专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种单管SiC MOSFET的驱动电路优化设计方法-CN202210492661.5在审
  • 甘强;周昊莹;严欣怡;谢斯璇 - 南京航空航天大学
  • 2022-05-07 - 2022-07-29 - G06F30/3308
  • 本发明公开了一种单管SiC MOSFET的驱动电路优化设计方法,涉及驱动电路技术领域,针对SiC MOSFET单管的驱动板目前较多采用独立驱动板设计,电路的开通/关断延迟时间长,难以满足SiCMOSFET的高开关速度要求,同时电路中的芯片大都使用集成化的模块电源供电,不易于调整某个具体电压参数的问题,现提出如下方案,将信号传输隔离功能和驱动功能分离,分别由信号隔离芯片和驱动芯片实现,驱动板采用隔离芯片+驱动芯片组合模式。本发明驱动板驱动功能的实现是由信号隔离芯片和驱动芯片分别实现,同时利用了磁耦隔离芯片来提高驱动电路反应的快速性,对驱动回路的设计,从而减少栅极充放电的损耗。
  • 一种sicmosfet驱动电路优化设计方法

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