些焊垫所在的区域,且第二开口底部的宽度,大于第二开口顶部的宽度。导电凸块形成于焊垫上。基板具有数个接点,对应于这些导电凸块设置。
  • 封装及其制造方法
  • [发明专利]形成导电凸块的方法及其结构-CN200610090296.6有效
  • 谢爵安;戴豊成;吴世英;陈世光 - 日月光半导体制造股份有限公司
  • 2006-07-11 - 2008-01-16 - H01L21/60
  • 本发明公开了一种形成导电凸块的方法及其结构。该形成导电凸块的方法包括:首先提供一晶圆,晶圆具有复数个焊垫。接着,在焊垫上形成一凸块下金属层。然后,在晶圆上涂布具有导电性的一第一光阻层,第一光阻层覆盖凸块下金属层。接着,在第一光阻层上涂布一第二光阻层。然后,至少去除部分的第二光阻层以形成一开口,开口位于凸块下金属层的上方。其中,第一光阻层与凸块下金属层保持电性连接。接着,利用电镀法在开口中形成一焊锡层。然后,去除焊锡层所在区域以外的第一光阻层及第二光阻层。
  • 形成导电方法及其结构

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