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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体存储装置-CN201910690282.5有效
发明人：佐久间悠;宫川英典;藤井章辅;佐久间究;荒井史隆 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：本发明是一种半导体存储装置，具备：衬底；多个第1半导体部，沿与衬底的表面交叉的第1方向排列；第1栅极电极，沿第1方向延伸，从与第1方向交叉的第2方向与多个第1半导体部对向；第1绝缘部，设置在第1半导体部及第1栅极电极之间；第1布线，在第1方向上与第1栅极电极隔开；第2半导体部，连接于第1栅极电极的第1方向的一端及第1布线；第2栅极电极，与第2半导体部对向；及第2绝缘部，设置在第2半导体部及第2栅极电极之间。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN201910486310.1在审
发明人： 藤井章辅 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L27/11502 文献下载
摘要：根据一个实施方式，实施方式的半导体存储装置具备：积层体，由层间绝缘层与栅极电极层在第1方向上交替积层而成；半导体层，设置于积层体之中，沿着第1方向延伸；第1绝缘层，设置于半导体层与栅极电极层之间；导电层，设置于第1绝缘层与栅极电极层之间；及第2绝缘层，设置于导电层与栅极电极层之间，包含铁电体；且在第1方向上相邻的2个导电层隔着层间绝缘层而分隔，栅极电极层的第1方向的第1厚度小于导电层的第1方向的第2厚度。
半导体存储装置

[发明专利]存储器装置-CN201310388816.1有效
发明人：斋藤真澄;石川贵之;藤井章辅;西原清仁 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明涉及存储器装置。根据一个实施例的存储器装置包括衬底；被层叠在所述衬底上的两个或更多个电阻变化型存储器基元；被层叠在所述衬底上的两个或更多个晶体管；以及被层叠在所述衬底上的两个或更多个布线。所述存储器基元之一和所述晶体管之一经由所述布线之一而彼此连接。
存储器装置

[发明专利]电阻型随机存取存储装置-CN201310406691.0有效
发明人：石川贵之;藤井章辅;宫川英典;田中洋毅;斋藤真澄 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-09-09 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：根据实施例的电阻型随机存取存储装置包括第一电极、第二电极以及被置于所述第一电极与第二电极之间的可变电阻部分。该可变电阻部分包括第一绝缘层、第二绝缘层，以及晶层，所述晶层被置于所述第一绝缘层和第二绝缘层之间，具有高于第一电极的电阻率、并且是结晶体。
电阻随机存取存储装置

[发明专利]电阻随机存取存储器装置-CN201510555674.2在审
发明人：川嶋智仁;藤井章辅 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2016-09-14 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本申请涉及一种电阻随机存取存储器装置。电阻随机存取存储器装置包含：第一线路，其在第一方向上延伸；第一离子源层，其经提供于所述第一线路上的第一部分中；及第一可变电阻层，其经提供于所述第一离子源层上。所述电阻随机存取存储器装置还包含第二线路，其经提供于所述第一可变电阻层上、面向所述第一部分且在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。所述电阻随机存取存储器装置还包含：第二可变电阻层，其经提供于所述第二线路上的第二部分中；第二离子源层，其经提供于所述第二可变电阻层上；及第三线路，其经提供于所述第二离子源层上、面向所述第二部分且在所述第一方向上延伸。所述第一离子源层由不同于所述第二离子源层材料的材料形成。
电阻随机存取存储器装置

[发明专利]电阻变化存储器-CN201180068942.8有效
发明人：市原玲华;松下大介;藤井章辅 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-09-16 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：根据一个实施例，电阻变化存储器包括存储器单元和控制电路。所述存储器单元包括第一电极和第二电极，以及置于所述第一电极与所述第二电极之间的可变电阻层。所述控制电路在所述第一电极与所述第二电极之间施加电压以执行写入、擦除和读取。在所述写入期间，所述控制电路在所述第一电极与所述第二电极之间施加第一电压脉冲，然后在施加所述第一电压脉冲之后，施加与所述第一电压脉冲极性不同的第二电压脉冲。
电阻变化存储器

[发明专利]包括可变电阻元件的非易失性半导体存储器设备-CN201280010795.3有效
发明人：高岛章;宫川英典;藤井章辅;松下大介 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-03-21 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：根据一个实施例，非易失性半导体存储器设备包括存储器单元阵列和控制电路。该存储器单元阵列包括存储器单元，每一个存储器单元都包括可变电阻元件，其中在复位操作中流动的复位电流比在置位操作中流动的置位电流小不少于一个数量级。该控制电路对存储器单元执行复位操作和置位操作。该控制电路对处于低电阻状态并连接到选择的第一互连和选择的第二互连的所有存储器单元执行复位操作。
包括可变电阻元件非易失性半导体存储器设备

[发明专利]非易失性电阻变化元件-CN201280010756.3有效
发明人：宫川英典;高岛章;藤井章辅 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-03-14 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：根据一个实施例，非易失性电阻变化元件包括第一电极、第二电极和第一层。第一电极包括金属元素。第二电极包括n型半导体。第一层形成在第一电极与第二电极之间，并包括半导体元素。第一层包括由金属元素形成的导体部分。导体部分与第二电极隔开。
非易失性电阻变化元件

[发明专利]电阻变化器件以及存储器基元阵列-CN201180011998.X有效
发明人： 藤井章辅;松下大介;三谷祐一郎 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：根据一个实施例，一种电阻变化器件包括：包含金属的第一电极；第二电极；以及在所述第一和第二电极之间的包含Si和O的非晶氧化物层，该层在从所述第一电极到所述第二电极的方向上具有O的浓度梯度及其第一峰值。
电阻变化器件以及存储器阵列

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