“西泽弘一郎”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果13个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202180090503.0在审
发明人： 西泽弘一郎;津波大介 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/288 文献下载
摘要：将具有GaN表面(2)的基板(1)一边照射紫外光一边浸渍于包含氢氧化钾和镀敷催化剂金属盐的催化剂金属溶液(4)中，而在GaN表面(2)析出催化剂金属(5)。通过无电镀而在析出了催化剂金属(5)的基板(1)的GaN表面(2)形成金属膜(7)。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]中空封装器件及其制造方法-CN201780088937.0有效
发明人： 西泽弘一郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：通过金属膏的图案化在第1基板(1)的主面同时形成凸块(4)和环状的封装框(3)。在第2基板(5)的主面形成具有比封装框(3)的宽度窄的宽度的环状的凸部(8)。使基板(1)的主面和第2基板(5)的主面相对而进行对准，将封装框(3)和凸部(8)接合，并且将凸块(4)与第2基板(5)电接合。凸部(8)的高度是接合后的基板(1)和第2基板(5)的间隔的0.4～0.7倍。
中空封装器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置以及其制造方法-CN201980089376.5在审
发明人： 西泽弘一郎;日坂隆行 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：在器件基板(1)的上表面形成有器件(2)。由无电解电镀反应的催化剂金属构成的密封框(16)在器件基板(1)的上表面形成为包围器件(2)。经由密封框(16)将器件基板(1)的上表面与盖基板(10)的下表面以中空状态接合。多个电极(8、11、12)与器件(2)连接并引出至器件基板(1)以及盖基板(10)的外侧。金属膜(20)形成于密封框(16)的外侧面，未形成于器件基板(1)以及盖基板(10)。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201710909111.8有效
发明人：渡边伸介;西泽弘一郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本发明涉及具有场效应晶体管的半导体装置，其目的在于得到能够抑制基板的面积的增加的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具有：晶体管，其设置于第1基板；栅极焊盘，其与该晶体管的栅极电极连接；导电性凸块，其设置于该栅极焊盘之上；第2基板，其设置于该第1基板的上方，具有第1面和第2面；第1电极，其从该第1面贯穿至该第2面，在该第2面侧与该导电性凸块连接；电阻，其一端连接于该第1电极的该第1面侧，另一端连接于输入端子；以及第2电极，其与该第1电极相邻设置在该第1面，以不经由该电阻的状态连接于该输入端子，该晶体管的栅极泄漏电流从该第1电极通过该第2基板的该母材及该第2电极而流动至该输入端子。
半导体装置

[发明专利]基板贴合构造及基板贴合方法-CN201880091122.2在审
发明人： 西泽弘一郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：在基板(1)的主面形成有器件(2)。基板(1)的主面和相对基板(14)的下表面经由接合部件(11、12、13)以中空状态接合。电路(17)及凸块构造(26)形成于相对基板(14)的上表面。凸块构造(26)至少配置于与接合部件(11、12、13)对应的区域，与电路(17)相比高度高。
贴合构造方法

[发明专利]半导体装置-CN201710069042.4有效
发明人：堀浩一郎;西泽弘一郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-02-08 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：得到一种即使在形成通路孔后进行加热，也能够确保基板表面侧和背面侧的导通的半导体装置。在半导体基板(1)设置有从背面起贯穿至表面的通路孔(2)。电极(3)以将通路孔(2)堵塞的方式设置于半导体基板(1)的表面。金属膜(4)设置于半导体基板(1)的背面、通路孔(2)的侧壁(2a)以及电极(3)的下表面。在半导体基板(1)的背面，在金属膜(4)设置有开口(5)。开口(5)仅与通路孔(2)的外周的一部分接触。在开口(5)露出通路孔(2)的侧壁(2a)和金属膜(4)之间的界面(A)。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201680048269.4有效
发明人： 西泽弘一郎;日坂隆行 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-03-02 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：保持中空部的气密性，使成品率及耐久性提高。半导体装置(1)具备器件基板(2)、半导体电路(3)、封装框(7)、罩基板(8)、通路部(10)、电极(11)、(12)、(13)以及凸块部(14)等。在器件基板(2)和罩基板(8)之间，设置以气密状态收容半导体电路(3)的中空部(9)。凸块部(14)将全部通路部(10)和罩基板(8)连结。由此，能够使用凸块部(14A)将通路部(10)加固。
半导体装置

