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[发明专利]宽幅等离子体处理玻璃的装置-CN201810657512.3有效
发明人：吴雪梅;张潇漫;金成刚;诸葛兰剑 -专利权人：苏州大学
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C03C23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种宽幅等离子体处理玻璃的装置，包括高频高压交流等离子体电源、气体腔室、设于气体腔室外底端的高压电极和分别位于高压电极两侧的两个介质阻挡板，气体腔室上设置有至少一个进气孔和至少一个出气孔，高压电极与高频高压交流等离子体电源相连接，每个介质阻挡板的外侧端连接有第一电极，两个第一电极均与一电阻相连接，电阻与地电极相连接。本发明可在大气压下产生大面积等离子体辉光放电；可将第一电极之间的等离子体引出一定宽度，充分高效的进行材料表面处理，能应用于工业生产流水线，对于大气压下等离子体材料表面处理具有重要意义；可有效改善石英玻璃的水接触角，亲水性明显增加，对改变玻璃亲水性方面具有重要意义。
宽幅等离子体处理玻璃装置

[发明专利]一种柔性DBD微等离子体贴片及灭菌装置-CN202310556586.9在审
发明人：吴雪梅;黄天源;张潇漫;诸葛兰剑 -专利权人：苏州大学
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种柔性DBD微等离子体贴片及灭菌装置，柔性DBD微等离子体贴片包括位于底层的第一铜箔，所述第一铜箔上覆盖有聚酰亚胺胶带层，所述聚酰亚胺胶带层上设有第二铜箔，所述聚酰亚胺胶带层作为间隔第一铜箔与第二铜箔的介质层，所述第二铜箔上设有多排多列的贯穿第二铜箔的空位。灭菌装置包括柔性DBD微等离子体贴片、等离子电源，所述第一铜箔与第二铜箔之间加入放电电压使第二铜箔的空位处在常规大气压环境下产生微等离子体。本发明将第一铜箔与第二铜箔用柔性材料分隔，产生的电流小，可直接触摸。本发明可形成为柔性贴片，可柔性弯折。本发明的贴片整体厚度较薄，更为便携。
一种柔性 dbd 等离子体贴灭菌装置

[实用新型]一种小型两用平面大气压等离子体放电装置-CN202223111545.9有效
发明人：吴雪梅;张潇漫;黄天源;诸葛兰剑 -专利权人：苏州大学
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H05H1/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及等离子体应用领域中的一种小型两用平面大气压等离子体放电装置，包括相对间隔设置在光学平台上的上电极组件和下电极组件，上电极组件和下电极组件之间预留有放电间隙；下电极组件包括下电极座，设置在下电极座上的电极一，电极一上敷设有介质片一，上电极组件包括上电极座，设置在上电极座上的电极二，电极二上敷设有介质片二。本实用新型的一种结构简单、小巧便携、放电稳定的小型两用平面大气压等离子体放电装置，能够处理绝缘体或金属体，拥有简易且可拆卸的气路结构，流动的气体便于散热。
一种小型两用平面大气压等离子体放电装置

[实用新型]一种气溶胶辅助大气压等离子体沉积装置及系统-CN202122332358.2有效
发明人：吴雪梅;张潇漫;黄天源;诸葛兰剑 -专利权人：苏州大学
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本实用新型属于气溶胶沉积技术领域，具体涉及一种气溶胶辅助大气压等离子体沉积装置及系统，该装置包括样品台、等离子体发生组件、气溶胶输入组件和混合仓；等离子体发生组件包括气源、中空石英管一、电源电极、接地电极和电源；气溶胶输入组件包括气溶胶输送管和气溶胶发生器；混合仓为主管上带支管的中空石英管二；样品台位于中空石英管二主管的下方。本实用新型具有装置简单、成本低廉、无污染，对于不耐高温的基材同样适用的优点。
一种气溶胶辅助大气压等离子体沉积装置系统

