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[实用新型]传输承载晶片的高纯碳化硅平板形部件-CN200420042177.X无效
发明人：陈刚;刘定冕;刘磊磊 -专利权人： 西安希朗材料科技有限公司
申请日： 2004-07-12 - 公布日： 2005-11-30 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种传输承载晶片的高纯碳化硅平板形部件，属于半导体器件制造过程氧化、扩散、LPCVD工艺中晶片的传输承载部件。技术特征在于：在平板形主体的上面呈弧形下凹，形成弧形凹面，在弧形凹面内刻有若干个弧形槽。在平板形主体的中部可掏空，形成掏空槽。在平板形主体的两端可以设计孔，用于传输承载过程中方便勾取部件。本实用新型的有益效果是：增加了部件单位长度内晶片的承载量，晶片可以紧密地排列在部件内，而在高温无变形粘结现象。晶片与晶舟内弧配合紧密利于传输中稳定。晶片取放容易。晶舟传输方便。材料耐化学腐蚀，使用寿命与石英玻璃、单晶硅、多晶硅提高了50－100倍。降低了半导体器件制造成本。
传输承载晶片高纯碳化硅平板部件

[实用新型]传输承载晶片的高纯碳化硅弧形部件-CN200420042106.X无效
发明人：陈刚;刘定冕;刘磊磊 -专利权人： 西安希朗材料科技有限公司
申请日： 2004-06-29 - 公布日： 2005-11-30 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种传输承载晶片的高纯碳化硅弧形部件，属于半导体器件制造过程氧化、扩散、LPCVD工艺中晶片的传输承载部件。技术特征在于：采用碳化硅材料制成、结构形状为弧形主体且根据情况可以提供大尺寸的传输承载部件。在一个用碳化硅材料做成的弧形主体的内部两端刻槽，晶片放在弧形主体内部或插在弧形主体内部刻槽两个以上。有益效果是，可实现大尺寸传输承载部件，增加了单位长度内晶片的承载量。由于没有高温蠕变现象，晶片可以紧密地排列在部件内，可实现晶片与晶舟内弧紧密配合有利于稳定传输，且在高温无变形粘结现象。碳化硅材料耐化学腐蚀，使用寿命与石英玻璃、单晶硅、多晶硅提高了50～100倍，降低了半导体器件制造成本。
传输承载晶片高纯碳化硅弧形部件

[实用新型]传输承载晶片的高纯碳化硅卡座式部件-CN200420042176.5无效
发明人：陈刚;刘定冕;刘磊磊 -专利权人： 西安希朗材料科技有限公司
申请日： 2004-07-12 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种传输承载晶片的高纯碳化硅卡座式部件，属于半导体器件制造过程氧化、扩散、LPCVD工艺中晶片的传输承载部件。在卡座主体上设计四条内凸棱，在四条内凸棱上刻卡槽，在垂直于卡座主体的平面上的、位于四条内凸棱上的点位A、B、C、D在同一圆周上。圆形晶片被在四条内凸棱的卡槽上的点位A、B、C、D卡住，并垂直于卡座主体1的底部平面。有益效果是：增加了部件单位长度内品片的承载量。晶片可以紧密地排列在部件内，而在高温无变形粘结现象。晶片与晶舟内弧配合紧密利于传输中稳定。晶片取放容易。晶舟传输方便。材料耐化学腐蚀，使用寿命与石英玻璃、单品硅、多晶硅提高了50－100倍。降低了半导体器件制造成本。
传输承载晶片高纯碳化硅卡座部件

[发明专利]以高纯固态碳素材料为主经渗硅制备高纯碳化硅烧结体的方法及组合物-CN200410073054.7无效
发明人：陈刚;刘磊磊 -专利权人： 西安希朗材料科技有限公司
申请日： 2004-09-08 - 公布日： 2005-03-02 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明涉及高纯碳化硅烧结体的制备方法。方法包括按质量比称取组合物、机械搅拌、模具中成型、烘干固化、机床加工、混合酸浸泡再用去离子水清洗，除去表面吸附杂质、高温窑炉中硅粒渗入、烧成，酸洗后，真空包装。原料包括高纯固态碳素材料、粘合剂、润滑剂、高纯硅粒。具有加工成本低，无开口气孔、耐化学腐蚀的特点，由于在烧成过程中碳化硅的生成，增加了致密度和强度，烧成后产品密度大于3.05克/厘米³，使产品中游离硅降低，采用高纯固态碳素材料降低了杂质的含量，使产品单个杂质浓度小于0.5ppm。满足0.13μm线宽以下半导体器件制造要求。广泛用于加工制造扩散管、晶舟、样板晶圆、真空高温炉密封件等产品。
高纯固态碳素材料为主经渗硅制备碳化硅烧结方法组合