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[发明专利]包装机、包装系统以及包装方法-CN201280073765.7有效
发明人： 藤井敬久;原博昭 -专利权人：光荣株式会社
申请日： 2012-06-08 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： B65B11/10 文献下载
摘要：本发明的包装机(90)是用于使用包装纸(S)而包装堆积了多个小捆(B)的大捆的包装机(90)，该小捆捆扎了多个纸张，包装机(90)不对大捆进行捆扎，就通过包装纸(S)而包装大捆。此外，本发明的包装系统(10)包括小捆制作机(12)，用于制作通过封带体(P)而捆扎了多个纸张的小捆(B)；以及包装机(90)，用于使用包装纸(S)而包装堆积了多个小捆(B)的大捆，该小捆(B)由小捆制作机(12)所制作，包装机(90)不对大捆进行捆扎，就通过包装纸(S)而包装大捆。此外，本发明的包装方法包括制作通过封带体(P)而捆扎了多个纸张的小捆(B)的步骤；以及使用包装纸(S)而包装堆积了制作的多个小捆(B)的大捆的步骤，在包装大捆的步骤中，不对大捆进行捆扎，就通过包装纸(S)而包装大捆。
装机包装系统以及方法

[发明专利]氮化物半导体器件-CN201680049648.5在审
发明人：一条尚生;久保胜;福见公孝;藤井敬久 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2016-03-30 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：氮化物半导体器件具备至少覆盖漏电极(19)的第二绝缘膜(22)、和使负载短路时产生于漏电极(19)与第二绝缘膜(22)之间的热应力最大的位置的热应力减少的热应力减少部。热应力减少部(19bf)是漏电极(19)的上部朝向源电极(18)延伸而成的漏极场板部(19bf)。
氮化物半导体器件

[发明专利]异质结场效应晶体管-CN201480030382.0有效
发明人： 藤井敬久;永久哲三;久保胜 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：异质结场效应晶体管包括第1接触部(20a)和第2接触部(15a)。第1接触部(20a)的长边方向的长度比源极电极(12)的长边方向的长度短，第2接触部(15a)的长边方向的长度比漏极电极(11)的长边方向的长度短。在各漏极电极(11)，从第2接触部(15a)的端(17A、17B)至比第2接触部(15a)靠外侧的漏极电极(11)的端(11A、11B)的距离(X)，比从第1接触部(20a)的端(18A、18B)至比第1接触部(20a)靠外侧的源极电极(12)的端(12A、12B)的各个距离(Y)长。
异质结场效应晶体管

[发明专利]氮化物半导体装置及其制造方法-CN201280028004.X有效
发明人： 藤井敬久;藤田耕一郎 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2012-08-08 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物半导体装置及其制造方法，所述氮化物半导体装置包括：形成在Si基板（10）上的未掺杂GaN层（1）和未掺杂AlGaN层（2）、以及形成在未掺杂GaN层（1）和未掺杂AlGaN层（2）上的由Ti/Al/TiN构成的欧姆电极（源极（11）、漏极（12））。使所述欧姆电极中的氮浓度在1×1016cm-3以上且1×1020cm-3以下。由此，能够降低氮化物半导体层与欧姆电极的接触电阻。
氮化物半导体装置及其制造方法