[发明专利]一种银胶体及制备方法-CN202111373512.9在审
发明人：吴雪梅;张潇漫;黄天源;诸葛兰剑 -专利权人：苏州大学
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： B22F1/0545 文献下载
摘要：本发明属于胶体化学技术领域，具体涉及一种银胶体及制备方法，该方法包括将分散剂加入水中溶解，得到溶液一；将银粉与水分散均匀得到混合液二；将混合液二滴入溶液一中，得到混合液三；将混合液三在密封状态下分散均匀得到混合液四；将混合液四离心，得到的上层清液即为银胶体。本发明所提供的银胶体的制备方法，原料简单、工艺简单、成本低，制备出的银胶体中仅含纳米银颗粒和分散剂；且制备的银胶体稳定性好，能够长时间储存不变质。
一种胶体制备方法

[发明专利]电弧放电装置及利用该装置制备氮化硼纳米管的方法-CN201711472731.6有效
发明人：黄天源;金成刚;诸葛兰剑;吴雪梅 -专利权人：苏州大学
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： B01J19/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种电弧放电装置，包括放电腔室、设于放电腔室内的放电阴极、放电阳极、加料斗以及一端伸入所述放电腔室内的钨丝，放电腔室上设置有抽气阀和进气阀，放电阴极与放电阳极之间具有间隙，加料斗位于间隙的上方，放电阴极的一端连接有第一导电杆，放电阳极的一端连接有第二导电杆，第一导电杆或第二导电杆连接有驱动机构，第一导电杆连接有负载电阻，负载电阻与第一电源的负极相连接，钨丝的另一端与第二电源的负极相连接，第一电源的正极、第二导电杆和第二电源的正极均与地相连接。本发明还涉及一种制备氮化硼纳米管的方法。本发明显著增加了电弧放电过程中的稳定性，制备出的氮化硼纳米管比传统工艺的产物尺径更集中，形态更完美。
电弧放电装置利用制备氮化纳米方法

[发明专利]基于螺旋波等离子体技术制备氮掺杂类金刚石薄膜的方法-CN201711472724.6有效
发明人：陈佳丽;钱嘉伟;金成刚;吴雪梅;诸葛兰剑 -专利权人：苏州大学
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于螺旋波等离子体技术制备氮掺杂类金刚石薄膜的方法，包括以下步骤：（1）清洗Si衬底，将清洗后的Si衬底固定在沉积室内的基片台上；（2）将高纯Ar气体从放电室的左端通入到放电室内，实现螺旋波等离子体放电，形成Ar等离子体；（3）向沉积室内通入高纯CH4气体和高纯N2气体，Ar等离子体将高纯CH4气体和高纯N2气体离化，在Si衬底上形成氮掺杂类金刚石薄膜；（4）关闭射频电源和所有气源。本发明氮掺杂类金刚石薄膜沉积速度快；沉积的薄膜氮掺杂类金刚石薄膜表面平整、均匀、致密，沉积质量好；氮掺杂类金刚石薄膜的纯度高，薄膜的内应力降低，提高了薄膜与基体之间的附着力，提高了薄膜强度；设备简单，工业生产上容易实现。
基于螺旋等离子体技术制备掺杂金刚石薄膜方法

[发明专利]一种可调的等离子体光子晶体选频滤波器-CN201711472734.X有效
发明人：谭海云;金成刚;诸葛兰剑;吴雪梅;王钦华 -专利权人：苏州大学
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种可调的等离子体光子晶体选频滤波器，包括支撑箱、设于支撑箱内的等离子体发生装置，支撑箱的顶面和底面分别设置有第一接口和第二接口，第一接口的内部和第二接口的内部均与等离子体发生装置相连接，第一接口的外部和第二接口的外部其中之一与驱动电源相连接，另一个与地相连接，支撑箱的左侧面设置有矩形波导，支撑箱的右侧面设置有光电信号转换装置，光电信号转换装置包括光电探测器、与光电探测器相连接的信号输出接口。本发明等离子体光子晶体制成的滤波器，在禁带范围内，滤波效果良好，透射的频率成分单一性好，且实际效果与设计吻合度高；制作成本低；通过等离子体的调节，实现了可调的窄带选频。
一种可调等离子体光子晶体滤波器

