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[发明专利]一种铁电面内极化栅控效应的忆阻器及其制备方法和应用-CN202310687424.9在审
发明人：胡来归;蔡依辰;盛晨旭;江逸舟;丛春晓;刘冉 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种铁电面内极化栅控效应的忆阻器及其制备方法和应用，通过铁电面内极化对半导体层进行非对称掺杂，引发对器件电导值及自驱动光响应的调控。该器件能够通过铁电极化的方向与程度，实现自整流、多级电导态和多级自驱动光响应，具有低功耗、非易失性、易于实施等优点，可应用于人工智能技术的存储器内计算和传感器内计算。
一种铁电面内极化效应忆阻器及其制备方法应用

[发明专利]基于液滴的有机分子薄膜及其微纳器件阵列的制备方法-CN202010067488.5有效
发明人：胡来归;蔡依辰;金伟;刘冉 -专利权人：复旦大学
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于液滴的有机分子薄膜及其微纳器件阵列的制备方法，配制有机分子溶液，在衬底上制备有机分子的成核位置，通过滴涂及衬底加热，快速生长膜薄，或在指定成核位置生长具有高结晶度和均匀性的定向分子器件阵列。与现有技术相比，本发明采用的选区生长法，不同于真空中热蒸发选区生长，可用溶液的形式快速直接地在电极上或电极间，选择性地生长高结晶、高取向性的均匀有机分子膜及其微纳器件阵列。
基于有机分子薄膜及其器件阵列制备方法

[发明专利]畴壁存储器的制备方法以及畴壁存储器-CN202110851591.3在审
发明人：胡来归;蔡依辰;詹义强;秦亚杰 -专利权人：光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机铁电畴壁存储器的制备方法，包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底上制作对置的金属梳状电极；对所述衬底表面进行亲疏水性处理；在所述衬底表面采用选区生长法形成分子铁电功能层；退火后获得畴壁存储器。上述技术方案实现了基于梳状对电极的多级长度沟道以及有机铁电层部分极化形成畴壁导电通道。利用低张力滴涂选区法，降低成本与复杂度的同时引导极化轴可控生长。与传统利用极化翻转与位移电流写入与读取的铁电存储器相比，具有非破坏性读取、电流信号大、寿命长等优势。本发明可用于新型存储阵列、柔性集成铁电芯片等领域。
存储器制备方法以及

[发明专利]光电人工突触的制备方法以及光电人工突触-CN202110440689.X在审
发明人：胡来归;蔡依辰;詹义强;秦亚杰 -专利权人：光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种光电人工突触的制备方法，包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底上制作具有沟道功能区的图形电极；在所述衬底表面制作覆盖所述图形电极的有机半导体光响应功能层；在所述光响应功能层表面制备铁电极化调控层；退火后获得人工突触。本发明人工突触的实现基于铁电极化的多级调控与有机光电半导体的光电响应。利用滴涂法获得高质量面内极化铁电薄膜构建平面多层结构。与依赖导电细丝与离子掺杂的其他忆阻器人工突触相比具有操作电压低、保持特性好、制备工艺简便可控等优势。本发明可模拟重要的突触功能，对光刺激响应快，能耗低，可用于神经形态计算、图像识别、机器视觉、卷积神经网络等领域。
光电人工突触制备方法以及

[实用新型]电磁场能量传输特性物理实验装置-CN201720952706.7有效
发明人：张兢;叶俊升;余洪兴;余浩;蔡依辰;卢忠 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： G09B23/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及物理实验装置，尤其是一种电磁场能量传输物理实验装置。本实用新型中的一种电磁场能量传输特性物理实验装置，包括计算机、双踪示波器、轨道、整流驱动模块、钳形电流表和负载，轨道上从左到右依次设有第一谐频线圈、介质和第二低谐频线圈，第一低谐频线圈和第二低谐频线圈可滑动的安装在导轨上，计算机通过PASCO 850接口分别与双踪示波器、第一低谐频线圈相连。第一低谐频线圈为能量发射体，第二低谐频线圈为能量接收体，方便得出不同工况下的电磁场能量传输效率，结构简单，使用方便。
电磁场能量物理实验装置本实用新型双踪示波器传输特性整流驱动模块钳形电流表传输物理传输效率能量发射能量接收实验装置可滑动计算机导轨轨道

[实用新型]一种普朗克常数测量实验装置-CN201621153423.8有效
发明人： 蔡依辰;卢忠;魏高尧;鄢波;隋成华 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： G09B23/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种普朗克常数测量实验装置，包括设第一暗箱和第二暗箱的底座，第一暗箱和第二暗箱包括箱体和相对设置且中心轴重合的通光管道；第一暗箱的箱体内设与通光管道等高、连接有电源的复色光源；第二暗箱的通光管道上设侧部铰接设滤光片组的滤光片插槽，滤光片插槽背向复色光源侧的通光管道内同轴设光阑，第二暗箱的箱体内设与光阑同轴的连接有测试仪的光电发生管；测试仪上设RS232通信接口，通过RS232数据线连接至计算机。本实用新型的测量精度大幅提升，有助于更直观理解单色光单色性对普朗克常数测量的影响，理解能量量子化的概念，对误差形成更直观的认识，理解实验意义，更方便比较零点法、拐点法和曲率法的测量误差。
一种普朗克常数测量实验装置

[发明专利]一种基于F4‑TCNQ/C60结构的紫外‑可见有机光电探测器的制备方法-CN201610890093.9在审
发明人：卢忠;魏高尧;鄢波;蔡依辰;隋成华 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于F4‑TCNQ/C60结构的紫外‑可见有机光电探测器的制备方法，包括如下步骤：将表面清洗干净的透光衬底置于热蒸发镀膜仪的生长室中，并将导电薄膜电极层的材料粉末、F4‑TCNQ粉末、C60粉末、金属薄膜电极层的金属颗粒分别放置于四个钼舟内，并将四个钼舟安装在生长室的四对电极上，生长室抽真空，先对装有导电薄膜电极层的材料粉末的钼舟进行电流调节，在透光衬底上蒸镀导电薄膜层，蒸镀完毕后将电流调为零，自然冷却5min；再采用相同的方法依次继续蒸镀F4‑TCNQ、C60和金属薄膜电极层。制备得到的光电探测器件具有较大的光谱响应，其响应波段为350‑700nm。
一种基于 f4 tcnq c60 结构紫外可见有机光电探测器制备方法

[发明专利]基于宽光谱响应CuPc/F4‑TCNQ结构的光电探测器及其制备方法-CN201610864180.7在审
发明人：卢忠;魏高尧;鄢波;隋成华;蔡依辰 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于宽光谱响应CuPc/F4‑TCNQ结构的光电探测器及其制备方法，所述的光电探测器依次由透光衬底、导电薄膜电极层、CuPc薄膜层、F4‑TCNQ薄膜层、金属薄膜电极层复合组成；本发明方法制得的光电探测器件光谱响应波段范围大，无需制冷、无需加偏压即可响应从紫外波段一直到近红外波段；零偏压下的最大探测率可达1.5×109Jones；并且制作设备简单，操作方便，制作成本低；制得的光电器件具有良好重复性和稳定性。
基于光谱响应 cupc f4 tcnq 结构光电探测器及其制备方法

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