专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种钨酸的制备方法-CN202110839594.5在审
  • 谢建干;庄世明;蓝永祥 - 福建金鑫钨业股份有限公司
  • 2021-07-23 - 2021-11-26 - C01G41/00
  • 本发明公开一种钨酸制备方法,采用萃取法替代了传统工艺中的沉淀人造白钨、酸分解人造白钨等多重工序。工业钨酸钠溶液用经典沉淀法除砷、磷、硅、等杂质后,再调整钨酸钠溶液酸度至pH为2‑3,然后将已经酸化的有机相与钨酸钠溶液混合后萃取,分相后,钨被萃入有机相中,有机相用双氧水和柠檬酸反萃,得到反萃液,将反萃液加热煮沸至无小气泡,冷却,静置沉淀、过滤,得到钨酸,本发明制得的符合钨酸《YS/T692‑2009》H2WO4‑0级产品要求。
  • 一种制备方法
  • [发明专利]粉末冶金法制备高硅铝合金的方法-CN201610808319.6有效
  • 谢建干 - 福建省上杭县九洲硅业有限公司
  • 2016-09-08 - 2017-12-19 - C22C1/05
  • 粉末冶金法制备高硅铝合金的方法,包括以下步骤S1,将工业铝、晶体硅按重量比37~46混合,并添加成型粘结剂,所述成型粘结剂与工业铝、晶体硅混合物按重量比1100~3100混合,制得混合粉末,其中,所述工业铝的纯度为99.5%以上,晶体硅纯度为99.9%以上;S2,将步骤S1制得的混合粉末经热压成型,制得成型胚;S3,将步骤S2制得的成型胚进行真空烧结,采用分段升温,烧结结束后自然冷却;S4,将烧结后的成型胚经过挤压成型,并自然冷却后制得成品。本发明制得的高硅铝合金成品中,硅的含量高达30%以上,从而获得低膨胀系数、高热传导率的复合材料。
  • 粉末冶金法制备高硅铝合金方法
  • [实用新型]一种基于钠钙双碱法的工业硅矿热炉脱硫脱硝系统-CN201621042648.6有效
  • 谢建干 - 福建省上杭县九洲硅业有限公司
  • 2016-09-08 - 2017-05-17 - B01D53/78
  • 一种基于钠钙双碱法的工业硅矿热炉脱硫脱硝系统,包括循环池、钠碱罐、水泵和脱硫脱硝装置,所述钠碱罐与所述循环池连通,所述脱硫脱硝装置包括烟道、喷淋器和折板脱水器,所述烟道的侧壁上设有烟气口,所述烟道的底部设有排水口,所述喷淋器与所述折板脱水器设在所述烟道内,所述喷淋器位于烟气口上方,所述折板脱水器位于喷淋器上方,所述喷淋器通过水泵与循环池连通,所述喷淋器上设有多个朝向下的喷嘴。本实用新型通过喷淋器向进入烟道的烟气连续喷淋钠碱溶液,使得烟气与钠碱溶液产生反应。然后再通过折板脱水器对含湿烟气进行脱水。从而达到烟气脱硫脱硝的净化效果,具有脱硫脱硝处理效果佳、设备工艺优化的优点。
  • 一种基于钠钙双碱法工业硅矿热炉脱硫系统
  • [发明专利]一种用于工业硅冶炼的硅微粉碳复合原料的制备方法-CN201210354034.1无效
  • 杜国平;温思汉;谢建干 - 福建省上杭县九洲硅业有限公司
  • 2012-09-21 - 2013-02-06 - C01B33/025
  • 本发明提出一种采用工业硅生产过程中环保设施(除尘器)所收集的硅微粉副产物来制备用于工业硅冶炼的复合原料,有助于工业硅生产效率的提高,达到资源循环利用、节能减排的效果。硅微粉中SiO2是其中绝对主要的成份,具有比表面积大、化学活性高的特点。本发明将硅微粉与碳还原剂粉料及一定比例的粘结剂均匀混合,经过高压成型得到一种适合工业硅矿热炉尺寸要求的复合块材,即硅微粉—碳复合原料。这种复合原料用于工业硅的冶炼工艺中可以提高工业硅的产率、降低耗电量、减低生产成本,并完全解决了工业硅生产所产生的硅微粉再利用问题。本发明方法所制备的这种硅微粉—碳复合原料用于工业硅的冶炼工艺中具有耗电少、产率高、成本低的技术优势,具有较明显的经济和社会效益。
  • 一种用于工业冶炼硅微粉碳复合原料制备方法
  • [发明专利]晶体硅太阳能电池的梯度型背表面场及其制备方法-CN201010592936.X无效
  • 杜国平;温思汉;刘兵发;谢建干;陈楠;刘桂华 - 福建省上杭县九洲硅业有限公司
  • 2010-12-17 - 2011-06-29 - H01L31/0352
  • 本发明涉及晶体硅(p型)太阳能电池中由铝、硼共掺杂形成的一种梯度型背表面场,采用多层膜技术路线通过电极共烧过程一次形成。本发明根据硼在晶体硅中的固溶度显著大于铝在晶体硅中固溶度的特点,借助铝与硅材料之间能够在较低温度下形成共熔体的物理化学特性,通过控制硼在晶体硅中的掺杂深度小于铝,使晶体硅表面附近的浅区域以较高浓度的硼掺杂为主,而较深的区域则以较低浓度的铝掺杂为主,从而形成一种具有梯度型掺杂浓度分布的背表面场结构,这种梯度型背表面场对晶体硅太阳能电池的光电转换效率有较大程度的提高。通过调节硼在晶体硅中的掺杂深度,可以实现对这种梯度型背表面场中掺杂浓度分布特征的可控性。本方法在较低温度下实现晶体硅太阳能电池中梯度型背表面场结构,具有工艺简单、成本低、耗能少的特点,适用于晶体硅太阳能电池的规模化工业生产,具有广阔的应用前景。
  • 晶体太阳能电池梯度表面及其制备方法

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