[发明专利]快速制备垂直石墨烯的方法-CN201910367340.0在审
发明人：吴雪梅;季佩宇;金成刚;陈佳丽;诸葛兰剑 -专利权人：苏州大学
申请日： 2019-05-05 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种快速制备垂直石墨烯的方法，包括以下步骤：（1）将衬底置于螺旋波等离子体化学气相沉积装置内的基片台上；（2）将螺旋波等离子体化学气相沉积装置内的真空抽至本底真空；（3）往螺旋波等离子体化学气相沉积装置内通入Ar，Ar的流量为10‑80sccm，打开射频电源和直流电源，调节射频电源的射频频率为2MHz‑60 MHz、射频功率为300‑5000W，调节直流电源使轴向磁场强度为100‑10000 Gs；（4）继续通入Ar，Ar的流量为10‑80sccm，同时往螺旋波等离子体化学气相沉积装置内通入CH₄，CH₄的流量为50‑200sccm，在衬底上沉积垂直石墨烯。本发明制备步骤简单，无需加热，对衬底的适用范围宽，能够在衬底上沉积不同形态的垂直石墨烯，制备速度快，制备质量高，且便于实际应用。
等离子体化学气相沉积装置螺旋波石墨烯衬底垂直制备快速制备射频电源直流电源沉积本底真空射频功率射频频率轴向磁场真空抽加热应用

[发明专利]利用螺旋波等离子体技术制备碳化硅薄膜的方法-CN201910367381.X在审
发明人：吴雪梅;陈佳丽;金成刚;季佩宇;诸葛兰剑 -专利权人：苏州大学
申请日： 2019-05-05 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用螺旋波等离子体技术制备碳化硅薄膜的方法，包括以下步骤：（1）将衬底置于真空沉积室内的基片台上；（2）将真空放电室和真空沉积室内的真空抽至本底真空；（3）从螺旋波天线尾部将Ar气通入到放电腔室内，Ar气的流量为20‑100sccm，打开射频电源和直流电源，调节射频电源的射频频率为2MHz‑60 MHz、射频功率为200‑3000W，调节直流电源使轴向磁场强度为200‑5000 Gs；（4）将有机硅烷液体加热蒸发成气体，通入到真空沉积室内，在衬底上沉积碳化硅薄膜。本发明碳化硅薄膜制备的速度非常快，达到了0.93 mm/h，且制备的碳化硅薄膜均匀致密，具有粗糙度低、高的杨氏模量及显微硬度优势，且制备方法操作简单，成本低廉。
碳化硅薄膜真空沉积螺旋波室内制备制备碳化硅薄膜等离子体技术射频电源直流电源衬底本底真空均匀致密射频功率射频频率天线尾部显微硬度杨氏模量液体加热有机硅烷真空放电轴向磁场粗糙度放电腔真空抽沉积蒸发

[实用新型]宽幅等离子体处理玻璃的装置-CN201820974822.3有效
发明人：吴雪梅;张潇漫;金成刚;诸葛兰剑 -专利权人：苏州大学
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： C03C23/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种宽幅等离子体处理玻璃的装置，包括高频高压交流等离子体电源、气体腔室、设于气体腔室外底端的高压电极和分别位于高压电极两侧的两个介质阻挡板，气体腔室上设置有至少一个进气孔和至少一个出气孔，高压电极与高频高压交流等离子体电源相连接，每个介质阻挡板的外侧端连接有第一电极，两个第一电极均与一电阻相连接，电阻与地电极相连接。本实用新型可在大气压下产生大面积等离子体辉光放电；可将第一电极之间的等离子体引出一定宽度，充分高效的进行材料表面处理，能应用于工业生产流水线，对于大气压下等离子体材料表面处理具有重要意义；可有效改善石英玻璃的水接触角，亲水性明显增加，对改变玻璃亲水性方面具有重要意义。
第一电极高压电极等离子体处理交流等离子体本实用新型高频高压介质阻挡气体腔室重要意义亲水性玻璃电阻宽幅电源等离子体大面积等离子体工业生产流水线材料表面处理等离子体材料辉光放电石英玻璃水接触角出气孔地电极进气孔气体腔外侧端室外应用

