专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种无损吸收零电压开关反激电路-CN202111344372.2在审
  • 邢先锋;许逵炜;陈伟 - 西安锐晶微电子有限公司
  • 2021-11-15 - 2022-04-12 - H02M3/335
  • 本发明公开了一种无损吸收零电压开关反激电路,包括反激式开关电源输入电路、变压器电路、功率开关电路、整流电路、滤波电路和无损吸收电路;所述反激式开关电源输入电路的输入端、变压器电路初级的输入端、功率开关电路的输入端均与外界供电电压连接,所述变压器电路初级的输出端与所述功率开关电路的输出端连接,所述变压器电路次级的输出端与所述无损吸收电路的输入端、整流电路的输入端、滤波电路的输入端连接,所述滤波电路的输出端与整体电路的输出端连接;所述变压器电路次级上增加CP电容支路或增加CP1电容支路或增加CP、CP1电容支路。本发明与现有技术相比的优点在于:其提高了反激式开关电源可靠性。
  • 一种无损吸收电压开关电路
  • [实用新型]一种抗干扰能力较强的DC-DC变换器-CN202020740014.8有效
  • 胡滨;吴楠;贾欢欢 - 西安锐晶微电子有限公司
  • 2020-05-08 - 2020-12-01 - H02M3/335
  • 本实用新型公开了一种抗干扰能力较强的DC‑DC变换器,包括电连接在一起的雷击浪涌防护器、电磁脉冲防护器EMP、浪涌抑制器、EMI滤波器和电压转换电路,所述雷击浪涌防护器包括电连接在一起的压敏电阻、气体放电管G1、电感和TVS管SMDJ110CA,所述电磁脉冲防护器EMP包括两个双向BV‑SMBT‑15CA的TVS管,所述浪涌抑制器包括电连接在一起的TVS管SMCJ150A D3和D4、MOS管以及浪涌抑制芯片,所述EMI滤波器包括电连接在一起的共模电感、差模电感、X滤波电容和Y滤波电容,所述电压转换电路包括电连接在一起的电源控制芯片、变压器、MOS管和反馈环路。本实用新型与现有技术相比的优点在于:具有防雷击、抗浪涌、抑制电磁脉冲干扰、EMI滤波等多功能,可应用在复杂电磁环境中工作。
  • 一种抗干扰能力dc变换器
  • [发明专利]一种抗干扰能力较强的DC-DC变换器-CN202010380376.5在审
  • 胡滨;吴楠;贾欢欢 - 西安锐晶微电子有限公司
  • 2020-05-08 - 2020-07-28 - H02M3/335
  • 本发明公开了一种抗干扰能力较强的DC‑DC变换器,包括电连接在一起的雷击浪涌防护器、电磁脉冲防护器EMP、浪涌抑制器、EMI滤波器和电压转换电路,所述雷击浪涌防护器包括电连接在一起的压敏电阻、气体放电管G1、电感和TVS管SMDJ110CA,所述电磁脉冲防护器EMP包括两个双向BV‑SMBT‑15CA的TVS管,所述浪涌抑制器包括电连接在一起的TVS管SMCJ150A D3和D4、MOS管以及浪涌抑制芯片,所述EMI滤波器包括电连接在一起的共模电感、差模电感、X滤波电容和Y滤波电容,所述电压转换电路包括电连接在一起的电源控制芯片、变压器、MOS管和反馈环路。本发明与现有技术相比的优点在于:具有防雷击、抗浪涌、抑制电磁脉冲干扰、EMI滤波等多功能,可应用在复杂电磁环境中工作。
  • 一种抗干扰能力dc变换器
  • [发明专利]一种陶瓷管壳封装熔封工艺-CN202010145806.5在审
  • 姚炳 - 西安锐晶微电子有限公司
  • 2020-03-05 - 2020-06-26 - H01L21/52
  • 本发明公开了一种陶瓷管壳封装熔封工艺,通过陶瓷盖板、芯片、引线键合和管壳底座等步骤解决了现有半导体集成电路抗高温以及高可靠性技术难题。本熔封工艺焊接采取5段位分控温度,使管壳底座上的玻璃釉缓慢融化→于陶瓷管壳均匀键合→逐步降温,避免管壳底座与陶瓷盖板从室温进入高温熔炉出现玻璃釉剧烈扩散,有效减少了陶瓷封装后玻璃釉密封不均现象,防止出现漏气现象,从而提高产品的品质和使用寿命。
  • 一种陶瓷管壳封装工艺
  • [发明专利]一种搪锡方法-CN201610977077.3有效
  • 王亚江;梁田 - 西安锐晶微电子有限公司
  • 2016-11-08 - 2019-05-24 - B23K1/00
  • 本发明公开了一种搪锡方法,包括如下步骤,(1)将需要搪锡的电子元件去氧化处理;(2)搪锡处理:将步骤(1)处理后的电子元件依次浸入至助焊剂、锡锅中,进行搪锡;(3)冷却处理:将步骤(2)搪锡后的电子元件经冷却、清洗,得到成品;本发明的优点在于,预先将氧化层处理掉,再选用浸蘸的方式进行搪锡,去除了导致产品合格率低的不良因素,使成品中杂质含量降低至≤1%,提高成品合格率,同时搪锡处理方式缩短了时间,保证产品其他性能不受影响,方法简便、易行,适于规模化推广。
  • 一种方法
  • [实用新型]用于锗窗焊接过程中的凹凸模工装-CN201220659831.6有效
  • 王莹 - 西安锐晶微电子有限公司
  • 2012-11-30 - 2013-05-29 - B23K37/04
  • 本实用新型公开了供一种用于锗窗焊接过程中的凹凸模工装,包括一对相配合的凹模和凸模,所述凹模由凹模边框和凹模底座构成矩形凹槽结构,沿凹模底座的外边沿设有凹模凹槽,沿凹模凹槽的四个角设有凹模圆孔;所述凸模由凸模边框围成矩形透孔结构工装,凸模边框的透孔内框四个角设有凸模圆孔,沿凸模边框内框边沿设有凸模凹槽;所述凸模套接于凹模边框内。该工装能够满足锗窗的焊接工艺要求,在装配过程中能够避免出现焊料变形、锗窗与焊料不够充分接触、锗窗与盖板之间不能精确对位等现象,能够保证焊接的气密性,实现锗窗焊接装配过程的易操作性以及高可靠性。
  • 用于焊接过程中的凹凸工装

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