“蔡光艳”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果47个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种MEMS惯性器件、传感器、检测装置及其制造方法-CN202310736814.0在审
发明人：黄晟;蔡光艳 -专利权人：武汉衡惯科技发展有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01C21/16 文献下载
摘要：本发明涉及微机电系统技术领域，具体涉及一种MEMS惯性器件、传感器、检测装置及其制造方法，包括衬底和盖板，所述衬底和所述盖板之间键合至少两层器件结构层，相邻器件结构层之间通过连接层键合。本发明将多层器件结构层上下设置，并通过连接层键合，可以增加电容面积，提高器件灵敏度，同时可以降低MEMS惯性器件的占用面积，提高抗机械冲击能力。
一种 mems 惯性器件传感器检测装置及其制造方法

[发明专利]一种非制冷红外探测器及其制作方法-CN202211090841.7在审
发明人：黄立;蔡光艳;高健飞;王春水;汪超;叶帆 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01J5/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种非制冷红外探测器及其制作方法，该非制冷红外探测器包括衬底、微桥结构、第一电容，微桥结构布置在衬底上方；第一电容用于存储红外探测器输出的电荷，所述第一电容设置在衬底上端，且位于微桥结构的桥面层下方。本发明利用MEMS制造技术将读出电路用于存储电信号的存储电容与红外探测器的微桥结构集成于一个像元，减少读出电路器件，增加读出电路面阵布线空间，优化读出电路整体布局布线，采集的信号就地存储，减少布局走线，降低信号串扰，提高探测器性能，大幅降低了探测器芯片的面积，同时降低了探测器的成本。
一种制冷红外探测器及其制作方法

[实用新型]一种模拟降雨冲蚀加固土边坡试验装置-CN202222202213.5有效
发明人：景宏君;党生辉;李东珀;王莉;蔡光艳;刘小勇;孙健;吴嘉;李建忠;唐皓;郭延生;路宇 -专利权人：西安科技大学;延安市公路局
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01N3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种模拟降雨冲蚀加固土边坡试验装置，包括斜向设置的加固土边坡试验件、设置在所述加固土边坡试验件上方且用于向所述加固土边坡试验件降水的喷淋机构、设置在所述加固土边坡试验件的底部且用于盛装从所述加固土边坡试验件内流出的泥水的泥水收集机构；所述加固土边坡试验件的顶部设置有两个角度调节机构。本实用新型通过设置两个加固土边坡试验槽(1)，可同时对有无固化剂加固的两种坡面防护效果进行对比，结合所述加固土边坡试验槽(1)顶部的角度调节机构，可以满足在不同坡度下的冲蚀试验，并且可以调整黄土的压实度和含水率，操作简单方便。
一种模拟降雨冲蚀加固土边坡试验装置

[实用新型]读出电路芯片的信号存储模块集成的非制冷红外探测器-CN202023276252.7有效
发明人： 蔡光艳;黄立;马占锋;汪超;王春水;高健飞 -专利权人：武汉鲲鹏微纳光电有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及红外探测器芯片制造技术领域，为读出电路芯片的信号存储模块集成的非制冷红外探测器，包括MEMS器件及读出电路芯片，所述MEMS器件包括安装孔区及空置区，所述安装孔区设有焦平面阵列电路，所述空置区设有信号存储电路，所述空置区上设有用于将所述MEMS器件与所述信号存储电路连接的导孔。将读出电路芯片中信号存储的电容通过通孔接触的方式引入上层MEMS工艺中完成。降低读出电路芯片的芯片尺寸，增加芯片个数，降低探测器成本；优化读出电路芯片的布局布线，重要的信号线可以缩短，从而优化读出电路芯片性能；充分利用MEMS的虚焊电路，使之平整化。
读出电路芯片信号存储模块集成制冷红外探测器

[发明专利]三明治结构的五氧化二钒热敏薄膜及其制备方法-CN202110273580.1有效
发明人：黄立;陆浩;马占锋;汪超;方明;蔡光艳;王春水;高健飞;黄晟 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C23C28/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种三明治结构的五氧化二钒热敏薄膜及其制备方法，该热敏薄膜包括由下至上依次设置的衬底层、缓冲层以及热敏层，所述热敏层包括至少两层V2O5层以及位于每相邻两层V2O5层之间的载流子浓度提高层。本发明通过载流子浓度提高层提高V2O5热敏薄膜的载流子浓度，显著地降低V2O5热敏薄膜室温下的电阻值，有效解决V2O5热敏薄膜在室温下电阻极大、热敏性不高的问题，提高V2O5热敏薄膜的热敏性，使其用作器件时响应率增大；且可以通过调节V2O5层以及载流子浓度提高层的厚度比例来调节电阻大小，满足不同的实际需求；多层膜结构可用CVD与PVD法实现，与硅基半导体工艺兼容，制备方式可控。
三明治结构氧化热敏薄膜及其制备方法

