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[发明专利]一种多晶硅铸锭工艺-CN201610694941.9有效
发明人：刘波波;贺鹏;虢虎平;史燕凯 -专利权人：西安华晶电子技术股份有限公司
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅铸锭工艺，包括以下步骤：一、辅助加热器安装：在多晶硅铸锭炉内安装辅助加热器；辅助加热器为布设在坩埚下方的底部加热器；二、装料；三、预热；四、熔化，过程如下：401、六面加热熔化；402、五面加热熔化；403、后续熔化；五、熔化后至长晶前处理，过程如下：501、降温；502、升温；六、长晶；七、退火及冷却：步骤六中长晶过程完成后，进行退火与冷却，并获得加工成型的多晶硅铸锭。本发明工艺步骤简单、设计合理且实现简便、使用效果好，采用六面加热装置进行加热，同时通过增设熔化后至长晶前处理步骤，并对长晶工艺进行调整，能有效减小晶粒度，提高铸锭成品的质量。
熔化辅助加热器多晶硅铸锭工艺退火前处理六面冷却多晶硅铸锭炉底部加热器多晶硅铸锭装料工艺步骤过程完成加工成型加热熔化加热装置晶粒度面加热预热减小铸锭坩埚加热增设

[发明专利]一种多晶硅半熔铸锭用熔料及长晶工艺-CN201610694261.7有效
发明人：刘波波;贺鹏;蔺文;虢虎平;史燕凯 -专利权人：西安华晶电子技术股份有限公司
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅半熔铸锭用熔料及长晶工艺，步骤一、熔化及后期排杂，过程如下：101、熔化：按照常规的多晶硅半熔铸锭法，采用多晶硅铸锭炉对装于坩埚内的硅料进行熔化；102、熔化后期排杂：采用多晶硅铸锭炉对装于坩埚内的硅料继续熔化，继续熔化时间为15min～40min；继续熔化过程中，通过调整顶部加热器和/或四个侧部加热器的加热功率，使0.8≤c＜1；二、长晶及同步排杂：长晶过程中，通过调整顶部加热器和/或四个所述侧部加热器的加热功率，使0.3≤c＜0.9。本发明工艺步骤简单、设计合理且实现简便、使用效果，在熔料后期及长晶过程中同步进行排杂，排杂效果好，能有效减少硬质点，并提高铸锭成品的质量。
一种多晶熔铸锭用熔料及工艺

[发明专利]一种多晶硅半熔铸锭方法-CN201610694071.5有效
发明人：李建军;刘波波;贺鹏;蔺文;虢虎平 -专利权人：西安华晶电子技术股份有限公司
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅半熔铸锭方法，包括步骤：一、预热：采用多晶硅铸锭炉对装于坩埚内的硅料进行预热，多晶硅铸锭炉的顶侧比系数c＝1；二、熔化及后期排杂，过程如下：201、熔化；202、熔化后期排杂：采用多晶硅铸锭炉对硅料进行继续熔化，继续熔化时间为15min～40min；继续熔化过程中，通过调整顶部加热器和/或四个侧部加热器的加热功率使0.8≤c＜1；三、长晶及同步排杂：长晶过程中，通过调整顶部加热器和/或四个侧部加热器的加热功率使0.3≤c＜0.9；四、退火及冷却。本发明方法步骤简单、设计合理且实现方便、使用效果好，能解决现有多晶硅半熔铸锭工艺存在的排杂效果较差、铸锭成品质量不能保证等问题。
一种多晶熔铸方法

[发明专利]一种减小晶粒度的多晶硅铸锭方法-CN201610694944.2有效
发明人： 虢虎平;刘波波;贺鹏;史燕凯 -专利权人：西安华晶电子技术股份有限公司
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小晶粒度的多晶硅铸锭方法，包括以下步骤：一、装料；二、预热；三、熔化；四、熔化后至长晶前处理：401、降温：将多晶硅铸锭炉的加热温度由T2降至T3，并保温15～25min，T2＝1540～1560℃，T3＝1410～1420℃；402、升温：将多晶硅铸锭炉的加热温度由T3升至T4，并保温8～15min，T4＝1435～1445℃；五、长晶：将多晶硅铸锭炉的加热温度控制在T4并进行定向凝固，直至完成长晶过程；六、退火及冷却。本发明方法步骤简单、设计合理且实现简便、使用效果好，通过增设熔化后至长晶前处理步骤，并对长晶工艺进行调整，能有效减小晶粒度，提高铸锭成品的质量。
一种减小晶粒多晶铸锭方法