[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法-CN201480077591.0有效
发明人： 西泽弘一郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-09-17 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明涉及的半导体装置的特征在于，具有：半导体衬底，其由GaAs形成；密接层，其在该半导体衬底之上由Pd或者包含Pd的合金而形成；阻挡层，其在该密接层之上由Co或者包含Co的合金而形成；以及金属层，其在该阻挡层之上由Cu、Ag、或者Au而形成。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体装置-CN201480081636.1有效
发明人： 西泽弘一郎;清井明 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L21/288 文献下载
摘要：本发明涉及的半导体装置的制造方法的特征在于，具有下述工序：催化剂工序，在由例如硅等形成的半导体衬底的表面析出催化剂金属；氧化物去除工序，将在该催化剂工序中形成于该半导体衬底的表面处的氧化物去除；追加催化剂工序，在通过该氧化物去除工序而露出的该半导体衬底的表面处析出催化剂金属；以及镀敷工序，在该追加催化剂工序之后，通过无电解镀敷法，在该半导体衬底的表面形成金属膜。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201680090274.1在审
发明人： 西泽弘一郎;山本佳嗣;宫胁胜巳;渡边伸介;志贺俊彦 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-10-24 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：本发明的半导体装置的特征在于，具备：基板；发热部，其形成于基板之上；盖基板，其在基板的上方以在盖基板与基板之间具有中空部的方式形成；以及反射膜，其在发热部的上方对红外线进行反射。反射膜对由于发热部的温度上升而经由中空部向盖基板侧辐射的红外线进行反射，从而具有抑制盖基板侧的温度上升的作用。由于该作用，即使在模塑树脂存在于盖基板之上的情况下，也产生抑制模塑树脂的温度上升的效果。
盖基板基板发热部半导体装置模塑树脂反射膜中空部红外线反射辐射

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201510484072.2在审
发明人：前田和弘;西泽弘一郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明得到一种半导体装置的制造方法，其能够防止寄生电容的增加。首先，在半导体衬底(1)的主面形成半导体器件(2)。然后，在半导体衬底(1)的主面上，形成与半导体器件(2)的栅极电极(3)分离并对栅极电极(3)的侧部进行包围的第1树脂膜(6)。然后，使与半导体器件(2)的栅极电极(3)分离并对栅极电极(3)的上方进行覆盖的第2树脂膜(7)与第1树脂膜(6)的上表面接合，在半导体器件(2)的栅极电极(3)的周围形成中空构造(8)。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体元件的制造方法、半导体元件-CN201310518846.X有效
发明人：津波大介;西泽弘一郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-10-29 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体元件的制造方法、半导体元件。本发明的目的在于提供一种在基板与金属层之间具有覆盖性好的层并且用该层能抑制作为金属层的成分的Cu等向基板扩散的半导体元件的制造方法及半导体元件。具备：将基板（10）浸渍在包含金属离子的液体中，使金属催化剂（12a）附着在该基板的表面的工序；将附着有该金属催化剂的该基板浸渍在无电解电镀液中以在该基板形成无电解电镀层（14）的工序；将该基板浸渍在电解电镀液中，将该无电解电镀层作为供电层在该无电解电镀层上形成电解电镀层（16）的工序；以及在该电解电镀层上用Cu或Ag形成金属层（18）的工序。该电解电镀层用与该金属层不同的材料形成。
半导体元件制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201210383347.X有效
发明人：日坂隆行;中本隆博;志贺俊彦;西泽弘一郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明提供能提高针对来自外部的杂质等的耐性的半导体装置及其制造方法。在GaAs衬底(1)上设置有下层布线(2)。在GaAs衬底(1)及下层布线(2)上设置有树脂膜(4)。树脂膜(4)在下层布线(2)上具有开口(5)。在下层布线(2)及树脂膜(4)上设置有SiN膜(6)。SiN膜(6)在开口(5)内具有开口(7)。在下层布线(2)及树脂膜(4)的一部分上设置有上层布线(8)。上层布线(8)具有经由开口(5)、(7)与下层布线(2)连接的Ti膜(8a)和设置在Ti膜(8a)上的Au膜(8b)。在上层布线(8)及树脂膜(4)上设置有SiN膜(9)。SiN膜(9)在树脂膜(4)上附着于SiN膜(6)。SiN膜(6)、(9)保护Ti膜(8a)的周围。
半导体装置及其制造方法

1
共 13 条