[发明专利]双模式非制冷红外探测器热敏层结构及其制备方法-CN202110443599.6有效
发明人：黄立;陆浩;马占锋;汪超;方明;蔡光艳;王春水;高健飞;黄晟 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明提供了一种双模式非制冷红外探测器热敏层结构及其制备方法，该热敏层结构包括保护层以及位于保护层上方的热敏薄膜层，所述热敏薄膜层包括分两侧设置的非晶锗硅薄膜和VOx薄膜。本发明可以用于双模式非制冷红外探测器，在需要NETD低的场景，VOx薄膜投入工作，探测器进入VOx基红外探测模式；在需要响应率高的场景，非晶锗硅薄膜投入工作，探测器进入非晶锗硅基红外探测模式；需要高质量静态红外场景拍摄时，VOx薄膜和非晶锗硅薄膜同时投入工作，两种模式共同工作；因此本发明适用于不同的工作场景，应用范围广，成本低。
双模制冷红外探测器热敏结构及其制备方法

[发明专利]低1/f噪声探测器及其像元以及降低非制冷探测器1/f噪声的方法-CN202110339272.4有效
发明人：黄立;蔡光艳;马占锋;汪超;王春水;高健飞;黄晟 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G01J5/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种低1/f噪声探测器像元及采用该像元的非制冷探测器，该像元包括衬底和有效元，有效元包括桥面层，桥面层包括自上而下层设的顶面吸收层和多层热敏感层，相邻两层热敏感层之间通过绝缘层分隔，各热敏感层联接形成有效元电阻结构，有效元电阻结构的阻值与有效元设计阻值匹配。另外还涉及一种降低非制冷探测器1/f噪声的方法，包括：对非制冷探测器的至少部分像元进行降噪处理，对像元的降噪处理包括增大其有效元的敏感材料电阻有效面积；和/或，增大盲元的敏感材料电阻有效面积，以对盲元进行降噪处理。本发明通过增加热敏感层数量，在满足探测器设计要求的前提下，可以增大有效元的敏感材料电阻有效面积，达到对像元和探测器降噪的效果。
噪声探测器及其以及降低制冷方法

[发明专利]一种非制冷红外探测器的晶圆级封装结构-CN202211023229.8在审
发明人：黄立;蔡光艳;高健飞;王春水;汪超;叶帆 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体封装技术领域，具体提出一种非制冷红外探测器的晶圆级封装结构，在晶圆级封装探测器沿晶圆级焊料环内侧位置和/或基板晶圆背面的划片槽区域形成的多圈或纵横交叉分布的应力释放槽。在整片晶圆封装工艺按压键合时，键合时的应力会沿着应力释放槽释放键合应力，从而减小键合按压时对焦平面阵列结构的影响，保证探测器焦平面阵列器件结构的稳固。
一种制冷红外探测器晶圆级封装结构

[发明专利]一种非制冷红外探测器吸气剂电激活结构及其制备方法-CN202211023372.7在审
发明人：黄立;蔡光艳;高健飞;王春水;汪超;叶帆 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明属于吸气剂激活技术领域，公开了一种非制冷红外探测器吸气剂电激活结构及其制备方法，包括探测器内部形成的封装腔，所述封装腔内设有吸气剂，封装腔内设有位于吸气剂下方的加热电阻，所述封装腔的外侧设有第一电激活加压焊盘以及第二电激活加压焊盘，加热电阻的两端引出封装腔外与第一电激活加压焊盘和第二电激活加压焊盘连接；所述封装腔内设有像元区域，所述吸气剂环绕所述像元区域设置。本发明还公开了一种上述吸气剂电激活结构的制备方法。本发明制作方便，而且在布置时整体体积较小，占用空间小，结构稳定，布置方式灵活，可以很好的保证真空器件工作区域的真空度，提高电子元器件的使用寿命。
一种制冷红外探测器吸气激活结构及其制备方法

[发明专利]像素级封装的非制冷红外探测器及其制作方法-CN202110126919.5有效
发明人：黄立;王雅琴;蔡光艳;王春水;马占锋;高健飞;黄晟 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G01J5/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种像素级封装的非制冷红外探测器及其制作方法，该非制冷红外探测器包括读出电路、位于读出电路上的MEMS器件以及盖封于MEMS器件上的像素封装盖帽，MEMS器件包括金属反射镜、桥面、桥柱以及第一桥腿，金属反射镜设于读出电路的上表面，桥面悬空位于金属反射镜的正上方，桥柱位于桥面侧边，其支撑在读出电路上且与读出电路之间通过电学接触金属电连接，第一桥腿连接于桥面与桥柱之间，MEMS器件还包括与桥柱连接且向外延伸的第二桥腿，像素封装盖帽上设有释放孔，第二桥腿延伸至释放孔下方，释放孔处设有密封释放孔的密封膜层，密封膜层堆积在第二桥腿上。本发明能够降低密封膜层生长的工艺难度。
像素封装制冷红外探测器及其制作方法