[发明专利]一种多晶硅半熔铸锭用排杂方法-CN201610696080.8有效
发明人：刘波波;贺鹏;蔺文;虢虎平 -专利权人：西安华晶电子技术股份有限公司
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅半熔铸锭用排杂方法，包括步骤：一、熔化及排杂，过程如下：101、熔化：采用多晶硅铸锭炉对装于坩埚内的硅料进行熔化，并向多晶硅铸锭炉内充入惰性气体进行保压；102、降压排杂；103、熔化后期排杂：先将多晶硅铸锭炉的气压进行升压，再对硅料继续熔化，并通过调整顶部加热器和/或四个侧部加热器的加热功率使0.8≤c＜1，c为多晶硅铸锭炉的顶侧比系数；二、长晶及同步排杂：通过调整顶部加热器和/或四个侧部加热器的加热功率使0.3≤c＜0.9。本发明方法步骤简单、设计合理且实现简便、使用效果，通过熔料后期同步排杂、降压排杂与长晶过程同步排杂有效减少铸锭成品的硬质点，能有效提高铸锭成品的质量。
一种多晶熔铸锭用排杂方法

[发明专利]一种基于辅助加热的多晶硅铸锭用熔料方法-CN201610693959.7在审
发明人：李建军;刘波波;贺鹏;蔺文;虢虎平 -专利权人：西安华晶电子技术股份有限公司
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于辅助加热的多晶硅铸锭用熔料方法，包括步骤：一、辅助加热器安装：在多晶硅铸锭炉内安装辅助加热器，辅助加热器为布设在坩埚下方的底部加热器，底部加热器、顶部加热器和四个侧部加热器组成六面加热装置；二、装料；三、预热：将六面加热装置开启，并采用多晶硅铸锭炉对装于坩埚内的硅料进行预热；四、熔化，过程如下：401、第一次升温；402、第二次升温；403、后续熔化。本发明方法步骤简单、设计合理、实现方便且易于掌握、使用效果好，能解决现有多晶硅铸锭熔料过程中存在的熔化效率较低、加热效果较差、铸锭成品底部的含氧量较高以及由于熔料时间不足或熔料时间过长而造成的多晶硅铸锭质量下降等问题。
一种基于辅助加热多晶铸锭用熔料方法

[发明专利]一种降低多晶硅铸锭底部氧含量的方法-CN201610696079.5在审
发明人： 虢虎平;刘波波;吴增伟;贺鹏 -专利权人：西安华晶电子技术股份有限公司
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低多晶硅铸锭底部氧含量的方法，包括步骤：一、坩埚底部涂层制备，过程如下：101、涂层喷涂液配制：将有机胶结剂、去离子水和氮化硼按1∶2～2.5∶0.8～1.2的质量比均匀混合，得到涂层喷涂液；102、喷涂：采用喷涂设备将涂层喷涂液均匀喷涂至坩埚的内部底面上；103、烘干：采用烘干设备且对喷涂至坩埚内部底面上的涂层喷涂液进行烘干，获得底部涂层；二、多晶硅铸锭：利用带底部涂层的坩埚进行多晶硅铸锭。本发明方法步骤简单、设计合理且实现简便、使用效果好，通过在坩埚底部涂覆一层以氮化硼为主要原料的底部涂层，能有效降低坩埚底部氧含量，并能有效减少铸锭成品的硬质点，提高铸锭成品的质量。
一种降低多晶铸锭底部含量方法

[发明专利]一种母合金的制备方法-CN201610694945.7在审
发明人：吴增伟;刘波波;蔺文;虢虎平 -专利权人：西安华晶电子技术股份有限公司
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种母合金的制备方法，包括步骤：一、坩埚底部涂层制备，过程如下：101、涂层喷涂液配制；102、涂层喷涂液的喷涂量确定：根据需制备母合金铸锭中杂质硼的浓度，并结合坩埚的装料量，对涂层喷涂液的喷涂量进行确定；103、喷涂：采用喷涂设备将涂层喷涂液均匀喷涂至坩埚的内部底面上；104、烘干：采用烘干设备烘干，获得底部涂层；二、母合金熔铸：利用带底部涂层的坩埚，对需制备母合金铸锭进行熔铸。本发明方法步骤简单、设计合理且实现简便、使用效果好，通过在坩埚底部涂覆一层以氮化硼为主要原料的底部涂层，能有效降低坩埚底部氧含量，并能简便、快速完成母合金制备过程，提高母合金铸锭的质量。
一种合金制备方法

[发明专利]一种利用流延法制备钨铜片或板的方法-CN201310647914.2有效
发明人：陈文革;王利剑;虢虎平 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2013-12-04 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： C22C1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用流延法制备钨铜片或板的方法，选取铜包钨复合粉体为原料制备流延浆料，然后将流延浆料依次经过流延成型、排胶烧结、压制、熔渗烧结、表面处理，即可得到钨铜片或板。本发明利用流延法制备钨铜片或板的方法，制备得到的钨铜片或板的尺寸、形状、成分可以任意要求，有效解决了钨铜合金制备过程中钨铜两相混合均匀性差、大尺寸厚度不可控的难题，不需要钢制模具和专用的压制成型设备，实现快速高效、方便经济、无切屑少切屑、节约资源的目的。
一种利用法制铜片方法

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