专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]SOI衬底CMOS工艺电光调制器-CN200710179413.0无效
  • 陈弘达;黄北举;董赞 - 中国科学院半导体研究所
  • 2007-12-12 - 2009-06-17 - G02F1/03
  • 本发明提出的SOI衬底标准CMOS工艺高速电光调制器解决了以上两个问题。通过外加反向偏压使调制器中n阱和衬底形成的pn结出现耗尽区,从而改变脊形波导的载流子分布。在反向偏压下,载流子是在强电场的耗尽区中作快速漂移运动,避免了正向注入时载流子的缓慢扩散对调制器响应速度的限制。而且本发明提出的SOI衬底标准CMOS工艺高速电光调制器没有刻蚀过程,其波导包层是通过CMOS工艺中的浅沟隔离层来完成。该调制器中的所有层均采用标准CMOS工艺制作完成,无需更改标准CMOS工艺流程,可在SOI衬底标准CMOS工艺线上流片完成。
  • soi衬底cmos工艺电光调制器

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