[发明专利]一种非制冷红外晶圆级封装探测器-CN202211023377.X在审
发明人：黄立;蔡光艳;高健飞;王春水;汪超;叶帆 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明属于晶圆级封装探测器技术领域，具体提供一种非制冷红外晶圆级封装探测器，利用MEMS工艺将焊料环和器件反射层上大片面积金属通过接触部连接到读出电路的地电位上，通过金属接地的方式减小寄生电容、寄生电阻，提高探测器性能；由于大片金属刻蚀工艺中聚集的大量电荷，会对器件结构产生影响，将晶圆级封装的焊料环和器件反射层通过读出电路接到地电位上，也会将金属刻蚀工艺中聚集的大量电荷通过接地的方式释放，提升了探测器的性能及器件结构的稳固，同时增加了探测器的生产良率。
一种制冷红外晶圆级封装探测器

[发明专利]一种微针与排线倒焊连接结构及其制备工艺-CN202210878799.9在审
发明人：黄立;黄晟;蔡光艳;高健飞;王春水;汪超 -专利权人：武汉衷华脑机融合科技发展有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微针与排线倒焊连接结构及其制备工艺。该工艺通过制备微针的倒焊金属层、制备排线的倒焊金属层、将微针的倒焊金属层与排线的倒焊金属层对齐，按压形成倒焊接触的方式实现了微针与排线的倒焊连接，与传统的TSV工艺制备微针阵列相比，明显简化了工艺步骤，且能够实现信号的精准传输。通过本发明的工艺倒焊连接的微针和排线的焊接稳定性比传统TSV工艺制备得到的连接到一起的微针和排线的稳定性更高，使用寿命更长，故障率明显降低；触点的电学接触产生的欧姆电阻的阻值明显降低，明显提升了信号传输的稳定性和精准性。
一种排线连接结构及其制备工艺

[发明专利]双模探测器像元、非制冷红外探测器及其使用方法-CN202110339507.X有效
发明人：黄立;蔡光艳;马占锋;汪超;王春水;高健飞 -专利权人：武汉鲲鹏微纳光电有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G01J5/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种共用读出电路的双模探测器像元，包括双模桥面层、衬底及布设于衬底上的双模读出电路，双模读出电路包括均设有控制开关的一个第一分路以及四个第二分路，双模桥面层的四个角部分别引伸出边部桥腿并且于桥面中心引伸出中心桥腿，其中，第一分路与相对的两个边部桥腿电连接，四个第二分路均与中心桥腿电连接并且一一对应地与四个边部桥腿电连接。另外还涉及采用该双模探测器像元的非制冷红外探测器及该非制冷红外探测器的使用方法。本发明通过对读出电路的特殊设计，同一读出电路能实现两种不同阵列大小和不同像素大小成像的工作模式，有效地扩展了像元及探测器的适用范围，可减少探测器的规格种类，降低制备成本和使用成本。
双模探测器制冷红外探测器及其使用方法

[发明专利]一种非制冷红外探测器及其制作方法-CN202210078270.9在审
发明人：黄立;蔡光艳;马占锋;高健飞;王春水;汪超;叶帆 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G01J5/02 文献下载
摘要：本发明涉及红外探测器领域，具体涉及一种非制冷红外探测器及其制作方法，包括读出电路、MEMS器件和盖帽，盖帽的内侧设有第一吸气剂层，读出电路上对应MEMS器件的位置处设有第二吸气剂层；具体是先在读出电路上对应MEMS器件的位置处制作第二吸气剂层，然后旋涂牺牲层，接着刻蚀牺牲层，制作MEMS器件，并在有效元dummy、衬底参考元以及盲元的上方制作第三吸气剂层，最后制作盖帽，并在盖帽的内侧除对应有效元的位置之外的区域制作第一吸气剂层，将盖帽与读出电路键合，完成真空封装。本发明通过在悬空MEMS器件的下面、部分MEMS器件的上面以及盖帽内侧制作吸气剂层，可以有效地增加吸气剂的面积，增加对残余气体的吸收，提高了器件的真空度，增加了器件的使用寿命。
一种制冷红外探测器及其制作方法

[发明专利]一种抗霉变石膏砂浆及其制备方法-CN202010303315.9有效
发明人：孔凡奇;蔡光艳;吴流宪;钱腾 -专利权人：贵州中能高新材料有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C04B28/14 文献下载
摘要：本发明涉及建筑材料技术领域，尤其涉及一种抗霉变石膏砂浆及其制备方法，以质量份计，该砂浆原料的组成为：改性石膏、钢渣、硅藻土、生石灰、铝酸盐水泥、季铵盐、纳米硫酸钡、纳米氧化铜、钢纤维、水。本发明砂浆可以引起霉菌表面蛋白变性，阻断霉菌的功能物质的表达，可以直接使菌体膜破裂，直接造成菌体功能损伤；本发明充分利用纳米粒子表面积大、融合能力强的特点，配合改性后的石膏，使得整个砂浆基体粘结效果更好，抗外力性能更强，有很好的实用性。
一种霉变石膏砂浆及其制备方法

1
2
3
4
下一页»
尾页
共 47 条