[实用新型]大气压高频高压交流等离子体电源装置-CN201820974823.8有效
发明人：吴雪梅;张潇漫;金成刚;诸葛兰剑 -专利权人：苏州大学
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H02M9/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种大气压高频高压交流等离子体电源装置，包括第一直流开关电源、第二直流开关电源、方波发生器、PCB电路板以及变压器，PCB电路板包括PCB电路板本体、设置述PCB电路板本体上的电源正极焊盘、电源负极焊盘、两个第一电容焊盘、两个第二电容焊盘、两个第三电容焊盘、两个第一电感焊盘、两个第二电感焊盘、两个输出端焊盘、若干连接线、三个第一插接孔和三个第二插接孔，PCB电路板本体的下方设置有散热器，第一直流开关电源的正极、负极分别与电源正极焊盘、电源负极焊盘电连接，两个输出端焊盘均与变压器的初级线圈电连接，第二直流开关电源与方波发生器电连接。本实用新型体积小，IGBT直插不用焊接，输出稳定的高频高压交流电。
直流开关电源焊盘电容焊盘电连接交流等离子体本实用新型方波发生器输出端焊盘电感焊盘电源负极电源正极电源装置高频高压插接孔变压器散热器高频高压交流电连接线正极初级线圈输出稳定负极体积小直插焊接

[发明专利]空气等离子体处理汽车尾气的装置及方法-CN201610839872.6有效
发明人：金成刚;王钦豪;胡一波;王红颖;翁天昊;诸葛兰剑;吴雪梅 -专利权人：苏州大学
申请日： 2016-09-22 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： F01N3/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种空气等离子体处理汽车尾气的装置，包括高压直流电源、相对设置的两个绝缘板，其中一个所述绝缘板上设置有至少一个尾气进口，另一个所述绝缘板上设置有至少一个尾气出口，两个所述绝缘板之间设置有接地电极和多个导电管，所述接地电极与所述高压直流电源的接地端相连接，多个所述导电管均与所述高压直流电源的高压端相连接，多个所述导电管呈环状分布，每个所述导电管沿长度方向均设置有多个钢针。本发明还涉及一种空气等离子体处理汽车尾气的方法。本发明可以获得较大的处理空间；能够快速将本装置安装到汽车排气管上，随时随地方便汽车尾气的处理；能够实现车载化；高效分解且处理能耗低。
空气等离子体处理汽车尾气装置方法

[发明专利]产生连续可调谐缺陷模的等离子体光子晶体的装置及方法-CN201610602628.8有效
发明人：杨东瑾;金成刚;谭海云;吴雪梅;诸葛兰剑;王钦华 -专利权人：苏州大学
申请日： 2016-07-28 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种产生连续可调谐缺陷模的等离子体光子晶体的装置，包括放电电源、框架、安装在框架上的氧化铝陶瓷棒阵列和等离子体放电管，框架包括上下平行设置的两个第一有机玻璃板以及连接两个第一有机玻璃板的多个支撑管，氧化铝陶瓷棒阵列和等离子体放电管均穿过两个第一有机玻璃板，等离子体放电管位于所述氧化铝陶瓷棒阵列之间，等离子体放电管与放电电源相连接。本发明还涉及一种产生连续可调谐缺陷模的等离子体光子晶体的方法。本发明具有结构简单，操作方便，缺陷模连续可调节的优点，为等离子体光子晶体的研究提供了更为广阔的空间，有望在工业应用中产生重要的作用。
产生连续调谐缺陷等离子体光子晶体装置方法

[发明专利]采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法-CN201610328633.4有效
发明人：吴雪梅;於俊;金成刚;黄天源;季佩宇;杨佳奇;诸葛兰剑 -专利权人：苏州大学
申请日： 2016-05-18 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法，包括如下步骤：（1）将Ar气和H2气通入到放电腔室内，在轴向磁场的环境下，通过射频调制的螺旋波等离子体实现Ar和H2混合气体放电，清洗基片台和Si衬底；（2）关闭H2气，通入Ar气和CH4气体，在轴向磁场的环境下，通过射频调制的螺旋波等离子体在Si衬底上形成纳米晶金刚石薄膜；（3）清洗纳米晶金刚石薄膜表面吸附的CH4气体。本发明通过螺旋波等离子体技术成功地制备了纳米晶金刚石薄膜，所用设备更加简单，工业生产上更容易实现，沉积速率更快，不存在灯丝性能衰减的问题，而且工艺步骤更简单，工艺参数更易控制。
采用螺旋等离子体技术制备纳米金刚石薄膜方法

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