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[发明专利]转轴润滑装置-CN201410210357.2无效
发明人： 西村茂 -专利权人：川崎重工业株式会社
申请日： 2014-05-19 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： F16H57/04 文献下载
摘要：一种转轴润滑装置，包括：转轴，所述转轴水平地布置；支撑壁，所述支撑壁通过轴承支撑所述转轴；油室，所述油室由所述支撑壁以及所述转轴围成；油通道，所述油通道在所述转轴中延伸且与润滑部连通；进油部，所述进油部用于获得油且将油供给到所述油室；以及多个引导肋，所述多个引导肋形成于所述支撑壁中，其中所述引导肋适于形成从所述油室的径向外部朝向所述油室的中央部的至少两个油流动路径。
转轴润滑装置

[发明专利]光电转换器件的制造方法-CN200910151873.1有效
发明人：渡边高典;板野哲也;高桥秀和;滝本俊介;虻川浩太郎;成濑裕章;西村茂;板桥政次 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2007-08-02 - 公布日： 2009-12-23 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明公开光电转换器件的制造方法，该器件包括：光电转换区域，具有多个光电转换元件和响应每个光电转换元件的电荷读取信号的第一MOS晶体管；外围电路区域，具有驱动第一MOS晶体管和/或放大从光电转换区域读取的信号的第二MOS晶体管，光电转换区域和外围电路区域位于同一半导体衬底上。该方法包括：形成第一和第二MOS晶体管的栅电极；用栅电极作为掩模注入第一导电类型杂质离子；形成绝缘膜以覆盖光电转换区域和外围电路区域；在通过掩模保护光电转换区域上的绝缘膜时，通过回蚀刻去除外围电路区域上的绝缘膜，并形成第二MOS晶体管的侧面间隔件；用光电转换区域上的绝缘膜和侧面间隔件作为掩模，注入第一导电类型杂质离子。
光电转换器件制造方法

[发明专利]光电转换装置的制造方法-CN200710148317.X有效
发明人：冈川崇;成濑裕章;让原浩;西村茂;青木武志;藤野优也 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2007-08-31 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：降低了由加宽光电转换元件的光入射孔径的结构产生的噪声。在光电转换装置的制造方法中，布置在第一层间绝缘层中的第一孔中的第一导电体电连接第一半导体区与放大MOS晶体管的栅电极，而不通过包含在布线层中的布线。另外，第二导电体电连接与第一半导体区不同的第二半导体区与布线。在该第二导电体的结构中，布置在第一层间绝缘层中的第二孔中的第三导电体和布置在第二层间绝缘层中的第三孔中的第四导电体相互堆叠并电连接。另外，形成第一导电体的步骤和形成第三导电体的步骤同时进行。
光电转换装置制造方法

[发明专利]光电转换器件、光电转换器件制造方法、及图像拾取系统-CN200710143752.3有效
发明人：渡边高典;板野哲也;高桥秀和;滝本俊介;虻川浩太郎;成濑裕章;西村茂;板桥政次 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2007-08-02 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种光电转换器件，包括：光电转换区域，其具有多个光电转换元件和配置为响应每个光电转换元件的电荷而读取信号的第一MOS晶体管；以及外围电路区域，其具有配置为驱动所述第一MOS晶体管和/或放大从所述光电转换区域读取的信号的第二MOS晶体管，并且所述光电转换区域和所述外围电路区域位于同一半导体衬底上，其中所述第一MOS晶体管的漏极中的杂质浓度低于所述第二MOS晶体管的漏极中的杂质浓度。
光电转换器件制造方法图像拾取系统

[发明专利]眼用透镜的着色剂和应用此着色剂的着色的眼用透镜-CN200310122359.8无效
发明人：中畑义弘;西村茂;砂田力;三木定雄;桑原正树 -专利权人：尼德克株式会社
申请日： 2003-12-19 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： G02C7/04 文献下载
摘要：一种用于眼用透镜的由下式(1)表示的着色剂，其中A和B分别选自于卤素，氰基，硝基，烷基，烷磺酰基和烷氧基；R表示线形和支链的具有1到5个碳原子的亚烷基；Z选自(甲基)丙烯酰基，乙烯基，烯丙基和具有上述可聚合基团的化学结构。
透镜着色应用

[发明专利]肖特基结半导体器件-CN91104304.7无效
发明人：中村佳夫;菊池伸;西村茂 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1991-06-29 - 公布日： 1993-08-25 - 主分类号： H01L29/46 文献下载
摘要：一种肖特基结半导体器件，包括由n型半导体构成的第一半导体区；由电阻高于所述第一半导体区的n型半导体构成的第二半导体区；设在所述第二半导体区附近并且上面带孔的绝缘膜；设在所述孔内的电极区；以及设在所述绝缘膜与所述电极区之间接合处的由p型半导体构成的第三半导体区。电极区由单晶金属构成，并与所述第二半导体区构成肖特基结。
肖特基结半导体器件