专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种易纯化的Ca2+-CN202310818899.7在审
  • 郭鑫;贺潇潇;李好娜;敬元元;薛俊俊;宋荣斌 - 济源市清源水处理有限公司
  • 2023-07-05 - 2023-10-10 - C01B32/15
  • 本发明属于化学合成领域,涉及碳基材料的制备,特别是指一种易纯化的Ca2+和Mg2+响应型碳点的制备方法及应用。本发明以CTAB和Pd颗粒为前体,通过一步水热法合成了易于纯化的Ca2+和Mg2+响应型碳点(CDs)。前体中Pd颗粒的存在,有利于提高该CDs的荧光强度。由于CTAB低温下易析出,通过4℃冷藏和离心的方式实现了碳点纯化和前体的重复利用。此外,该碳点对Ca2+和Mg2+良好的荧光响应性,实现了这两种离子的定量检测。本发明合成的可检测Ca2+和Mg2+的CDs制备过程简单且纯化步骤快捷,不仅为CDs的纯化方式提供了新方法,而且拓宽了CDs的应用领域,为其发展奠定了基础。
  • 一种纯化cabasesup
  • [发明专利]高落差台阶结构的多色LED外延芯片及其制备方法-CN201911251245.0有效
  • 智婷;陶志阔;薛俊俊 - 南京邮电大学
  • 2019-12-09 - 2022-03-18 - H01L33/20
  • 本发明公开了一种高落差台阶结构的多色LED外延芯片,包括衬底层,其特征在于:所述衬底层上形成至少一层的台阶结构,台阶与衬底层表面之间的落差≥5μm,每层台阶之间的落差≥5μm,在含有台阶结构的衬底层上依次生长GaN缓冲层、InGaN多量子阱结构,形成多色LED外延芯片。并公开了其制备方法。本发明利用紫外曝光、刻蚀等技术制备蓝宝石的高低落差,进MOCVD、MBE炉外延生长时,这种高低落差会造成表面具有较大的温度差,进而调控了不同区域铟镓组分。本方法可有效在同一外延片上获得不同发光波长区域,从而实现双色甚至多色LED芯片,该方法可低成本、高稳定实现全色高清显示芯片。
  • 落差台阶结构多色led外延芯片及其制备方法

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